2D芯片設(shè)計(jì)中通常為二階或三階的效應(yīng)，在Multi-Die系統(tǒng)中升級(jí)為主要效應(yīng)?？紤]到此類復(fù)雜架構(gòu)中存在許多相互依賴關(guān)系，上述現(xiàn)象并不奇怪。例如，一個(gè)裸片的散熱可能會(huì)影響其旁邊組件乃至整個(gè)系統(tǒng)的性能。此外，由于散熱變得更加困難，3D設(shè)計(jì)中的熱和功率傳輸問(wèn)題會(huì)更加嚴(yán)重。類似地，來(lái)自一個(gè)小芯片的信號(hào)完整性問(wèn)題（串?dāng)_和電磁干擾等）可能會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)。諸如此類的大量多物理場(chǎng)效應(yīng)會(huì)妨礙Multi-Die系統(tǒng)的性能。

從單片式SoC轉(zhuǎn)變到Multi-Die系統(tǒng)，需要考慮許多新的因素。在Multi-Die這個(gè)新領(lǐng)域，開(kāi)發(fā)者無(wú)法將封裝或單個(gè)裸片在整個(gè)系統(tǒng)中分開(kāi)看待。為了獲得理想的系統(tǒng)并加速流程收斂，從技術(shù)到裸片和封裝，都必須著眼于整個(gè)系統(tǒng)，而且要在緊密集成的多目標(biāo)分析的指導(dǎo)下進(jìn)行協(xié)同優(yōu)化。我們將這種密切配合的方法稱為系統(tǒng)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（STCO）。

STCO最好從構(gòu)思系統(tǒng)之初就開(kāi)始進(jìn)行。從可行性研究和架構(gòu)規(guī)劃，到實(shí)現(xiàn)和簽核，將多物理場(chǎng)效應(yīng)考慮在內(nèi)的裸片/封裝全面協(xié)同設(shè)計(jì)方法對(duì)于設(shè)計(jì)成功至關(guān)重要。我們將在下文中進(jìn)一步介紹協(xié)同設(shè)計(jì)和協(xié)同優(yōu)化的重要性。

多個(gè)裸片的集成會(huì)形成相互依賴關(guān)系

為了滿足高性能計(jì)算（HPC）和人工智能（AI）等工作負(fù)載密集型應(yīng)用對(duì)性能、功耗和面積（PPA）的要求，市場(chǎng)對(duì)Multi-Die系統(tǒng)的需求日益增長(zhǎng)。Multi-Die系統(tǒng)在單個(gè)封裝中集成了多個(gè)包含不同類型電路的裸片，這是一種加速系統(tǒng)功能擴(kuò)展的有效方法。有了關(guān)鍵性能指標(biāo)（KPI），開(kāi)發(fā)者就可以相應(yīng)地規(guī)劃具體的系統(tǒng)和組件。

單片式SoC中雖然也存在多物理場(chǎng)效應(yīng)，但通常可以預(yù)先建模和分析，并通過(guò)設(shè)計(jì)調(diào)整來(lái)解決。而對(duì)于Multi-Die系統(tǒng)，這些效應(yīng)不加以解決的話，會(huì)對(duì)整個(gè)系統(tǒng)造成更大的損害。

例如：

由于眾多裸片通過(guò)Die-to-Die接口相互通信，系統(tǒng)變得更容易受到電磁干擾（EMI）和串?dāng)_等信號(hào)完整性問(wèn)題的影響

散熱問(wèn)題上升為最主要的問(wèn)題，因?yàn)橄到y(tǒng)中的所有裸片以及它們之間的互連都可能會(huì)積聚熱量，從而影響系統(tǒng)的性能和/或時(shí)序

系統(tǒng)配電網(wǎng)絡(luò)一方面要減輕EMI等影響，另一方面要提供整個(gè)芯片系統(tǒng)所需的電力，因此其魯棒性至關(guān)重要

芯片制造、組裝和封裝產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力會(huì)影響系統(tǒng)的電氣性能

系統(tǒng)各個(gè)裸片的工藝變化會(huì)影響系統(tǒng)性能

為了解決這些效應(yīng)和影響，開(kāi)發(fā)者必須在Multi-Die系統(tǒng)的背景下進(jìn)行系統(tǒng)分析，檢查所有物理方面和相互作用，以驗(yàn)證和優(yōu)化系統(tǒng)。從電氣和熱效應(yīng)到結(jié)構(gòu)力學(xué)，多種屬性必須一起進(jìn)行仿真，以識(shí)別系統(tǒng)層面的電源和信號(hào)完整性影響。為此，需要用到統(tǒng)一的STCO解決方案，以提供全面的設(shè)計(jì)收斂，使每立方毫米的PPA達(dá)到最優(yōu)水平。

盡早了解設(shè)計(jì)權(quán)衡

STCO開(kāi)始于開(kāi)發(fā)者設(shè)計(jì)規(guī)劃架構(gòu)之初。在團(tuán)隊(duì)確定系統(tǒng)的組件以及應(yīng)當(dāng)如何對(duì)所有組件進(jìn)行分區(qū)時(shí)，團(tuán)隊(duì)需要能夠進(jìn)行假設(shè)分析以了解設(shè)計(jì)權(quán)衡。當(dāng)轉(zhuǎn)向?qū)崿F(xiàn)時(shí)，架構(gòu)的粒度越細(xì)，設(shè)計(jì)收斂到簽核的過(guò)程就越順利。在早期設(shè)計(jì)階段，可獲得的信息有限；但是，系統(tǒng)原型設(shè)計(jì)有助于回答以下幾個(gè)問(wèn)題：需要多少個(gè)裸片？裸片應(yīng)該如何堆疊？系統(tǒng)中新舊節(jié)點(diǎn)混用有哪些利弊？配電網(wǎng)絡(luò)應(yīng)該如何設(shè)計(jì)？可能會(huì)出現(xiàn)什么樣的散熱問(wèn)題？當(dāng)團(tuán)隊(duì)得到一個(gè)滿足要求的架構(gòu)時(shí)，便可從可行性研究中獲取輸出，并轉(zhuǎn)入系統(tǒng)規(guī)劃和原型構(gòu)建。

新思科技Multi-Die系統(tǒng)解決方案為實(shí)現(xiàn)快速的2.5D和3D異構(gòu)集成提供了一個(gè)綜合平臺(tái)以支持STCO方法，幫助回答上述的假設(shè)分析問(wèn)題。該解決方案通過(guò)以下兩個(gè)關(guān)鍵組成部分解決多物理場(chǎng)效應(yīng)：

新思科技3DIC Compiler Multi-Die/封裝協(xié)同設(shè)計(jì)和協(xié)同優(yōu)化平臺(tái)，提供建模功能和相關(guān)數(shù)據(jù)點(diǎn)，可指導(dǎo)開(kāi)發(fā)系統(tǒng)版圖規(guī)劃以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)PPA。3DIC Compiler基于新思科技數(shù)字設(shè)計(jì)系列的Fusion標(biāo)準(zhǔn)單數(shù)據(jù)模型構(gòu)建，提供一個(gè)完整的架構(gòu)到簽核平臺(tái)。

設(shè)計(jì)分析和簽核技術(shù)，解決靜態(tài)時(shí)序、信號(hào)完整性、電源完整性、散熱、寄生效應(yīng)和電遷移/IR壓降問(wèn)題。3DIC Compiler和新思科技簽核解決方案與Ansys RedHawk-SC電熱多物理場(chǎng)技術(shù)相集成，為2.5D/3D Multi-Die系統(tǒng)提供多物理場(chǎng)電源完整性、信號(hào)完整性、熱完整性和機(jī)械應(yīng)力仿真與分析。

由于Multi-Die系統(tǒng)解決方案的各組成部分緊密集成，開(kāi)發(fā)者可以及早發(fā)現(xiàn)并解決問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)更高的良率。不同的工具可以用于各個(gè)方面的分析，但如果這些工具銜接得不好，就可能會(huì)錯(cuò)過(guò)重要的“危險(xiǎn)信號(hào)”，導(dǎo)致開(kāi)發(fā)者可能不得不在接近流片時(shí)才發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，此時(shí)再解決問(wèn)題所花費(fèi)的成本要高得多。新思科技不斷評(píng)估新出現(xiàn)的Multi-Die系統(tǒng)效應(yīng)，并相應(yīng)地增強(qiáng)旗下的解決方案。

總結(jié)

在Multi-Die系統(tǒng)中，開(kāi)發(fā)者必須從系統(tǒng)的角度解決多物理場(chǎng)效應(yīng)，設(shè)計(jì)和優(yōu)化過(guò)程要考慮所有相互依賴關(guān)系。通過(guò)運(yùn)用系統(tǒng)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化方法，并結(jié)合集成的可擴(kuò)展協(xié)同設(shè)計(jì)、分析和簽核解決方案，開(kāi)發(fā)者將能夠更高效地實(shí)現(xiàn)Multi-Die系統(tǒng)的PPA目標(biāo)。

審核編輯：劉清