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2021年將是氮化鎵+碳化硅PD爆發(fā)元年

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碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

在現(xiàn)代電子技術飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應用領域以及未來發(fā)展趨勢。
2025-04-09 18:02:041275

國產碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應用

國產碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應用
2025-04-02 11:40:190

派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級碳化硅模塊產品

3月28日,在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會——汽車動力系統(tǒng)技術展覽會圓滿落幕,本次會上,派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級碳化硅模塊產品,吸引了新能源汽車、工業(yè)
2025-03-29 09:10:551741

碳化硅器件選型需要考慮哪些因素

隨著全球對能源效率和可持續(xù)發(fā)展的重視,碳化硅(SiC)器件因其卓越的性能在現(xiàn)代電力電子領域獲得了廣泛關注。SiC器件的高效能、高溫耐受性和高頻性能,使其在電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等應用中成為優(yōu)選方案。本文將探討碳化硅器件的主要性能優(yōu)勢,并提供在實際應用中的設計選型指南。
2025-03-19 16:59:401045

碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A

碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動汽車、可再生能源、高頻電源等領域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,隨著國產碳化硅MOSFET技術、成本及供應鏈都日趨完善,國產SiC碳化硅
2025-03-13 11:12:481580

全球功率半導體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術受制到全球引領的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力于推動國產
2025-03-13 00:27:37767

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
2025-03-12 11:31:09896

2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應用中全面替代IGBT的元年

2025被廣泛視為碳化硅(SiC)器件在電力電子應用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國產SiC(碳化硅)單管和模塊價格首次低于進口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)單管及模塊
2025-03-07 09:17:271320

博世碳化硅功率模塊生產基地落成

近日,博世汽車電子中國區(qū)(ME-CN)在蘇州五廠建成碳化硅(SiC)功率模塊生產基地,并于20251月成功下線首批產品。這標志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領域邁出了重要一步,也進一步提升了本土市場的響應速度,增強了博世智能出行集團的競爭力。
2025-03-06 18:09:291113

CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國產碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示

)的壟斷與衰落 技術壟斷期:Wolfspeed(原CREE)曾長期主導全球碳化硅襯底市場,其物理氣相傳輸法(PVT)生長技術及6英寸襯底工藝占據(jù)絕對優(yōu)勢。2018特斯拉采用碳化硅后,Wolfspeed市值一度飆升,但此后因技術迭代緩慢、成本高企及中國企業(yè)的競爭,市值暴
2025-03-05 07:27:051295

超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析

隨著BASiC基本半導體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:441053

SiC碳化硅二極管公司成為國產碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

結合國產碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經(jīng)有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產清算,僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31752

碳化硅MOSFET的優(yōu)勢有哪些

隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及,全球對高效能、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領域中嶄露頭角
2025-02-26 11:03:291399

碳化硅行業(yè)觀察:2025SiC功率器件廠商大洗牌

2025碳化硅(SiC)功率器件設計公司倒閉潮反映了行業(yè)加速洗牌的必然趨勢,其背后是技術、資本、供應鏈和市場需求的多重挑戰(zhàn)。而“SiC模塊批量上車業(yè)績”成為企業(yè)生存基礎的核心邏輯,與碳化硅器件
2025-02-26 07:08:491286

碳化硅功率器件的特性和應用

隨著全球能源需求的快速增長和對可再生能源的重視,電力電子技術正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過程中,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優(yōu)越的性能,正在逐步取代傳統(tǒng)硅(Si
2025-02-25 13:50:111608

納微半導體APEC 2025亮點搶先看

近日,唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025,展示氮化碳化硅技術在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車和移動設備領域的應用新突破。
2025-02-25 10:16:381783

國內碳化硅功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結果

碳化硅行業(yè)觀察:國內碳化硅功率器件設計公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來,碳化硅(SiC)功率器件市場雖高速增長,但行業(yè)集中度快速提升,2024以來多家SiC器件設計公司接連倒閉,國內碳化硅功率
2025-02-24 14:04:38933

碳化硅SiC的光學優(yōu)勢及應用

碳化硅(SiC)在大口徑光學反射鏡上的應用,主要得益于其高比剛度、優(yōu)異熱穩(wěn)定性和寬光譜響應等特性,成為空間觀測、深空探測等領域的核心材料。以下是關鍵應用進展與技術突破:一、材料優(yōu)勢1.輕量化與高剛度
2025-02-22 14:40:372197

碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者

本文作者:Brandon Becker,安森美(onsemi)電源解決方案事業(yè)部 (PSG) 營銷經(jīng)理 電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化高電子遷移率晶體管(GaN HEMT
2025-02-22 13:55:371073

Wolfspeed第4代碳化硅技術解析

本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術?;谠?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅創(chuàng)新領域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案,重新
2025-02-19 11:35:411716

國產碳化硅MOSFET和隔離驅動的真空鍍膜電源設計方案

傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產碳化硅MOSFET和隔離驅動的真空鍍膜電源設計方案,助力射頻電源業(yè)自主可控和產業(yè)升級! 傾佳電子楊茜致力于推動
2025-02-13 21:56:24913

BASiC基本股份國產SiC碳化硅MOSFET產品線概述

傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件
2025-02-12 06:41:45947

高頻電鍍電源國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應用為例,分析BASiC基本股份國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT
2025-02-09 20:17:291126

納微半導體氮化碳化硅技術進入戴爾供應鏈

近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化碳化硅技術進入戴爾供應鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081232

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測試方法介紹

碳化硅革新電力電子,以下是關于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細介紹,結合其技術原理、關鍵步驟與應用價值,助力電力電子領域的革新。
2025-02-05 14:34:481658

碳化硅薄膜沉積技術介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學與機械性能以及廣泛的應用前景而受到關注。
2025-02-05 13:49:121950

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開關速度和高導熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領域得到廣泛應用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高功率應用中會
2025-02-03 14:22:001255

碳化硅功率器件的封裝技術解析

碳化硅(SiC)功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關注和應用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術至關重要。本文將詳細解析碳化硅功率器件的封裝技術,從封裝材料選擇、焊接技術、熱管理技術、電氣連接技術和封裝結構設計等多個方面展開探討。
2025-02-03 14:21:001292

碳化硅的缺陷分析與解決方案

碳化硅作為一種新型半導體材料,因其高熱導率、高電子飽和速度和高擊穿電場等特性,被廣泛應用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而,碳化硅材料中的缺陷,如微管、位錯、堆垛層錯等,會嚴重影響器件的性能和可靠性
2025-01-24 09:17:142515

碳化硅的耐高溫性能

在現(xiàn)代工業(yè)中,高性能材料的需求日益增長,特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進的陶瓷材料,因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關注。 1. 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種共價鍵合的陶瓷材料,具有高硬度
2025-01-24 09:15:483085

碳化硅與傳統(tǒng)硅材料的比較

在半導體技術領域,材料的選擇對于器件的性能至關重要。硅(Si)作為最常用的半導體材料,已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術。然而,隨著電子器件對性能要求的不斷提高,碳化硅(SiC)作為一種新型半導體材料
2025-01-23 17:13:032590

碳化硅材料的特性和優(yōu)勢

碳化硅(SiC)是一種高性能的陶瓷材料,因其卓越的物理和化學特性而在許多工業(yè)領域中得到廣泛應用。從高溫結構部件到電子器件,SiC的應用范圍廣泛,其獨特的性能使其成為許多應用中的首選材料。 碳化硅
2025-01-23 17:11:342728

碳化硅在半導體中的作用

碳化硅(SiC)在半導體中扮演著至關重要的角色,其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352664

碳化硅的應用領域

碳化硅(SiC)是一種具有獨特物理和化學性質的材料,這些性質使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料。由于其寬帶隙特性,SiC基半導體器件能夠在
2025-01-23 17:06:132592

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化器件
2025-01-23 16:27:431780

碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

一、引言 隨著碳化硅在半導體等領域的廣泛應用,對其襯底質量的檢測愈發(fā)關鍵。BOW(翹曲度)和 WARP(彎曲度)是衡量碳化硅襯底質量的重要參數(shù),準確測量這些參數(shù)對于保證器件性能至關重要。而不同的吸附
2025-01-23 10:30:54286

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28

產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用

*附件:國產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用.pdf
2025-01-20 14:19:40

氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

直接導致了消費級GaN充電器價格偏高,目前市面上的氮化充電器基本上是一百多塊。不過隨著越來越多廠商參與進來,相信技術會越來越成熟,成本下降只是時間問題。 在充電協(xié)議上,GaN 充電頭目前以PD協(xié)議
2025-01-15 16:41:14

不同的碳化硅襯底的吸附方案,對測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在當今蓬勃發(fā)展的半導體產業(yè)中,碳化硅(SiC)襯底作為關鍵基礎材料,正引領著高性能芯片制造邁向新的臺階。對于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)參數(shù)猶如精密天平上的砝碼,細微
2025-01-14 10:23:10400

碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在半導體領域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學性能、高熱導率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對碳化硅襯底質量的精準把控愈發(fā)關鍵。其中,碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394

安森美碳化硅應用于柵極的5個步驟

在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?5步法應對碳化硅特定挑戰(zhàn),mark~,我們介紹了寬禁帶半導體基礎知識、碳化硅制造挑戰(zhàn)、碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進、安森美(onsemi)在碳化硅半導體生產中的優(yōu)勢。本文為白皮書第三篇,將重點介紹應用于柵極的 5 個步驟。
2025-01-09 10:31:47915

安森美在碳化硅半導體生產中的優(yōu)勢

此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導體基礎知識及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,將重點介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進及安森美(onsemi)在碳化硅半導體生產中的優(yōu)勢。
2025-01-07 10:18:48916

減少減薄碳化硅紋路的方法

碳化硅(SiC)作為一種高性能半導體材料,因其出色的熱穩(wěn)定性、高硬度和高電子遷移率,在電力電子、微電子、光電子等領域得到了廣泛應用。在SiC器件的制造過程中,碳化硅片的減薄是一個重要環(huán)節(jié),它可以提高
2025-01-06 14:51:09392

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