91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

派恩杰推出突破性SiC HPD模塊系列

派恩杰半導(dǎo)體 ? 來源:派恩杰半導(dǎo)體 ? 2025-04-17 14:58 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

技術(shù)革新驅(qū)動(dòng)新能源汽車行業(yè)升級

在新能源汽車高速發(fā)展的浪潮中,主驅(qū)逆變器作為電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心部件,直接影響整車的動(dòng)力性能和能效比。而碳化硅(SiC)功率模塊憑借其高效率、低損耗、高耐溫等特性,正在逐步取代傳統(tǒng)硅基解決方案。

為滿足更高功率密度、更高可靠性和更低系統(tǒng)成本的需求,派恩杰推出了SiC HPD模塊系列。派恩杰芯片具有較小的RDSON溫漂特性,在其6并聯(lián)的布局設(shè)計(jì),與傳統(tǒng)的8并聯(lián)競品方案實(shí)現(xiàn)了相近的功率密度,帶來更高效、更可靠的逆變器解決方案。

派恩杰6并聯(lián)產(chǎn)品 VS 傳統(tǒng)8并聯(lián)競品

損耗對比分析

在新能源汽車應(yīng)用中,功率模塊往往需要在高溫、高負(fù)載的工況下長期穩(wěn)定運(yùn)行。然而,許多傳統(tǒng)SiC模塊在高溫環(huán)境下導(dǎo)通電阻漂移增大,致使有效電流衰減嚴(yán)重,導(dǎo)致整體功率輸出下降。而派恩杰的獨(dú)特芯片設(shè)計(jì),使得芯片的導(dǎo)通電阻受溫度影響較小,可以有效抑制實(shí)際高溫工況下的功率輸出衰減。

wKgZO2gAp7iASZGZAAE9v6NR3jE718.png

6并聯(lián) VS 8并聯(lián),功率損耗幾乎相當(dāng)

在850V10kHz水溫60C的測試中,派恩杰PAAC12450CM(6并聯(lián))與競品(8并聯(lián))的損耗曲線幾乎重合,表現(xiàn)出相近的功率轉(zhuǎn)換效率。

wKgZPGgAp-GACfGPAAFLwz0JhII445.png

通過熱成像攝像在電抗臺(tái)架測試中監(jiān)控芯片結(jié)溫變化,在最高結(jié)溫小于138C的情況下,就具有400Arms的有效電流,而這還遠(yuǎn)未到碳化硅(SiC)功率模塊的使用極限。

wKgZPGgAp--AZCRUAAKvlByIzzw738.png

究其原由,這是因?yàn)镻AAC12450CM使用的芯片在高溫下導(dǎo)通電阻漂移很小,在實(shí)際工況環(huán)境下的有效功率更高,而這意味著:

可以在更嚴(yán)苛的工況條件下運(yùn)行,可靠性更高。

更少的芯片數(shù)量意味著允許設(shè)計(jì)更緊湊的封裝結(jié)構(gòu),具備容納更高功率密度的設(shè)計(jì)空間。

在實(shí)際工況下,PAAC12450CM的功率輸出更穩(wěn)定,不會(huì)因高溫環(huán)境導(dǎo)致大幅降額,能夠支持逆變器在極端工況下依然能夠高效工作。

高效散熱能力進(jìn)一步增強(qiáng)了功率模塊的使用壽命,降低了溫度對模塊的老化效應(yīng)。

wKgZO2gAqEaAfdbCAAHdQbP-Png081.png

HPD優(yōu)化設(shè)計(jì)

更好的均流、更低寄生電感

PAAC12450CM采用了高度優(yōu)化的HPD布局設(shè)計(jì),從電流均流和寄生電感兩方面提升整體性能:

更優(yōu)均流效果:模塊內(nèi)部的芯片均流優(yōu)化設(shè)計(jì),有效降低了單個(gè)芯片的電流偏差,確保每個(gè)并聯(lián)的SiC芯片在高功率負(fù)載下均衡工作,從而減少局部過熱,避免“木桶效應(yīng)”排除短板,提升模塊壽命。

更低寄生電感:在高頻運(yùn)行時(shí),寄生電感會(huì)導(dǎo)致電壓尖峰,影響系統(tǒng)穩(wěn)定性。PAAC12450CM的優(yōu)化布局降低了寄生電感,從而減少開關(guān)損耗,提升轉(zhuǎn)換效率,提高整體可靠性。

與競品相比,PAAC12450CM通過先進(jìn)的HPD優(yōu)化設(shè)計(jì),為新能源汽車制造商提供更可靠的選擇。

未來展望

下一代SiCHPD模塊即將發(fā)布

PAAC12450CM僅僅是派恩杰目前的產(chǎn)品,我們的技術(shù)創(chuàng)新仍在不斷前進(jìn)。我們即將推出下一代SiCHPD模塊,在同樣的6并聯(lián)架構(gòu)下,電流能力將從450A提升至600A,進(jìn)一步推動(dòng)功率密度的極限,為新能源汽車提供更強(qiáng)勁、更高效的動(dòng)力轉(zhuǎn)換方案。

這一升級將帶來:

更高的電流承載能力,支持更大功率的主驅(qū)逆變器應(yīng)用。

進(jìn)一步優(yōu)化的散熱管理,確保在極端工況下依然高效運(yùn)行。

更緊湊的模塊設(shè)計(jì),進(jìn)一步降低整車系統(tǒng)的重量和體積。

面對新能源汽車市場的快速增長,整車廠商和Tier1供應(yīng)商需要更高效、更可靠、更緊湊的功率模塊。PAAC12450CM以突破性的創(chuàng)新,助力客戶打造更先進(jìn)的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),共同推動(dòng)新能源汽車產(chǎn)業(yè)邁向更高效、更可持續(xù)的未來。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 逆變器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    304

    文章

    5171

    瀏覽量

    216758
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3739

    瀏覽量

    69487
  • 功率模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    662

    瀏覽量

    46938
  • 派恩杰
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    40

    瀏覽量

    3574

原文標(biāo)題:派恩杰突破性SiC HPD模塊設(shè)計(jì),引領(lǐng)主驅(qū)逆變器更小,更輕,更降本!

文章出處:【微信號(hào):派恩杰半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):派恩杰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    SiC DCM半橋模塊產(chǎn)品優(yōu)勢介紹

    DCM模塊的底層優(yōu)勢在于芯片設(shè)計(jì)與封裝工藝的深度協(xié)同,作為國內(nèi)少數(shù)擁有全套“銀燒結(jié)+DTS雙面散熱”技術(shù)的公司,其自主設(shè)計(jì)的超低寄生電感架構(gòu),將雜散電感降低至行業(yè)領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn),確保
    的頭像 發(fā)表于 12-08 09:12 ?895次閱讀
    <b class='flag-5'>派</b><b class='flag-5'>恩</b><b class='flag-5'>杰</b><b class='flag-5'>SiC</b> DCM半橋<b class='flag-5'>模塊</b>產(chǎn)品優(yōu)勢介紹

    破局SiC高頻寄生電感難題,推出嵌入式封裝方案

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 嵌入式封裝,在當(dāng)前功率模塊正在往更高功率密度,更高效率的趨勢下,成為了行業(yè)內(nèi)一個(gè)重要的技術(shù)趨勢。近期國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商也基于嵌入式封裝技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 11-15 00:16 ?8327次閱讀
    破局<b class='flag-5'>SiC</b>高頻寄生電感難題,<b class='flag-5'>派</b><b class='flag-5'>恩</b><b class='flag-5'>杰</b><b class='flag-5'>推出</b>嵌入式封裝方案

    Easy 3B碳化硅模塊的應(yīng)用場景

    Easy 3B 碳化硅模塊基于第三代半導(dǎo)體材料特性,具有高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度,在高壓性能、功率密度、散熱效率及兼容
    的頭像 發(fā)表于 10-09 18:11 ?1357次閱讀

    碳化硅產(chǎn)品斬獲歐洲頭部車企訂單

    的廣泛應(yīng)用。 此次獲得歐洲頭部車企的量產(chǎn)訂單,主要得益于碳化硅產(chǎn)品在性能與可靠方面的卓越表現(xiàn)。實(shí)際應(yīng)用在空壓機(jī)的 T7 系列
    的頭像 發(fā)表于 09-10 17:32 ?1348次閱讀

    第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢

    1200V SiC MOSFET是推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠
    的頭像 發(fā)表于 09-03 11:29 ?1232次閱讀

    第三代半導(dǎo)體功率器件企業(yè)獲“2025尋找寧波最具投資價(jià)值企業(yè)”最具潛力獎(jiǎng)!

    ,最終評選出四大領(lǐng)域榮譽(yù)。憑借深厚的技術(shù)積累、巨大的市場潛力以及卓越的創(chuàng)新實(shí)力,半導(dǎo)體在本次評選中榮幸獲得“2025尋找寧波最具投資價(jià)值企業(yè)”最具潛力獎(jiǎng)。 于2024年落戶寧波·前灣新區(qū)的
    的頭像 發(fā)表于 08-19 18:36 ?1558次閱讀

    第四代碳化硅產(chǎn)品在AI基建的應(yīng)用

    在 AI 基建中,碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性,成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸” 矛盾的核心材料。從數(shù)據(jù)中心的電源系統(tǒng)到邊緣 AI 設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行,
    的頭像 發(fā)表于 08-18 15:56 ?1486次閱讀

    森國科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

    碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國科,推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一
    的頭像 發(fā)表于 08-16 13:50 ?3723次閱讀
    森國科<b class='flag-5'>推出</b>SOT227封裝碳化硅功率<b class='flag-5'>模塊</b>

    發(fā)布第四代SiC MOSFET系列產(chǎn)品

    近日,半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電
    的頭像 發(fā)表于 08-05 15:19 ?1551次閱讀
    <b class='flag-5'>派</b><b class='flag-5'>恩</b><b class='flag-5'>杰</b>發(fā)布第四代<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET<b class='flag-5'>系列</b>產(chǎn)品

    3300V MOSFET晶圓的應(yīng)用場景

    3300V MOSFET晶圓,專為高耐壓場景設(shè)計(jì)的第三代半導(dǎo)體功率器件核心材料,基于4H-SiC晶圓,擊穿電壓達(dá)3300V以上,相比于傳統(tǒng)硅基器件(如IGBT),它在高壓、高溫、
    的頭像 發(fā)表于 08-01 10:20 ?1520次閱讀

    深愛半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

    SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列!我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù),賦能客戶在三大核心維度實(shí)現(xiàn)飛躍
    發(fā)表于 07-23 14:36

    半導(dǎo)體SNEC 2025圓滿收官

    近日,全球最具影響力的國際化、專業(yè)化、規(guī)?;夥?huì)“SNEC第十八屆國際太陽能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)”圓滿閉幕。半導(dǎo)體在【6.1H館 A155展位】重磅開展了新品發(fā)布、技術(shù)沙龍以及光伏客戶方案的系統(tǒng)分享會(huì),持續(xù)掀動(dòng)展
    的頭像 發(fā)表于 06-17 14:14 ?1064次閱讀

    突破性能邊界:基本半導(dǎo)體B3M010C075Z SiC MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用前景

    突破性能邊界:基本半導(dǎo)體B3M010C075Z SiC MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用前景 ? ? ? ? 在高效能電力電子系統(tǒng)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其顛覆的物
    的頭像 發(fā)表于 06-16 15:20 ?914次閱讀
    <b class='flag-5'>突破性</b>能邊界:基本半導(dǎo)體B3M010C075Z <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用前景

    推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級碳化硅模塊產(chǎn)品

    3月28日,在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會(huì)——汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)展覽會(huì)圓滿落幕,本次會(huì)上,展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級碳化硅模塊產(chǎn)品,吸引了新能源汽
    的頭像 發(fā)表于 03-29 09:10 ?1897次閱讀

    半導(dǎo)體1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊 內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠

    半導(dǎo)體上新 ;1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊,內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠!
    的頭像 發(fā)表于 03-24 10:11 ?4646次閱讀
    <b class='flag-5'>派</b><b class='flag-5'>恩</b><b class='flag-5'>杰</b>半導(dǎo)體1200V 400A<b class='flag-5'>系列</b>半橋62mm封裝<b class='flag-5'>模塊</b> 內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠<b class='flag-5'>性</b>