同時優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷荷蘭奈梅亨--(美國商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領導者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術實現(xiàn)具有史上最低導通阻抗的 NextPower S3 MOSFET，該項突破并不影響其他......

同時優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷
荷蘭奈梅亨--(美國商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領導者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術實現(xiàn)具有史上最低導通阻抗的 NextPower S3 MOSFET，該項突破并不影響其他重要參數(shù)，例如漏極電流 (ID(max))、安全工作區(qū)域 (SOA) 或柵極電荷 QG。
很多應用均需要超低導通阻抗，例如 ORing、熱插拔操作、同步整流、電機控制與蓄電池保護等，以便降低 I?R 損耗并提高效率。然而，具備類似導通阻抗的一些同類器件，由于縮小晶圓單元間隔，其SOA(評估MOSFET耐受性的性能)和最大ID額定電流需要降額。安世半導體 的 PSMNR58-30YLH MOSFET 的最大導通阻抗僅 0.67 歐姆，其最大額定漏極電流提升至380A。該參數(shù)對電機控制應用尤為重要，因為電機堵轉的瞬間會產生超大電涌，MOSFET 必須可以承受這些電涌，才能確保安全可靠運行。一些競爭對手僅提供計算出的 最大ID電流，但安世半導體產品實測持續(xù)電流能力高達 380 安培，并且 100% 最終生產測試的持續(xù)電流值高達 190 安培。
該器件支持 LFPAK56 (Power-SO8) 和 LFPAK33 (Power33)封裝，二者均采用獨特的銅夾結構，可吸收熱應力，提升質量和可靠性。LFPAK56 封裝的 PSMNR58-30YLH， (安世半導體 的 4 引腳 Power-SO8 封裝)其安裝尺寸僅 30 平方毫米，管腳間距 1.27 毫米。
安世半導體的 Power MOSFET 產品經(jīng)理 Steven Waterhouse 先生表示：“安世半導體結合其獨有的 NextPowerS3 超結技術與 LFPAK 封裝，提供了具有低導通阻抗、高額定 ID 最大電流的 MOSFET，同時不影響其SOA等級、質量和可靠性。這使新元件充分滿足要求高性能、高可靠性和高容錯性的應用需求?！逼渲邪o刷直流 (BLDC) 電機控制（全橋式三相拓撲）；ORing 服務器電源、熱插拔操作和同步整流；蓄電池保護；手機快速充電和直流負荷開關。
關于新款低導通阻抗 MOSFETS 的更多信息（包括產品規(guī)格和資料表）見Nexperia 是全球領先的分立元件、邏輯元件與 MOSFET 元件的專業(yè)制造商，其前身為恩智浦的標準產品部門，于 2017 年初開始獨立運營。Nexperia 注重效率，生產穩(wěn)定可靠的半導體元件，年產量超過900 億件。Nexperia 工廠生產的小型封裝也是業(yè)內領先，不僅具有較高的功率與熱效率，還是同類品質之最。
五十多年來，Nexperia 一直為全球各地的大型公司提供優(yōu)質產品，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過 11,000 名員工。該公司擁有龐大的知識產權組合，并獲得了 ISO 9001、IATF 16949、ISO14001 和 OHSAS18001 認證。

審核編輯黃宇