芯塔電子最新推出650V/380mΩ多封裝SiC MOSFET。為工業(yè)與消費電子應(yīng)用提供高性能解決方案。該系列產(chǎn)品導(dǎo)通電阻典型值僅為316mΩ，兼具高耐壓、低損耗與高頻開關(guān)特性，適用于工業(yè)電源、電動汽車充電、服務(wù)器電源、光儲逆變器及UPS等多種場景。

新品提供三種封裝選擇，滿足不同應(yīng)用場景的安裝與散熱需求：TM3G0380065N采用DFN5*6封裝，適用于高功率密度設(shè)計；TM3G0380065E采用TO-252-2封裝，具有良好的散熱性和焊接可靠性；TM3G0380065F則采用TO-220F-3封裝，適合中大功率場景，支持更高的連續(xù)電流輸出。三款產(chǎn)品均支持-55℃至+175℃的工作溫度范圍，且符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

電氣性能方面，該系列在25℃時連續(xù)漏極電流達(dá)12A（TO-220F-3）或13A（DFN5 * 6），柵極電荷量低至8.7nC，可顯著降低開關(guān)損耗。其體二極管反向恢復(fù)時間僅9ns，能有效減少高頻應(yīng)用中的電壓振蕩。動態(tài)特性測試顯示，在400V/4A條件下開關(guān)延遲時間不足20ns，配合優(yōu)化的熱阻參數(shù)，大幅降低了系統(tǒng)散熱需求。

該系列產(chǎn)品在高溫環(huán)境下表現(xiàn)穩(wěn)定，175℃時仍保持優(yōu)良的導(dǎo)通特性。柵極閾值電壓典型值為3.6V，支持-4V至+18V的寬電壓驅(qū)動范圍，內(nèi)置保護(hù)功能提升了系統(tǒng)可靠性。測試數(shù)據(jù)表明，產(chǎn)品在不同溫度條件下均呈現(xiàn)穩(wěn)定的輸出特性，適合嚴(yán)苛工況下的長期運行。

該產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)供貨，歡迎登錄芯塔電子官網(wǎng)www.topelectronics.cn或致函芯塔電子銷售郵箱sale.topelectronics.cn獲取詳細(xì)技術(shù)資料和樣品支持。