據(jù)報道，SK海力士明年將分配約10萬億韓元用于設施投資，與今年相比增長約50%。此舉是對“半導體寒冬”的積極應對，旨在保持在包括高帶寬存儲器（HBM）在內(nèi)的先進半導體市場的領導地位。

據(jù)電子行業(yè)人士11月9日消息，SK海力士決定在2024年撥出約10萬億韓元用于資本支出(CAPEX)。這比今年預計的設施投資增加了約3萬億至4萬億韓元6萬億至7萬億韓元。

該計劃的重點是投資擴大設施，以滿足人工智能（AI）時代不斷增長的需求。我們將集中精力擴建 HBM 相關設施，增加對 HBM 生產(chǎn)關鍵組成部分硅通孔 (TSV) 技術的投資。此外，資金還將用于DDR5和LPDDR5等高附加值DRAM的生產(chǎn)設施。另一方面，據(jù)透露，預計明年上半年之前仍將面臨赤字的NAND閃存領域的投資將被最小化。

SK 海力士對 HBM 的關注繼續(xù)其勝利的步伐，并實現(xiàn)了全面售空。在 10 月 26 日的第三季度財報電話會議上，SK 海力士 DRAM 營銷副總裁 Park Myoung-soo 表示：“明年第四代 HBM3 產(chǎn)品和第五代 HBM3E 產(chǎn)品的供應量都在增加?！币淹耆劭铡Ｅc客戶和合作伙伴就 2025 年 HBM 產(chǎn)量進行生產(chǎn)和供應的討論也在進行中?！?SK海力士相關人士表示，明年的設施投資計劃尚未最終確定。

SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟挑戰(zhàn)，觀察人士預計嚴格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌，SK海力士預計今年赤字將超過8萬億韓元。

然而，面對尖端半導體HBM產(chǎn)品的稀缺，SK海力士決定明年比今年大幅增加投資。HBM 已顯示出完全售罄的跡象，不僅是明年的產(chǎn)量，而且是 2025 年的預期產(chǎn)量。

為了擴大HBM的產(chǎn)能，SK海力士正在大幅增加對TSV技術的投資。TSV 是 HBM 生產(chǎn)中使用的一項技術，涉及創(chuàng)建孔以垂直連接堆疊的 DRAM。半導體設施也在擴建，重點關注先進 DRAM，例如 10 納米第四代 (1a) 和第五代 (1b)。

SK海力士相信，它可以利用內(nèi)部現(xiàn)金資源輕松應對這項投資。截至9月底，該公司的現(xiàn)金和現(xiàn)金等價物高達8.53萬億韓元（65億美元）。9月底的負債率為84.8%，處于適度水平。此外，如果需要，還有進一步借款的空間。

現(xiàn)金流表現(xiàn)也出現(xiàn)改善。盡管今年第三季度出現(xiàn)經(jīng)營虧損，SK海力士報告同期的息稅折舊攤銷前利潤（EBITDA）為1.54萬億韓元（11.7億美元）。EBITDA是反映實際現(xiàn)金流量的指標，不包括折舊費用，僅在紙面上核算。

隨著DRAM價格的反彈，預計SK海力士明年將扭虧為盈。根據(jù)市場研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)，10月份DRAM固定合約價格環(huán)比上漲15.4%，達到1.50美元。這標志著DRAM價格自2021年7月以來兩年零三個月以來首次出現(xiàn)上漲趨勢。SK海力士明年營業(yè)利潤的共識預計為8.44萬億韓元。