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TPSM843620E:高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的詳細(xì)解析

lhl545545 ? 2026-03-03 09:40 ? 次閱讀
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TPSM843620E:高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的詳細(xì)解析

在電子設(shè)計領(lǐng)域,電源模塊的性能直接影響著整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。今天,我們就來深入探討一款高性能的同步降壓轉(zhuǎn)換器——TPSM843620E。

文件下載:tpsm843620e.pdf

一、產(chǎn)品概述

TPSM843620E是一款高度集成的同步降壓DC - DC轉(zhuǎn)換器,采用MicroSiP電源模塊封裝,具有諸多出色的特性,適用于多種應(yīng)用場景。它的輸入電壓范圍為4V至18V,輸出電壓范圍為0.5V至5.5V,能夠提供高達(dá)6A的輸出電流,最大工作結(jié)溫可達(dá)125°C,非常適合高環(huán)境溫度的應(yīng)用,如無線基礎(chǔ)設(shè)施、有線通信設(shè)備、光學(xué)模塊、測試測量、醫(yī)療保健以及航空航天和國防等領(lǐng)域。

二、產(chǎn)品特性亮點

(一)先進(jìn)的控制模式

采用固定頻率、內(nèi)部補償?shù)南冗M(jìn)電流模式(ACM)控制。ACM是一種模擬峰值電流控制拓?fù)洌瑹o需復(fù)雜的外部補償設(shè)計就能支持穩(wěn)定的靜態(tài)和瞬態(tài)操作。其內(nèi)部斜坡生成網(wǎng)絡(luò)模擬電感電流信息,可使用低ESR輸出電容器,如多層陶瓷電容器(MLCC),同時內(nèi)部斜坡還能提供高信噪比,增強抗噪能力。此外,它還有三種斜坡選項,只需一個連接到AGND的電阻,就能針對不同的電感和輸出電容組合優(yōu)化內(nèi)部環(huán)路。

(二)靈活的參數(shù)選擇

  1. 開關(guān)頻率:提供五種可選的開關(guān)頻率,分別為500kHz、750kHz、1MHz、1.5MHz和2.2MHz,可通過連接在SYNC/FSEL引腳和AGND之間的電阻進(jìn)行選擇,還能同步到外部時鐘。
  2. 軟啟動時間:有0.5ms、1ms、2ms和4ms四種軟啟動時間可選,通過MODE引腳連接到AGND的電阻進(jìn)行設(shè)置,能有效減少啟動時的浪涌電流。
  3. 電流限制:可選擇高、低兩種電流限制設(shè)置,以支持不同的電流操作需求。

(三)豐富的保護功能

具備輸出過壓、輸出欠壓、輸入欠壓、過流和過溫保護功能,確保在各種異常情況下設(shè)備的安全運行。例如,在過流事件中,會進(jìn)行逐周期電流限制,在持續(xù)過流時進(jìn)入打嗝模式;當(dāng)芯片溫度超過165°C時,設(shè)備會關(guān)閉,溫度下降到滯后水平后重新啟動。

(四)小尺寸封裝

采用3.5mm × 3.5mm × 1.6mm的15引腳DFM封裝MicroSiP電源模塊,集成了25mΩ和6.5mΩ的MOSFET、電感和基本無源元件,大大減小了電路板空間。

三、引腳配置與功能

TPSM843620E的引腳配置清晰,每個引腳都有特定的功能:

  • FB引腳:用于輸出電壓調(diào)節(jié)的反饋引腳,通過連接到電阻分壓器的中點來設(shè)置輸出電壓。
  • AGND引腳:內(nèi)部模擬電路的接地返回端。
  • BP5引腳:內(nèi)部5V穩(wěn)壓器輸出,需用2.2μF電容旁路到AGND。
  • PG引腳:開漏電源良好指示器。
  • MODE引腳:通過連接到地的電阻選擇電流限制、軟啟動速率和PWM斜坡幅度。
  • EN引腳:使能引腳,可浮空使能,也可通過外部信號進(jìn)行使能和禁用,還能通過電阻分壓器調(diào)整輸入欠壓鎖定。
  • PGND引腳:功率級的接地返回端,內(nèi)部連接到低端MOSFET的源極。
  • VIN引腳:功率級的輸入電源,需對這些引腳到PGND進(jìn)行低阻抗旁路,靠近IC處需連接47nF至100nF的電容。
  • SW引腳:模塊的開關(guān)節(jié)點,僅用于監(jiān)測。
  • BOOT引腳:內(nèi)部高端MOSFET柵極驅(qū)動器的電源,由于連接到SW引腳的電容已集成,此引腳僅用于監(jiān)測。
  • SYNC/FSEL引腳:頻率選擇和外部時鐘同步引腳,通過連接到地的電阻設(shè)置設(shè)備的開關(guān)頻率,也可施加外部時鐘進(jìn)行同步。
  • VOUT引腳:降壓輸出電壓,需連接輸出電容到該節(jié)點。
  • PAD/PGND引腳:連接到PGND的散熱焊盤。

四、電氣特性

(一)絕對最大額定值

明確了輸入電壓、輸出電壓、工作結(jié)溫、存儲溫度等參數(shù)的最大和最小值,超出這些范圍可能會導(dǎo)致設(shè)備永久性損壞。例如,輸入電壓VIN的范圍為 - 0.3V至20V,工作結(jié)溫范圍為 - 55°C至125°C。

(二)ESD額定值

人體模型(HBM)靜電放電為±2000V,帶電設(shè)備模型(CDM)為±500V,在使用和處理過程中需注意靜電防護。

(三)推薦工作條件

輸入電壓范圍為4V至18V,輸出電壓范圍為0.5V至5.5V,輸出電流最大為6A,外部時鐘頻率范圍為400kHz至2600kHz。

(四)熱信息

結(jié)到環(huán)境的熱阻RθJA為31.2°C/W,結(jié)到電路板的表征參數(shù)ψJB為8.99°C/W,有助于進(jìn)行散熱設(shè)計。

(五)電氣特性參數(shù)

涵蓋了VIN工作非開關(guān)電源電流、VIN關(guān)斷電源電流、VIN欠壓鎖定閾值、使能和欠壓鎖定相關(guān)參數(shù)、內(nèi)部LDO BP5輸出電壓、參考電壓、開關(guān)頻率、同步、軟啟動、功率級、電流感測和過流保護、輸出過壓和欠壓保護、電源良好、打嗝、輸出放電、熱關(guān)斷等多項參數(shù),為電路設(shè)計提供了詳細(xì)的參考。

五、詳細(xì)工作原理

(一)啟動序列

當(dāng)EN引腳電壓超過閾值電壓且VIN引腳電壓超過VIN UVLO閾值時,設(shè)備開始啟動序列。首先,BP5 LDO啟用并對外部BP5電容充電,BP5引腳電壓超過UVLO閾值后,進(jìn)入約600μs的上電延遲,期間確定MODE引腳和SYNC/FSEL引腳的引腳電阻值并初始化控制回路,上電延遲結(jié)束后開始軟啟動。

(二)輸出電壓調(diào)整

通過從輸出(Vout)到FB引腳的電阻分壓器來編程輸出電壓,推薦使用1%公差或更好的分壓電阻。

(三)開關(guān)頻率選擇與同步

開關(guān)頻率可通過連接在SYNC/FSEL引腳和AGND之間的電阻進(jìn)行選擇,也可同步到外部時鐘。當(dāng)外部時鐘存在時,設(shè)備將開關(guān)頻率同步到時鐘;時鐘丟失時,設(shè)備默認(rèn)使用內(nèi)部PWM振蕩器頻率。

(四)斜坡幅度選擇

通過MODE引腳連接到AGND的電阻選擇三種不同的斜坡電容值(1pF、2pF和4pF),較大的斜坡電容會導(dǎo)致較小的斜坡幅度和更高的控制回路帶寬。

(五)軟啟動和預(yù)偏置輸出啟動

啟動時,設(shè)備會軟斜坡參考電壓以減少浪涌電流,有四種軟啟動時間可選。在預(yù)偏置輸出條件下,設(shè)備在啟動的前16個周期以不連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)運行,防止輸出放電,確保輸出電壓在軟啟動期間平滑單調(diào)。

(六)電流保護

包括正電感電流保護和負(fù)電感電流保護。正電感電流保護通過對高端和低端MOSFET進(jìn)行逐周期電流限制,在持續(xù)過流時進(jìn)入打嗝模式;負(fù)電感電流保護在低端MOSFET導(dǎo)通時檢測負(fù)電流,超過閾值時立即關(guān)閉低端MOSFET。

(七)輸出過壓和欠壓保護

檢測到過壓時,設(shè)備嘗試將輸出電壓放電到安全水平后重新啟動;檢測到欠壓時,設(shè)備進(jìn)入打嗝模式,等待七個軟啟動周期后重新啟動。

(八)過溫保護

當(dāng)芯片溫度超過165°C時,設(shè)備關(guān)閉,溫度下降到滯后水平(通常為12°C)后重新啟動。

(九)輸出電壓放電

在故障條件下,高側(cè)FET和低側(cè)FET禁用時,輸出電壓放電模式啟用,通過打開從SW到PGND的放電FET來放電輸出電壓。

六、應(yīng)用與設(shè)計實例

(一)典型應(yīng)用電路

以12V輸入、1.0V輸出、1MHz的應(yīng)用為例,詳細(xì)介紹了設(shè)計過程:

  1. 開關(guān)頻率選擇:考慮設(shè)計尺寸和效率,選擇1000kHz的開關(guān)頻率,通過11.8kΩ的FSEL電阻設(shè)置。同時要考慮最小導(dǎo)通時間和最小關(guān)斷時間對開關(guān)頻率的限制。
  2. 輸出電感選擇:模塊內(nèi)部集成了優(yōu)化的470nF電感。
  3. 輸出電容選擇:根據(jù)輸出電壓紋波和負(fù)載電流變化響應(yīng)等因素選擇輸出電容值。需考慮負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)、電感電流斜率限制、輸出電壓紋波規(guī)范以及控制回路穩(wěn)定性等要求。最終選擇了一個47μF和三個100μF的陶瓷電容并聯(lián),以滿足設(shè)計需求。
  4. 輸入電容選擇:使用X5R、X7R等類型的陶瓷電容從VIN到PGND進(jìn)行輸入去耦,靠近IC放置,總電容至少10μF,部分應(yīng)用可能需要大容量電容。
  5. 可調(diào)欠壓鎖定:通過外部電壓分壓器網(wǎng)絡(luò)調(diào)整欠壓鎖定閾值,設(shè)置啟動和停止電壓。
  6. 輸出電壓電阻選擇:使用1%公差或更好的電阻組成電阻分壓器設(shè)置輸出電壓。
  7. 其他元件選擇:包括集成的0.1uF自舉電容、2.2μF的BP5電容、10kΩ的PGOOD上拉電阻等。
  8. 電流限制和軟啟動時間選擇:根據(jù)負(fù)載需求選擇合適的電流限制和軟啟動時間。
  9. 斜坡選擇和控制回路穩(wěn)定性:通過MODE引腳選擇合適的斜坡設(shè)置,使用前饋電容改善瞬態(tài)響應(yīng),同時要注意增益裕度和噪聲影響。

(二)布局指南

布局對于電源設(shè)計至關(guān)重要,需要遵循以下關(guān)鍵準(zhǔn)則:

  1. 盡量加寬VIN、PGND和SW走線,以降低走線阻抗并改善散熱。
  2. 在VIN引腳到PGND之間靠近設(shè)備放置10nF至100nF的電容,并將剩余的陶瓷輸入電容放置在高頻旁路電容旁邊。
  3. 剩余的輸入電容可放置在電路板另一側(cè),但要使用盡可能多的過孔以最小化電容和IC引腳之間的阻抗。
  4. 在PGND引腳附近使用多個過孔,并通過設(shè)備正下方的層將它們連接在一起,以減少噪聲并幫助散熱。
  5. 在VIN引腳附近使用過孔,并通過內(nèi)部層提供低阻抗連接。
  6. 將BP5電容盡可能靠近BP5和AGND引腳放置。
  7. 將FB分壓器的底部電阻盡可能靠近IC的FB和AGND引腳放置,并保持上反饋電阻和前饋電容靠近IC。
  8. 在AGND島中使用多個過孔連接回內(nèi)部PGND層,但不要在BP5電容和AGND引腳之間放置過孔。
  9. 將FSEL和MODE電阻連接到安靜的AGND島。

七、總結(jié)

TPSM843620E憑借其先進(jìn)的控制模式、靈活的參數(shù)選擇、豐富的保護功能和小尺寸封裝,為電子工程師提供了一個高性能、易于使用的電源解決方案。在實際應(yīng)用中,我們需要根據(jù)具體需求合理選擇參數(shù)和元件,同時注意布局和散熱設(shè)計,以確保設(shè)備的穩(wěn)定運行。你在使用類似電源模塊時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

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