日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:33
2029 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器--- VOM1271。
2012-11-13 09:41:205424 Vishay Intertechnology宣布，推出新系列小型柵極驅(qū)動(dòng)變壓器---MGDT，可在高功率的國(guó)防和航天、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用中顯著節(jié)省空間。
2018-03-07 13:57:099670 Vishay 推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器---VOD3120A，擴(kuò)展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級(jí)工作效率。
2019-02-17 09:17:001773 Vishay宣布，推出節(jié)省空間的小型0402外形尺寸新型器件，擴(kuò)充其TNPU e3系列汽車級(jí)高精度薄膜扁平片式電阻。
2020-03-03 08:08:001250 的 FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器。GaN FET 的開關(guān)速度比硅質(zhì) FET 快得多，而將驅(qū)動(dòng)器集成在同一封裝內(nèi)可減少寄生電感，并且可優(yōu)化開關(guān)性能以降低功率損耗，從而有助于設(shè)計(jì)人員減小散熱器的尺寸。節(jié)省的空間
2018-10-31 17:33:14
33V，適合驅(qū)動(dòng) Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。集成的 UVLO 保護(hù)確保在異常情況下輸出保持在低電平。輸入側(cè)供電電壓 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之間工作，支持大多數(shù)數(shù)字控制器
2025-04-03 14:23:02
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
等效的多數(shù)載流子MOSFET關(guān)斷時(shí)，在IGBT少數(shù)載流子BJT中仍存在存儲(chǔ)時(shí)間延遲td(off)I。不過(guò)，降低Eoff驅(qū)動(dòng)阻抗將會(huì)減少米勒電容 (Miller capacitance) CRES和關(guān)斷
2018-08-27 20:50:45
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無(wú)刷直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)應(yīng)用中， MOSFET驅(qū)動(dòng)器可用來(lái)直接驅(qū)動(dòng)電機(jī)。 不過(guò)，在本應(yīng)用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
，逆變器，變頻器，電鍍電解電源，超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。開關(guān)電源(SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開關(guān)管和整流器。雖然沒(méi)有萬(wàn)全的方案來(lái)解決選擇IGBT還是MOSFET的問(wèn)題，但
2021-06-16 09:21:55
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
：-40°C至110°C最大低電平輸出電壓（VOL）：0.5V應(yīng)用：隔離式IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器；交流和無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器；電磁爐頂；工業(yè)變頻器；開關(guān)電源（SMPS）；不間斷電源（UPS）`
2019-10-30 15:23:17
的老式設(shè)計(jì)，節(jié)約了大量空間。 MOSFET或IGBT作為變流器控制開關(guān)，使用隔離驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT可以將大電流隔離，還可以保護(hù)控制單元免受高壓大電流的沖擊和避免大功率
2010-09-08 15:49:48
電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)特別是家電市場(chǎng)對(duì)系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來(lái)越高?！ 闈M足市場(chǎng)需求，意法半導(dǎo)體針對(duì)不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù)，例如， IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET?！ ”疚?b class="flag-6" style="color: red">在實(shí)際
2018-11-20 10:52:44
概述：IRS26302DJBPF美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
較低。這里的關(guān)鍵之處在于，為了從MOSFET轉(zhuǎn)換到IGBT，必須對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行調(diào)節(jié)。傳導(dǎo)損耗需謹(jǐn)慎在比較額定值為600V的器件時(shí)，IGBT的傳導(dǎo)損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少
2017-04-15 15:48:51
感應(yīng)逆變器直通一般而言，有兩種方法可以解決逆變器IGBT的感應(yīng)導(dǎo)通問(wèn)題——使用雙極性電源和/或額外的米勒箝位。在柵極驅(qū)動(dòng)器隔離端接受雙極性電源的能力為感應(yīng)電壓瞬變提供了額外的裕量。例如，–7.5 V
2019-07-24 04:00:00
本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無(wú)損。隨著
2021-01-22 06:45:02
描述TIDA-00195 參考設(shè)計(jì)包括一個(gè) 22kW 功率級(jí)以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S（適用于各種應(yīng)用中的電機(jī)控制）。此設(shè)計(jì)可對(duì)三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
2022-11-02 12:07:56
技巧。對(duì)于電流測(cè)量而言，逆變器臂和相位輸出都需要諸如分流電阻等測(cè)量器件，以便應(yīng)付直通故障和電機(jī)繞組故障?？刂?b class="flag-6" style="color: red">器和/或柵極驅(qū)動(dòng)器中的快速執(zhí)行跳變電路必須及時(shí)關(guān)斷IGBT，防止超出短路耐受時(shí)間。這種
2019-10-06 07:00:00
什么是變頻驅(qū)動(dòng)器（VFD）/逆變器呢？變頻驅(qū)動(dòng)器（VFD）/逆變器在TVS二極管中有何作用呢？
2022-01-14 06:56:58
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見(jiàn)圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
求教大佬們?nèi)绾斡肈SP產(chǎn)生PWM波驅(qū)動(dòng)IGBT的驅(qū)動(dòng)器？代碼應(yīng)該怎么寫啊？
2019-01-08 09:15:35
柵極驅(qū)動(dòng)器中的快速執(zhí)行跳變電路必 須及時(shí)關(guān)斷IGBT，防止超出短路耐受時(shí)間。這種方法的最大好 處是它要求在每個(gè)逆變器臂上各配備兩個(gè)測(cè)量器件，并配備一 切相關(guān)的信號(hào)調(diào)理和隔離電路。只需在正直流總線線路和負(fù)
2018-08-20 07:40:12
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無(wú)損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
小于5ns； · 選用低傳輸延時(shí)，上升下降時(shí)間短的推挽芯片。 總之，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度的同時(shí)，對(duì)于驅(qū)動(dòng)器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流，同時(shí)選用時(shí)應(yīng)該降額使用。額定工作電壓、電壓波動(dòng)的范圍、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓；驅(qū)動(dòng)器的外殼結(jié)構(gòu)以及排布方式也是IGBT選型的重要考慮因素。原作者：漂流的青春 車載控制器開發(fā)及測(cè)試
2023-03-23 16:01:54
MOSFET/IGBT/SiC-FET，電流高達(dá) 100A，運(yùn)行頻率高達(dá) 500Khz在通電和斷電序列期間，防止 IGBT/FET 出現(xiàn)寄生導(dǎo)通和關(guān)斷4000 VPK 和 2500-VRMS 隔離層驅(qū)動(dòng)器
2018-09-30 09:23:41
（PWM）控制輸出電壓。三相逆變器還使用6個(gè)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)IGBT。除了IGBT和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，三相逆變器還含有直流母線電壓感應(yīng)、逆變器電流感應(yīng)與過(guò)熱、過(guò)載和接地故障等IGBT保護(hù)。在暖通空調(diào)
2018-08-29 15:10:42
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí)，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動(dòng)汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05
IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動(dòng)技術(shù)以及當(dāng)前市場(chǎng)上的各類成品驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:46
56 lVO3120 IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器：這些2.5A和0.5A的驅(qū)動(dòng)器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器，豐富了其已
2009-07-01 09:30:55778 單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國(guó)IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:008772 
大功率IGBT 在使用中驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要，本文給出了不同功率等級(jí)IGBT 驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)計(jì)算方法，經(jīng)驗(yàn)公式及有關(guān)CONCEPT 驅(qū)動(dòng)板的選型標(biāo)準(zhǔn)。
2011-09-20 11:55:03249 ---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個(gè)小尺寸封裝里，導(dǎo)通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節(jié)省空間，并簡(jiǎn)化高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。
2014-02-10 15:16:511504 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器VOW3120-X017T，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。
2014-03-25 10:19:44981 。Vishay Polytech TMCJ和TMCP分別采用J（1608-09）和P（2012-12）外形尺寸，TMCU使用超平、超薄的UA（3216-12）和UB （3528-12）外形尺寸。
2015-04-03 16:48:371247 1.4mm x 1.8mm miniQFN10封裝的音頻接孔探測(cè)器DG2592和低壓雙路SPDT模擬開關(guān)DG2750，用來(lái)替代便攜式應(yīng)用中常用的尺寸較大的miniQFN10和WCSP器件，達(dá)到節(jié)省空間的目的。
2016-03-07 11:33:06893 本參考設(shè)計(jì)采用一個(gè)22kW 功率級(jí)以及TI 全新的增強(qiáng)型隔離式(IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器ISO5852S，適用于交流驅(qū)動(dòng)器等各類三相逆變器。此參考設(shè)計(jì)可用于評(píng)估3 相逆變器中ISO5852S 的性能
2016-11-05 15:45:140 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新的2525、3232和4040外形尺寸的汽車級(jí)電感器，擴(kuò)大了IHLE系列超薄、大電流電感器的應(yīng)用范圍。
2016-12-16 14:51:451377 /DC轉(zhuǎn)換的新系列超薄功率電感器---IFL和IFLS系列。Vishay Dale IFL和IFLS系列器件的外形尺寸為1212、1616和2020，高度為1.0mm，最大電感為100μH，這個(gè)數(shù)值通常是尺寸更大的器件才能達(dá)到。
2017-04-27 18:31:111665 的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 本參考設(shè)計(jì)采用一個(gè) 22kW 功率級(jí)以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S，適用于交流驅(qū)動(dòng)器等各類 三相逆變器。
2018-05-08 17:03:2527 Vishay推出兩顆3mm x 3mm 1212外形尺寸的電感器---IHHP-1212ZH-01和IHHP-1212AZ-01，擴(kuò)充其IHHP系列超薄、大電流的功率電感器。Vishay Dale
2018-06-04 09:30:001445 目前有許多MOSFET技術(shù)和硅工藝，每天都有新的進(jìn)展?；陔妷?電流額定值或芯片尺寸來(lái)對(duì)MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET進(jìn)行匹配作出概括說(shuō)明是非常困難的，如果不是不可能的話。
2018-11-01 16:19:3562 通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:396332 
日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出節(jié)省空間的小型0402外形尺寸新型器件，擴(kuò)充其TNPU e3系列汽車級(jí)高精度薄膜扁平片式電阻。
2020-03-03 15:05:144896 IR2104（S）是高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具有獨(dú)立的高、低壓側(cè)參考輸出通道。專有的HVIC和鎖存免疫CMOS技術(shù)使加固單片結(jié)構(gòu)成為可能。邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出
2020-04-28 08:00:0052 當(dāng)今多種 MOSFET 技術(shù)和硅片制程并存，而且技術(shù)進(jìn)步日新月異。要根據(jù) MOSFET 的電壓 / 電流或管芯尺寸，對(duì)如何將 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器與 MOSFET 進(jìn)行匹配進(jìn)行一般說(shuō)明，實(shí)際上顯得
2020-06-16 08:00:0028 中的功率消耗或損耗、發(fā)送到功率半導(dǎo)體開關(guān) (IGBT/MOSFET) 的功率以及驅(qū)動(dòng)器 IC 和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件（例如外部柵極電阻器兩端）的功率損耗。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。本
2021-06-14 03:51:005321 
本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù)，驅(qū)動(dòng)器的類型，隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器的IXYS系列以及一些實(shí)際考慮因素
2021-05-26 17:04:024024 
Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司
本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車
2021-01-20 15:00:2413 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-15 14:23:261774 
意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-17 10:06:142770 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:012625 
MOSFET及
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的引腳排列內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用
技術(shù)。書中不但給出多種以這些驅(qū)動(dòng)器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動(dòng)控制板的應(yīng)用實(shí)例而且對(duì)這些具
2022-08-13 09:21:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超薄背光驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-06 14:56:064 額定功率使用一個(gè)硬件平臺(tái)通過(guò)交換MOSFET管套和電源IGBT/MOSFET開關(guān)。這個(gè)概念最大化了門驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)的可伸縮性電機(jī)控制和功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用范圍從低到高額定功率。
2022-12-15 13:58:191678 
對(duì)于IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器電氣過(guò)應(yīng)力測(cè)試（EOS測(cè)試），設(shè)置了一個(gè)非常接近真實(shí)條件的電路。該電路包括適合功率范圍為5 kW至20 kW的逆變器的電容器和電阻器。對(duì)于軸向型柵極電阻Rg，使用2 W額定功率金屬電阻器。
2022-12-22 15:59:252353 
（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。 柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來(lái)自MCU的控制信號(hào)，并將這些信號(hào)傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車輛電池的更高電壓，RAJ29300
2023-02-02 11:10:022205 在逆變器中驅(qū)動(dòng)和保護(hù)IGBT 介紹ACPL-339J是一款先進(jìn)的1.0 A雙輸出，易于使用，智能的手機(jī)IGBT門驅(qū)動(dòng)光耦合器接口。專為支持而設(shè)計(jì)MOSFET制造商的各種電流評(píng)級(jí)，ACPL-339J使
2023-02-22 14:54:521 SLM27517 單通道，高速，低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以有效地驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT功率開關(guān)。使用設(shè)計(jì)其固有地最小化擊穿電流，可以源匯高峰值電流脈沖轉(zhuǎn)換為電容性負(fù)載軌對(duì)軌驅(qū)動(dòng)能力非常小傳播延遲通常
2023-02-23 15:42:222 在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中，變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)/逆變器通常安裝在電動(dòng)機(jī)的前端，以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。
2023-03-30 09:21:342401 眾所周知，在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中，變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)和IGBT逆變器通常安裝在電動(dòng)機(jī)的前端，以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。根據(jù)不同的輸入電壓要求，逆變器通常分為低壓(110V、220V、380V等)、中壓(690V、1140V、2300V等)或高壓(3KV、3.3KV、6KV、6.6KV、10KV等)。
2023-04-15 10:09:331980 驅(qū)動(dòng)器采用節(jié)省空間的 SOP-4 封裝，集成關(guān)斷電路。 Vishay Semiconductors VOMDA1271? 專門用來(lái)提高汽車應(yīng)用性能，同時(shí)提高設(shè)計(jì)靈活性并降低成本，開關(guān)速度和開路輸出電壓均達(dá)
2023-06-08 19:55:021420 
由于變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)和逆變器是提供電源的關(guān)鍵組件，為此它們的性能和可靠性對(duì)于不間斷電源來(lái)說(shuō)是至關(guān)重要的。接下來(lái)，電路保護(hù)元器件廠家東沃電子DOWOSEMI要介紹的是在惡劣條件下，如何確保變頻
2023-05-12 17:32:582045 
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無(wú)源元件時(shí)，有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過(guò)程了解不透徹，將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:342087 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:48:150 IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
2023-12-14 11:31:081454 
報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57997 
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這款新型驅(qū)動(dòng)器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:211464 的信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓、高電流的脈沖來(lái)控制MOSFET或IGBT的柵極，從而提高這些器件的性能、可靠性和使用壽命。柵極驅(qū)動(dòng)器在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色，廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制、逆變器、開關(guān)電源等領(lǐng)域。
2024-07-19 17:15:2724578 MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的電路設(shè)備。MOSFET作為一種重要的半導(dǎo)體器件，在電子工業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用，特別是在需要高頻、高電壓、大電流控制的場(chǎng)合
2024-07-24 16:21:071852 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器在確保電動(dòng)汽車的電力流動(dòng)可靠控制方面至關(guān)重要。從控制逆變器的IGBT或MOSFET的開關(guān)到監(jiān)測(cè)和管理電池的充電狀態(tài)、健康狀況和熱條件，高壓驅(qū)動(dòng)器確保對(duì)開關(guān)事件的精確控制。電動(dòng)機(jī)控制
2024-08-29 11:45:491198 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用隔離式 IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的 HEV/EV 牽引逆變器設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-11 14:21:390 最新 IGBT 和 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 器件峰值輸出電流高達(dá)?4 A 工作溫度高達(dá)?+125 °C，傳播延遲低至?200 ns Vishay 推出兩款采用緊湊、高隔離延展型 SO-6 封裝
2024-11-03 13:42:001015 
MT8006是一款基于P_SUB P_EPI工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)溝道驅(qū)動(dòng)器可用于獨(dú)立驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT，工作電壓最高可達(dá)300 V。邏輯輸入
2025-03-18 16:37:020 Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素
2025-06-06 08:25:172984 
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22741 
Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器是采用加長(zhǎng)SO-6封裝的緊湊型高設(shè)計(jì)、快速開關(guān)IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器。VOFD343A光耦合器
2025-11-11 16:22:341415 Vishay Semiconductors VOFD341A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器是采用加長(zhǎng)SO-6封裝的緊湊型、快速開關(guān)IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器。VOFD341A光耦合器具有3A高峰
2025-11-11 16:33:481436 在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其驅(qū)動(dòng)電路的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。今天，我們就來(lái)深入探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-01 14:29:16469 
在電力電子領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其驅(qū)動(dòng)電路的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來(lái)詳細(xì)探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57090y, NCx57091y系列高電流單通道IGBT/MOSFET門驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-09 09:37:551544 
先進(jìn)的、具有電流隔離功能的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，主要用于xEV牽引逆變器中的SiC和IGBT模塊驅(qū)動(dòng)。它通過(guò)先進(jìn)的柵極驅(qū)動(dòng)功能，在節(jié)省空
2025-12-24 14:25:02225
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