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• 臺階儀在納米薄膜工藝監(jiān)控：基于三臺階標準的高精度厚度與沉積速率測定2026-01-09 18:03

  

  納米尺度測量通常依賴具有納米特征的標準樣品進行儀器校準。目前常見標準樣品多為單臺階結(jié)構(gòu)，由于儀器非線性，需使用不同高度值進行多次校準。多臺階標準樣品可減少探針重復定位，提升校準效率。原子力顯微鏡與臺階儀是納米結(jié)構(gòu)測量的常用設(shè)備，后者具有更大掃描范圍且對樣品污染不敏感，但噪聲較大且易受環(huán)境振動影響。光譜橢偏儀等方法可用于測量薄膜沉積速率，但其結(jié)果受材料特性與模

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• 橢偏儀在MEMS的應(yīng)用：Er/Sc-AlN薄膜的厚度和光學常數(shù)精確表征2026-01-07 18:03

  

  隨著5G通信技術(shù)的快速發(fā)展，智能手機對射頻前端濾波器的需求急劇增加，聲表面波（SAW）濾波器因其高聲速、高機電耦合系數(shù)和低溫漂特性成為研究熱點。傳統(tǒng)LiTaO?等單晶材料存在成本高、聲速低、溫漂大等問題，而基于AlN的壓電薄膜SAW濾波器具有成本低、易于集成、性能可調(diào)等優(yōu)勢，逐漸成為主流選擇。然而，純AlN薄膜的壓電常數(shù)（d33）和機電耦合系數(shù)（kt）較低，

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• 臺階儀在半導體的應(yīng)用|精確測量刻蝕深度和表面圖案化2026-01-05 18:05

  

  摩擦納米發(fā)電機作為一種環(huán)境機械能收集技術(shù)，在材料選擇、結(jié)構(gòu)設(shè)計及表面工程等方面持續(xù)優(yōu)化。表面改性通過調(diào)控粗糙度與表面電荷，已成為提升摩擦電輸出的重要手段。目前，激光輻照、等離子體刻蝕等方法已在聚合物材料中取得成效，但在金屬-半導體體系，尤其是半導體表面圖案化方面的研究仍較有限。GaN作為第三代寬禁帶半導體，具備優(yōu)異的化學穩(wěn)定性與高電子遷移率，適用于摩擦電層。

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• 橢偏儀在半導體的應(yīng)用|不同厚度m-AlN與GaN薄膜的結(jié)構(gòu)與光學性質(zhì)2025-12-31 18:04

  

  Ⅲ族氮化物半導體是紫外至可見光發(fā)光器件的關(guān)鍵材料。傳統(tǒng)c面取向材料因極化電場導致量子限制斯塔克效應(yīng)，降低發(fā)光效率。采用半極性（如m面）生長可有效抑制該效應(yīng)，尤其(11-22)取向在實現(xiàn)高銦摻入InGaN量子阱方面優(yōu)勢顯著。然而，半極性薄膜在異質(zhì)外延中面臨晶體質(zhì)量差、應(yīng)力各向異性等挑戰(zhàn)。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣

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• 臺階儀在光電材料中的應(yīng)用：基于AZO薄膜厚度均勻性表征的AACVD工藝優(yōu)化2025-12-29 18:03

  

  鋁摻雜氧化鋅（AZO）作為一種高性能透明導電氧化物，在光電子和能源器件中具有廣泛應(yīng)用前景。目前，基于氣溶膠輔助化學氣相沉積（AACVD）技術(shù)制備AZO薄膜的研究多采用氮氣等惰性氣體作為載氣，而對具有氧化活性的氧氣作為載氣的系統(tǒng)性研究明顯缺乏，這限制了對沉積氣氛與薄膜性能間關(guān)聯(lián)機制的深入理解。Flexfilm探針式臺階儀可以實現(xiàn)表面微觀特征的精準表征與關(guān)鍵參數(shù)

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• 橢偏儀在半導體的應(yīng)用|不同厚度c-AlN外延薄膜的結(jié)構(gòu)和光學性質(zhì)2025-12-26 18:02

  

  隨著半導體器件向高溫、高頻、高功率方向發(fā)展，氮化鋁（AlN）等寬禁帶半導體材料的外延質(zhì)量至關(guān)重要。薄膜的厚度、界面粗糙度、光學常數(shù)及帶隙溫度依賴性直接影響器件性能。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導體和表面科學等領(lǐng)域。本文基于光譜橢偏技術(shù)，結(jié)合X射線衍射、拉曼光譜等方法，系統(tǒng)研究了c面藍寶石襯底上

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• 晶圓多層膜的階高標準：實現(xiàn)20–500nm無金屬、亞納米級臺階精度2025-12-24 18:04

  

  在集成電路檢測中，高光學對比度的晶圓級階高標準對提升自動圖像識別的精度至關(guān)重要。傳統(tǒng)基于單層Si-SiO?薄膜的階高標準在低臺階高度下對比度不足，通常需借助金屬鍍層增強信號，但這會引入污染風險。Flexfilm探針式臺階儀可以實現(xiàn)表面微觀特征的精準表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測量，精確測定樣品的表面臺階高度與膜厚，為材料質(zhì)量把控和生產(chǎn)效率提升提供數(shù)據(jù)支撐。本研究提出

  晶圓 測量 254瀏覽量

• 光學膜厚測量技術(shù)對比：光譜反射法vs橢偏法2025-12-22 18:04

  

  在現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)如半導體和新能源領(lǐng)域，厚度低于一微米的薄膜被廣泛應(yīng)用，其厚度精確測量是確保器件性能和質(zhì)量控制的核心挑戰(zhàn)。面對超薄、多層、高精度和非破壞性的測量需求，傳統(tǒng)的接觸式或破壞性方法已難以勝任。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導體和表面科學等領(lǐng)域。為解決這一難題，以光譜反射法(SR)和光譜橢

  光學 光譜 測量 1305瀏覽量

• 表面粗糙度測量技術(shù)選型：臺階儀與光學輪廓儀對比分析2025-12-19 18:04

  

  表面粗糙度作為材料表面的微觀幾何特征，深刻影響著摩擦、密封、熱傳遞、腐蝕及生物相容性等重要功能性能，其精確評估是實現(xiàn)工業(yè)質(zhì)量控制和性能優(yōu)化的基礎(chǔ)。然而，現(xiàn)有的測量技術(shù)體系面臨著兩難選擇：傳統(tǒng)的接觸式方法（如觸針輪廓術(shù)）雖被廣泛采用，但存在劃傷樣品、無法用于軟質(zhì)材料的風險；而各種非接觸光學等方法雖避免了損傷，卻往往受限于設(shè)備成本高、操作復雜或?qū)μ囟ū砻鏃l件敏感

  測量 表面輪廓儀 304瀏覽量

• 橢偏儀微區(qū)成像光譜測量：精準表征二維ReS?/ReSe?面內(nèi)雙折射率Δn≈0.222025-12-17 18:02

  

  二維過渡金屬硫族化合物ReS?和ReSe?因其晶體結(jié)構(gòu)中的“錸鏈”而具備顯著的面內(nèi)光學各向異性，在偏振敏感光電器件中展現(xiàn)出重要潛力。然而，其微米級樣品在可見光波段沿不同晶軸的關(guān)鍵光學參數(shù)（如折射率、消光系數(shù)）尚缺乏系統(tǒng)的定量表征，傳統(tǒng)光譜橢偏儀因空間分辨率不足而難以實現(xiàn)微區(qū)精確測量。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛

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