據(jù)DIGITIMES研究中心最新發(fā)布的《AI芯片特別報(bào)告》顯示，在AI芯片需求激增的推動(dòng)下，先進(jìn)封裝技術(shù)的成長(zhǎng)勢(shì)頭已超越先進(jìn)制程，成為半導(dǎo)體行業(yè)的新焦點(diǎn)。特別是臺(tái)積電（TSMC）的CoWoS封裝技術(shù)，因其對(duì)AI芯片的高度適配性，預(yù)計(jì)將在2023至2028年間實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能擴(kuò)充的年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）超過(guò)50%，這一數(shù)字遠(yuǎn)超行業(yè)平均水平。

報(bào)告指出，隨著AI應(yīng)用的不斷深化，對(duì)芯片性能與出貨量的要求日益提升，晶圓代工業(yè)者正加速布局先進(jìn)制程與封裝技術(shù)的雙重升級(jí)。其中，臺(tái)積電作為行業(yè)領(lǐng)頭羊，不僅在5納米及以下先進(jìn)制程領(lǐng)域持續(xù)擴(kuò)張，其CoWoS封裝技術(shù)更是成為AI芯片制造商的首選。這一技術(shù)通過(guò)優(yōu)化芯片間的互連方式，顯著提升了AI芯片的數(shù)據(jù)處理速度與能效比，滿足了市場(chǎng)對(duì)高性能AI解決方案的迫切需求。

分析師陳澤嘉強(qiáng)調(diào)，為了應(yīng)對(duì)AI芯片市場(chǎng)的快速發(fā)展，晶圓代工業(yè)者正積極探索并應(yīng)用包括微影技術(shù)、新晶體管結(jié)構(gòu)、背后供電技術(shù)（BSPDN）、2.5D/3D先進(jìn)封裝、玻璃載板、共同封裝光學(xué)（CPO）以及硅光子整合等一系列創(chuàng)新技術(shù)。這些技術(shù)的融合應(yīng)用，將進(jìn)一步推動(dòng)AI芯片性能與產(chǎn)能的雙重飛躍，為半導(dǎo)體行業(yè)的未來(lái)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。