正3D DRAM等定制化存儲(chǔ)方案正是基于利基存儲(chǔ)和先進(jìn)封裝，以近存計(jì)算的方式滿足AI推理的存儲(chǔ)需求。SoC廠商、下游終端廠商都在積極適配這一類新型存儲(chǔ)。 ? 華邦電子CUBE ? 華邦電子推出
2025-09-08 06:05:00
11620 
下，渠道搶貨助推價(jià)格上漲。未來隨著大廠的減產(chǎn)，其他內(nèi)存廠商承接市場(chǎng)需求或?qū)⒊掷m(xù)影響DDR4的供需走勢(shì)。 ? 極速漲價(jià) ? CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，近期渠道資源從高端到底部低端料號(hào)價(jià)格自上而下全線走高，渠道存儲(chǔ)廠商仍堅(jiān)定強(qiáng)勢(shì)拉漲DDR4 UDIMM報(bào)價(jià)，部分DDR4顆?，F(xiàn)貨價(jià)格
2025-06-19 00:54:0010155 
圣邦微電子推出SGM41010，一款單節(jié)鋰電池保護(hù)芯片。該器件可應(yīng)用于鋰離子充電電池和鋰聚合物充電電池。
2025-12-24 15:29:52638 
在電子設(shè)備不斷追求更高性能和更低功耗的今天，內(nèi)存連接器的性能和特性對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。Amphenol推出的DDR5/LPDDR5 CAMM2連接器，憑借其出色的設(shè)計(jì)和性能，成為了眾多電子設(shè)備的理想選擇。今天，我們就來詳細(xì)了解一下這款連接器。
2025-12-09 15:11:43378 
與市場(chǎng)趨勢(shì)等話題，與包括電子發(fā)燒友在內(nèi)的多家媒體進(jìn)行了深入交流，展現(xiàn)了華邦電子在存儲(chǔ)領(lǐng)域的獨(dú)特發(fā)展路徑與強(qiáng)大實(shí)力。 ? 產(chǎn)品布局： 聚焦存儲(chǔ)，深耕利基市場(chǎng) 朱迪介紹道，芯片行業(yè)主要分為邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片兩大類，華邦電子專
2025-12-04 09:15:519078 2025 年 12 月 3日，中國蘇州 — 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，該產(chǎn)品采用華邦自有先進(jìn) 16nm 制程技術(shù)，提供更高速度、更低
2025-12-03 16:44:28708 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，11月24日，兆易創(chuàng)新高管在2025年第三季度業(yè)績(jī)說明會(huì)上表示，公司利基型DRAM產(chǎn)品量?jī)r(jià)齊升，公司今年新量產(chǎn)的DDR4 8Gb較快搶占份額，進(jìn)入第三季度銷量已經(jīng)與DDR
2025-11-26 11:58:365359 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 日前，瑞薩電子宣布推出業(yè)界首款面向DDR5寄存雙列直插式內(nèi)存模塊（RDIMM）的第六代（Gen6）寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD），這款全新RCD率先實(shí)現(xiàn)了9600兆傳輸/秒（MT/s
2025-11-19 15:59:055453 
DDR?作為?RK?平臺(tái)數(shù)據(jù)傳輸?shù)?“主動(dòng)脈”，其穩(wěn)定性與性能直接決定產(chǎn)品體驗(yàn)。尤其在內(nèi)存顆粒迭代快、多場(chǎng)景應(yīng)用普及的當(dāng)下，一套通用且精準(zhǔn)的?DDR?測(cè)試方法，能有效規(guī)避兼容性問題、提前發(fā)現(xiàn)隱性故障
2025-11-19 07:08:56291 
信號(hào)完整性(Signal Integrity, SI)問題：隨著DDR內(nèi)存頻率的提高，信號(hào)完整性問題變得更加突出。高速信號(hào)在傳輸過程中會(huì)受到各種因素的影響，如反射、串?dāng)_、噪聲干擾等，這些問題會(huì)導(dǎo)致
2025-11-17 10:25:333397 
瀾起科技今日正式推出新一代DDR5時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)芯片，該芯片最高支持9200 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，可有效優(yōu)化客戶端內(nèi)存子系統(tǒng)性能，為下一代高性能PC、筆記本電腦及工作站提供關(guān)鍵技術(shù)支撐
2025-11-10 10:01:3567936 華邦電子（Winbond）的NOR Flash以其卓越性能成為學(xué)習(xí)平板理想的存儲(chǔ)解決方案。其芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP）特性可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)秒級(jí)快速啟動(dòng)，高可靠性確保固件和核心代碼安全，低功耗特性則有效延長設(shè)備續(xù)航，為流暢穩(wěn)定的學(xué)習(xí)體驗(yàn)奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2025-11-10 09:48:00410 
三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)的背后，是存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)向高附加值封裝技術(shù)的轉(zhuǎn)型 ——SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）正成為 DDR5 與 HBM 的主流封裝方案，而這一轉(zhuǎn)型正倒逼 PCB 行業(yè)突破高密度布線技術(shù)，其核心驅(qū)動(dòng)力，仍是國內(nèi)存儲(chǔ)芯片封裝環(huán)節(jié)的國產(chǎn)化進(jìn)程加速。
2025-11-08 16:15:011156 專業(yè)車載系統(tǒng)半導(dǎo)體無晶圓企業(yè)Telechips正式推出集成半導(dǎo)體芯片與內(nèi)存的系統(tǒng)級(jí)封裝（SIP，System-in-Package）模塊產(chǎn)品，加速車載半導(dǎo)體市場(chǎng)的革新。Telechips計(jì)劃超越單一芯片供應(yīng)模式，通過提供軟硬件結(jié)合的高附加值解決方案，同時(shí)為客戶實(shí)現(xiàn)成本降低、開發(fā)周期縮短與品質(zhì)提升。
2025-11-05 16:05:23324 本隊(duì)伍編號(hào)CICC3042，本文介紹如何為蜂鳥添加DDR內(nèi)存擴(kuò)展。一些需要大存儲(chǔ)空間的設(shè)計(jì)中經(jīng)常需要使用DDR，這時(shí)我們希望蜂鳥可以訪問DDR，以實(shí)現(xiàn)更好的軟硬件協(xié)同。
簡(jiǎn)單閱讀蜂鳥的代碼發(fā)現(xiàn)
2025-10-31 06:07:38
來源：深圳市興萬聯(lián)電子有限公司投稿 作者：蔡友華 很多同事、同行、客戶都曾問到：DDR與SODDR有什么區(qū)別？LPDDR SOCAMM2又是什么？今天，我來為大家整理一份簡(jiǎn)明的資料，進(jìn)行一次系統(tǒng)性
2025-10-28 11:06:231062 
（Synchronous Dynamic Random Access Memory）的一種。 DDR 的主要特點(diǎn)是數(shù)據(jù)傳輸速率更高。DDR 內(nèi)存采用了一種稱為“雙倍數(shù)據(jù)速率”的技術(shù)，它可以在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)，即在時(shí)鐘信
2025-10-27 19:28:167359 
前言：2025年，存儲(chǔ)市場(chǎng)持續(xù)“高燒”——-國際大廠停產(chǎn)DDR3/4，減產(chǎn)LPDDR4/4X，漲價(jià)50%只是起步-國產(chǎn)料號(hào)月更、周更，同一料號(hào)不同Die，顆粒參數(shù)“開盲盒”-更大的坑是：對(duì)于嵌入式
2025-10-24 11:59:51918 
DDR控制協(xié)議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源
2025-10-21 14:30:16
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39
GD存儲(chǔ)器（Flash、利基型DRAM）、32位通用型MCU選型手冊(cè)
2025-10-15 15:53:05
2 2
回收一切帶DDR的主板，回收一 切帶字庫的主板，回收一切內(nèi)存芯片：NOR flash、NAND FLASH；回收DDR、LPDDR；回收TSOP、BGA、LGA；回收MCP、EMMC，我們均可回收，只要
2025-10-09 14:15:34
當(dāng)超頻而生的主板，遇上國韻美學(xué)加持的內(nèi)存，究竟能擦出什么樣的火花？最近，國韻存儲(chǔ)代表云彣(UniWhen?)與板卡巨頭微星科技（MSI）組成又一對(duì)“神仙CP”，推出了MPOWER聯(lián)盟款云礪DDR
2025-09-23 17:02:15767 華邦 TrustME 安全閃存 “三劍客”：W75F、W77Q 和 W77T，各有獨(dú)門技能，助力構(gòu)建全方位的安全守護(hù)。
2025-09-17 14:32:471237 圣邦微電子推出 SGM42618，一款支持 1/32 細(xì)分的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。該器件可應(yīng)用于機(jī)器人、紡織設(shè)備、掃描儀、定位與跟蹤設(shè)備及打印機(jī)等。
2025-09-17 09:15:541650 
華邦電子128Mb NOR Flash（W25Q128JWSIQ）憑借車規(guī)級(jí)可靠性（AEC-Q100認(rèn)證）、52MB/s讀取帶寬及-40℃~125℃寬溫支持，為車載儀表盤提供毫秒級(jí)啟動(dòng)與20年數(shù)據(jù)安全保障。
2025-09-16 09:45:00500 
TPS65295器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 DDR4 上電和斷電序列要求的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。該TPS65295集成了兩個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器
2025-09-09 14:16:041731 
在國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片加速替代的關(guān)鍵階段，北京貞光科技有限公司，作為紫光國芯的專業(yè)授權(quán)代理商，正將SDR到DDR4的全系列產(chǎn)品推向工業(yè)控制、電力系統(tǒng)和安防監(jiān)控等高可靠性市場(chǎng)。憑借穩(wěn)定的供貨能力、深入
2025-09-03 16:22:461511 
面向科研育種領(lǐng)域，華芯邦芯片提供±3%恒流精度與無頻閃調(diào)光，確保光照條件高度一致，助力種子萌發(fā)、光周期研究等實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)可靠性。
2025-09-01 15:33:09391 
本文將探討內(nèi)存技術(shù)的最新突破、AI 應(yīng)用日益增長的影響力，以及華邦如何透過策略性布局響應(yīng)市場(chǎng)不斷變化的需求。
2025-08-28 11:17:044320 
在汽車、物聯(lián)網(wǎng)和工業(yè)自動(dòng)化等應(yīng)用場(chǎng)景中，存儲(chǔ)器是否能夠穩(wěn)定運(yùn)行直接影響產(chǎn)品的可靠性。華邦推出的 W25Q-RV 系列 NOR Flash，成功通過 105°C 的工業(yè)級(jí)高溫循環(huán)測(cè)試和儲(chǔ)能測(cè)試，以超越 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的性能，在嚴(yán)苛環(huán)境下為產(chǎn)品保駕護(hù)航。
2025-08-16 17:14:301452 站在安富利入華三十周年的歷史節(jié)點(diǎn)回望，時(shí)光長河中鑲嵌的里程碑熠熠生輝。從1995年入駐香港創(chuàng)辦首間辦公室，到如今業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)廣泛覆蓋中國眾多城市，逐步成長為推動(dòng)中國電子產(chǎn)業(yè)生態(tài)發(fā)展與全球化布局的賦能型伙伴，安富利在數(shù)字經(jīng)濟(jì)的浪潮中鐫刻下“安富利中國”的鏗鏘印記。
2025-08-06 15:51:501102 網(wǎng)絡(luò)投票、專家組評(píng)審及組委會(huì)綜合評(píng)審三輪嚴(yán)格篩選，最終從近300個(gè)參評(píng)項(xiàng)目中脫穎而出，充分彰顯了華邦電子在汽車電子領(lǐng)域的領(lǐng)先創(chuàng)新力與深厚技術(shù)積淀。 ? 作為全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商，華邦電子長期深耕汽車電子市場(chǎng)。此次獲獎(jiǎng)的 TrustME W77T安全閃存 是華邦電子安
2025-08-01 11:52:491211 
的戰(zhàn)略思考與實(shí)踐布局。 大會(huì)期間，聯(lián)合利華還正式推出由其中國研發(fā)團(tuán)隊(duì)主導(dǎo)開發(fā)的 "AI for Science" 創(chuàng)新平臺(tái)。該平臺(tái)以AI為引擎，深入重構(gòu)科學(xué)研究與產(chǎn)品開發(fā)的底層邏輯，旨在推動(dòng)更高效的產(chǎn)品創(chuàng)新，持續(xù)為消費(fèi)者帶來更加優(yōu)質(zhì)的消費(fèi)體驗(yàn)。 聯(lián)合利華中國參加20
2025-07-28 07:57:06360 
近日，索尼正式推出針對(duì)直播行業(yè)的創(chuàng)新解決方案——索尼電影感直播-“無界商顯”方案。該方案集成了索尼的“防眩大師”系列商用顯示器、相機(jī)和麥克風(fēng)產(chǎn)品，以及雙鏡智能（杭州）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“雙鏡智能
2025-07-23 16:08:53868 圣邦微電子推出 SGM42203Q，一款24V 汽車應(yīng)用帶模擬電流檢測(cè)的雙通道高邊驅(qū)動(dòng)器。該器件可應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)電阻性、電容性和電感性負(fù)載。
2025-07-18 09:08:211068 
AI 時(shí)代，汽車產(chǎn)業(yè)正迎來前所未有的變革與機(jī)遇！第三屆安富利汽車生態(tài)圈峰會(huì)(AAES2025)即將于 7 月 22 日(杭州)和 7 月 29 日(武漢)盛大啟幕。圣邦微電子將深度參與此次峰會(huì)，與行業(yè)伙伴共同探討智能駕駛、新能源動(dòng)力及車-AI跨界協(xié)同的技術(shù)趨勢(shì)與產(chǎn)業(yè)未來。
2025-07-17 17:45:15937 高信噪比、寬溫域聲學(xué)傳感器首次亮相，適用于工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療設(shè)備等復(fù)雜環(huán)境。華芯邦（7A35）以“小體積、高性能”重構(gòu)霧化外圍器件技術(shù)邊界。
2025-07-17 16:37:02678 
芯片行業(yè)中往往幾個(gè)字母就能傳遞一連串關(guān)鍵有效的信息，那些專業(yè)術(shù)語，濃縮了行業(yè)技術(shù)要點(diǎn)，涵蓋在工程師們的工作日常中，今天邦博士給大家一一破譯、解碼你一定要了解的華邦電子十大常見“黑話”。
2025-07-15 11:44:361237 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《臺(tái)式主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-07-14 14:49:506 圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開關(guān)、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287 
DRAM內(nèi)存市場(chǎng)“代際交接”關(guān)鍵時(shí)刻2025年P(guān)C及服務(wù)器市場(chǎng)中，DDR4的滲透率約為20%-30%，而DDR5的滲透率約為70%-80%（TrendForce集邦咨詢）。在AI算力爆發(fā)和先進(jìn)
2025-07-09 11:11:241702 
隨著全球?qū)Ω悄?、更快速電子系統(tǒng)需求的不斷增長，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨雙重挑戰(zhàn)：在提升性能的同時(shí)降低環(huán)境影響。華邦電子正面臨著這一挑戰(zhàn)，將#可持續(xù)發(fā)展 理念融入其運(yùn)營的每一個(gè)層面——從#綠色制造 流程到專為 #AI、#汽車 及#工業(yè)應(yīng)用 設(shè)計(jì)的低功耗內(nèi)存創(chuàng)新。
2025-07-04 15:08:191290 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，專用型存儲(chǔ)芯片通常有特定的應(yīng)用需求，或是在特定的市場(chǎng)細(xì)分中有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。當(dāng)前應(yīng)用較為廣泛的品類主要包括NOR?Flash、SLC?NAND?Flash、利基型DRAM
2025-06-29 06:43:001768 
（2GX8）內(nèi)存在6月2日的報(bào)價(jià)為5.171美元，當(dāng)時(shí)比DDR5低約8%。然而，最新報(bào)價(jià)顯示DDR4已上漲至8.633美元，不到一個(gè)月時(shí)間內(nèi)漲幅高達(dá)67%，且已經(jīng)超過DDR5的價(jià)格的44%。最新市場(chǎng)數(shù)據(jù)
2025-06-27 00:27:004538 近年來，隨著人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）、5G通信和游戲產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長，DDR內(nèi)存市場(chǎng)持續(xù)升溫。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2023年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模已突破1000億美元，其中
2025-06-25 11:21:152009 
詳解華芯邦MP381A、MS2202AB-M10等爆款傳感器，覆蓋消費(fèi)電子、汽車、醫(yī)療場(chǎng)景，提供參數(shù)對(duì)比與選型建議。
2025-06-20 13:54:56640 在數(shù)字化浪潮的推動(dòng)下，#人工智能、#物聯(lián)網(wǎng)、#智能汽車 正在改變著我們的生活與工作方式。華邦電子作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商，正以其卓越的技術(shù)和創(chuàng)新，為智能時(shí)代的發(fā)展提供強(qiáng)大的“芯”力量，這種“芯”力量，究竟蘊(yùn)藏了多少故事？
2025-06-18 15:45:49708 。Bourns 特別針對(duì)最新的 DDR5 內(nèi)存技術(shù)需求 (如 DDR5 電源管理電路 PMIC，以及用于桌面計(jì)算機(jī)、筆記本電腦和平板計(jì)算機(jī)
2025-06-16 15:27:091100 
摘要:新能源汽車對(duì)驅(qū)動(dòng)電機(jī)的輸出功率、轉(zhuǎn)矩、電機(jī)的尺寸等技術(shù)要求不盡相同。若對(duì)每一項(xiàng)要求都分別予以滿足的話，則研發(fā)驅(qū)動(dòng)電機(jī)需要較長的開發(fā)時(shí)間、費(fèi)用及交貨期。為此，日立集團(tuán)的下屬公司開發(fā)了2種基型驅(qū)動(dòng)
2025-06-12 13:55:50
隨著計(jì)算密集型任務(wù)的日益增長，DDR4內(nèi)存的性能瓶頸已逐步顯現(xiàn)。DDR5的出現(xiàn)雖解燃眉之急，但真正推動(dòng)內(nèi)存發(fā)揮極致性能的背后“功臣”——正是 DDR5 SPD（Serial Presence Detect）芯片。
2025-06-11 10:07:301913 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，基于產(chǎn)品和市場(chǎng)特性，DRAM可分為主流DRAM和利基DRAM。主流DRAM產(chǎn)品具有大容量、高傳輸速率的特點(diǎn)，主要應(yīng)用于智能手機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器等大規(guī)模標(biāo)準(zhǔn)化電子設(shè)備。其市場(chǎng)
2025-06-07 00:01:004202 
PC處理器對(duì)DDR5的支持，DDR5內(nèi)存將更快滲透普及。相較于DDR4，所有電壓由主板供給，DDR5中內(nèi)存模組搭載PMIC，PMIC是實(shí)現(xiàn)高效供電的關(guān)鍵，能夠?yàn)橄冗M(jìn)的計(jì)算應(yīng)用提供突破性的性能表現(xiàn)。Rambus最近推出面向下一代AI PC內(nèi)存模塊的完整客戶端芯片組，包含兩款用于客戶端計(jì)算的全新電源
2025-05-29 09:11:208127 
CJTconnDDR系列產(chǎn)品介紹長江連接器有限公司長江連接器·DDR產(chǎn)品?DDR（DoubleDataRate）內(nèi)存的主要特性包括?：雙倍數(shù)據(jù)率?：DDR內(nèi)存的核心特性是其雙倍數(shù)據(jù)率，每個(gè)時(shí)鐘周期
2025-05-17 23:35:17929 
人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，#端側(cè)AI 正在成為智能設(shè)備發(fā)展的重要趨勢(shì)。華邦電子正憑借其卓越存儲(chǔ)技術(shù)和豐富的產(chǎn)品，積極布局端側(cè) AI 市場(chǎng)，為智能設(shè)備提供高性能、低功耗、高可靠性的存儲(chǔ)支持。
2025-05-14 09:59:231178 
使用gpif ii生成.h文件后，ez usb suite中載入slfifosync文件夾，并將.h文件放進(jìn)去。由于原slfifosync中好像只能選擇16或者32bit數(shù)據(jù)位的，生成的.img燒錄
2025-05-14 07:53:28
給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢(shì)結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價(jià)格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報(bào)道稱，三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價(jià)，在本月
2025-05-13 15:20:111204 作為芯片燒錄行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，昂科技術(shù)近期重磅發(fā)布燒錄軟件的全新版本。隨著此次迭代升級(jí)，昂科技術(shù)還披露了一批新適配的芯片型號(hào)。值得關(guān)注的是，華邦電子研發(fā)的 W35T51NWTB串行閃存已順利通過技術(shù)適配
2025-05-13 10:22:27615 
最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006843 楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布率先推出基于臺(tái)積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足
2025-05-09 16:37:44905 TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）在2025慕尼黑上海電子展上，華邦電子展示Flash、CMS（Customized Memory Solution）、TrustME?安全閃存三大類產(chǎn)品。華邦電子產(chǎn)品
2025-04-29 16:19:522015 TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
近日，普華基礎(chǔ)軟件股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱普華基礎(chǔ)軟件）與上海利氪科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱利氪科技）在上海國際車展上正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。在普華基礎(chǔ)軟件董事、總經(jīng)理劉宏倩與利氪科技創(chuàng)始人兼董事長惠志峰的共同見證下，普華基礎(chǔ)軟件副總經(jīng)理陳云然與利氪科技首席技術(shù)官蘇干廳代表雙方簽署協(xié)議。
2025-04-27 16:23:42733 TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
深圳運(yùn)算放大器需求激增，華芯邦瞄準(zhǔn)電子煙、MEMS傳感器、車載電子等賽道，以創(chuàng)新芯片方案搶占市場(chǎng)，適配智能化趨勢(shì)。
2025-04-21 16:05:39501 如果把CPU比作廚師，內(nèi)存就是廚房的操作臺(tái)，DDR5內(nèi)存相當(dāng)于給廚師換了一個(gè)更大、更快、更整潔的操作臺(tái)，做起菜來自然效率提升。隨著DDR5內(nèi)存價(jià)格逐步下降，這項(xiàng)具備更高帶寬和超大容量的新技術(shù)，正在
2025-04-18 10:34:1371 
分析全球和中國DC-DC電源管理芯片市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)，以及華芯邦在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2025-04-15 17:04:551234 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子（以下簡(jiǎn)稱“華邦”）今日正式亮相2025年慕尼黑上海電子展（N5館309展位），以“芯存綠意·共創(chuàng)未來”為主題，全面呈現(xiàn)其在車用電子、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)及邊緣計(jì)算
2025-04-15 15:30:29762 
2025年4月3日?——全球硬件品牌技嘉科技今日宣布,其旗艦級(jí)超頻主板Z890 AORUS TACHYON ICE(鈦雕)通過采用XPG 龍耀 D500G DDR5內(nèi)存及液氮(LN2)散熱技術(shù),成功
2025-04-03 17:52:45803 華邦電子作為全球第五大車用存儲(chǔ)廠商，憑借自主晶圓廠與中低容量產(chǎn)品矩陣，精準(zhǔn)定位高速增長賽道。在近期 OFweek 2025 汽車電子技術(shù)在線會(huì)議中，華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪解讀了華邦三大技術(shù)核心，分享了智能汽車存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的最新洞察。
2025-04-02 09:38:141684 燦芯半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺(tái)的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR
2025-03-21 16:20:03984 DDR內(nèi)存控制器是一個(gè)高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573 
介紹華芯邦4088芯片的基礎(chǔ)信息，包括充電芯片的性能、應(yīng)用等特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)
2025-02-24 14:19:412275 
1. DLPC410的datasheet寫明1bit的刷新率可以達(dá)到32KHz，在目前的EVM上可以實(shí)現(xiàn)嗎？
2. 如果第1個(gè)問題回答是否定的，那么如何設(shè)計(jì)才能達(dá)到高刷新率？
3.EVM上的內(nèi)存是DDR2，如果提升為DDR3或者DDR4是否可以提高刷新率？
2025-02-21 10:23:16
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，日媒報(bào)道由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計(jì)劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002803 預(yù)測(cè)華芯邦未來的發(fā)展方向，包括擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模、增強(qiáng)市場(chǎng)份額和響應(yīng)國家政策等方面。
2025-02-19 15:38:20766 昇潤科技推出的BLE藍(lán)牙SiP芯片是一種通過先進(jìn)封裝技術(shù)將多個(gè)功能組件集成到單一封裝中的解決方案，在市場(chǎng)應(yīng)用中，其設(shè)計(jì)、性能在不同應(yīng)用場(chǎng)景中都具有一定優(yōu)勢(shì)，高集成度使得外圍電路設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單；小體積使其
2025-02-19 14:53:20
，DDR5內(nèi)存已成為市場(chǎng)主流，并逐步取代DDR4內(nèi)存。值得注意的是，消費(fèi)級(jí)平臺(tái)已不再支持DDR4，這使得DDR4內(nèi)存開始加速向DDR3目前所占據(jù)的利基市場(chǎng)轉(zhuǎn)移。 若三大內(nèi)存原廠真的決定停產(chǎn)DDR3和DDR4，這無疑將對(duì)內(nèi)存市場(chǎng)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。一方面，這將促使現(xiàn)有DDR3和DDR4內(nèi)存庫存
2025-02-19 11:11:513460 HMCG78AEBRA是一款高性能的16GB DDR5 4800 RDIMM內(nèi)存條，專為需要高帶寬和高效能的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用288-Pin RDIMM封裝，支持1.1V低電壓運(yùn)行，能夠有效
2025-02-14 07:17:55
黑客攻擊？高溫考驗(yàn)？駕駛安全？通通沒在怕的！1月15日，華邦電子舉辦了“安全閃存強(qiáng)化車用電子安全性”為主題的線上研討會(huì)。為了讓沒能參加這場(chǎng)線上研討會(huì)的邦友們也可以清晰 Get 安全閃存關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn)，邦
2025-02-12 18:15:031215 ;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專為滿足現(xiàn)代計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦、服務(wù)器和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場(chǎng)上備
2025-02-10 20:10:39
如需了解價(jià)格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會(huì)被吞，收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
內(nèi)存（DRAM-Random Access Memory）作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的核心組件之一，在計(jì)算機(jī)、汽車與消費(fèi)電子產(chǎn)品上可謂無所不在。
2025-02-10 17:42:185046 M471A2G43AB2-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:49
M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:16
M471A1G44CB0-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù)，適用于各類
2025-02-10 07:48:41
M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了最新的 DDR5 技術(shù)，具有
2025-02-10 07:47:57
TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。
2025-02-08 16:41:02930 全球工業(yè)級(jí)嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)品牌ADATA威剛科技，近期正式推出了其最新的工業(yè)級(jí)DDR5 6400 CU-DIMM與CSO-DIMM內(nèi)存產(chǎn)品，為高性能運(yùn)算(HPC)領(lǐng)域注入了新的活力。 這兩款內(nèi)存
2025-02-08 10:20:131039 近日，據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報(bào)告指出，DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢(shì)。 特別是在DRAM市場(chǎng)方面，春節(jié)長假過后，消費(fèi)者對(duì)于DRAM的需求并未如預(yù)期
2025-02-06 14:47:47930 雖然目前DDR5高頻內(nèi)存已經(jīng)相當(dāng)普及了，但還是有一些用戶始終對(duì)頻率不怎么敏感。他們追求更為親民的裝機(jī)成本，對(duì)超頻了解也有限，單純希望內(nèi)存可以做到穩(wěn)定兼容，到手即用。對(duì)于這類用戶來說，裸條其實(shí)是個(gè)不錯(cuò)
2025-01-24 11:18:52996 
創(chuàng)見（Transcend）近日宣布面向消費(fèi)領(lǐng)域推出DDR5 6400 CUDIMM內(nèi)存條，為硬件市場(chǎng)注入新活力。 該系列最先面世的型號(hào)為16GB容量單條模組，專為游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者、計(jì)算機(jī)DIY
2025-01-24 11:16:181754 新春佳節(jié)即將到來，在此辭舊迎新之際，邦博士和大家一起回顧 2024 年精彩紛呈、收獲頗豐的“芯”路歷程。
2025-01-22 14:11:311133 側(cè)應(yīng)用落地高率、大容量、低延遲與高帶德明利最新推出針對(duì)AIPC的DDR5SO-DIMM和U-DIMM內(nèi)存模組系列產(chǎn)品，單條內(nèi)存容量高達(dá)48GB，理論帶寬32GB/
2025-01-21 16:34:412426 
一圖讀懂德明利內(nèi)存條產(chǎn)品線
2025-01-21 15:42:411436 
華芯邦科技有限公司研發(fā)推出。
HT4928S 芯片在移動(dòng)電源中的使用壽命受多種因素影響，沒有具體固定的年限，但一般來說可以使用數(shù)年甚至更長時(shí)間。
2025-01-15 15:19:51895 圣邦微電子推出了具備黑幀插入功能的 LCD 背光驅(qū)動(dòng)芯片 SGM3791。該芯片采用了自主研發(fā)專利技術(shù)，有效解決了插黑帶來的輸入電流沖擊。
2025-01-10 15:06:591842 
隨著國產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市，內(nèi)存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)即將迎來新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Trendforce預(yù)估，2024年全球DRAM內(nèi)存的產(chǎn)值將達(dá)到約907億美元。
2025-01-07 15:53:292422
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號(hào)-1
評(píng)論