薩科微碳化硅專家

薩科微slkor總經(jīng)理宋仕強(qiáng)介紹說(shuō)，電動(dòng)化、電池的日益使用和自動(dòng)化等趨勢(shì)正在推動(dòng)功率電子產(chǎn)品的需求，這是通過(guò)減少二氧化碳排放和提高系統(tǒng)效率來(lái)減緩氣候變化的努力所推動(dòng)的，也是未來(lái)薩科微slkor產(chǎn)品的市場(chǎng)增長(zhǎng)點(diǎn)。根據(jù)權(quán)威調(diào)查機(jī)構(gòu)Yole的《2022年功率電子行業(yè)現(xiàn)狀》報(bào)告，由于電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車（xEV）、工廠自動(dòng)化、光伏、風(fēng)力渦輪機(jī)、UPS和家用電器的需求不斷增長(zhǎng)，功率電子分立和模塊器件市場(chǎng)在2021至2027年間的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到6.9%，薩科微slkormicro研發(fā)生產(chǎn)的高壓mos管、普通場(chǎng)效應(yīng)管、igbt管、橋堆等，銷量就會(huì)帶來(lái)爆發(fā)式的增長(zhǎng)，也是薩科微在國(guó)產(chǎn)替代過(guò)程中的機(jī)會(huì)！薩科微的AMS1117-3.3、AMS1117-5.0、SS34、SS36、SS8050、SS8850、BTA54C、slkor薩科微LL4148、SMAJ5.0A、SMAJ24A、MMBZ18VAL、ESDR0524P等型號(hào)已經(jīng)在立創(chuàng)商城大賣、slkor薩科微推出電源管理芯片SL4949、SL54620RHLR、SL6908D、SL2044、電池管理芯片SL197-1也將銷售。薩科微還將推出更多數(shù)字和模擬等集成電路產(chǎn)品，為客戶提供更專業(yè)和更全面的服務(wù)。

審核編輯?黃昊宇

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碳化硅(51890) 碳化硅(51890)

評(píng)論

打線門極電阻，助力SiC碳化硅模塊性能提升

近年來(lái)，在國(guó)家相關(guān)政策支持下，應(yīng)用于新能源領(lǐng)域的功率模塊迎來(lái)了增長(zhǎng)新契機(jī)。而SiC碳化硅模塊以其卓越性能，成為新能源核心賽道的“佼佼者”。碳化硅模塊的性能提升對(duì)于新能源熱管理優(yōu)化至關(guān)重要，而廣東愛(ài)晟電子科技有限公司研發(fā)、量產(chǎn)的打線門極電阻，在碳化硅模塊性能升級(jí)過(guò)程中的作用不可或缺。

2025-12-31 14:16:25

碳化硅器件在新能源汽車中的核心作用

碳化硅（SiC）器件在新能源汽車中起到了非常核心的作用，尤其是在提升電能轉(zhuǎn)換效率、減小體積和重量、延長(zhǎng)續(xù)航里程等方面，具有不可替代的優(yōu)勢(shì)。具體來(lái)說(shuō)，碳化硅器件在以下幾個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)中發(fā)揮著重要作用。

2025-12-29 11:39:51

407

陽(yáng)臺(tái)微儲(chǔ)的拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)、技術(shù)趨勢(shì)及碳化硅MOSFET在其中的應(yīng)用

陽(yáng)光光儲(chǔ)與陽(yáng)臺(tái)微儲(chǔ)的拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)、技術(shù)趨勢(shì)及碳化硅MOSFET在其中的應(yīng)用傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備

2025-12-20 09:21:33

1030

基于SiC碳化硅功率器件的c研究報(bào)告

基于SiC碳化硅功率器件的一級(jí)能效超大功率充電樁電源模塊深度報(bào)告傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源

2025-12-14 07:32:01

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簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級(jí)供應(yīng)商以及分銷商，產(chǎn)品

2025-12-12 14:14:06

564

Onsemi碳化硅MOSFET NTHL060N065SC1的性能剖析與應(yīng)用指南

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能逐漸成為工程師們的首選。今天我們就來(lái)詳細(xì)剖析Onsemi的一款650V、44毫歐的N溝道碳化硅MOSFET——NTHL060N065SC1。

2025-12-08 15:50:27

342

onsemi NTMT045N065SC1碳化硅MOSFET深度解析

在電源管理和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐漸成為電子工程師的首選。今天，我們就來(lái)深入探討一下安森美（onsemi）的NTMT045N065SC1碳化硅MOSFET。

2025-12-05 14:46:06

325

為了方便廣大電子硬件工程師用好薩科微slkor的產(chǎn)品，為客戶提供配套的技術(shù)服務(wù)，讓產(chǎn)品更好為客戶創(chuàng)造價(jià)值

BVceo ≥80V。薩科微半導(dǎo)體總部設(shè)在中國(guó)廣東省深圳市，以新材料、新工藝、新產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)公司的發(fā)展，薩科微技術(shù)團(tuán)隊(duì)主要來(lái)自韓國(guó)延世大學(xué)和清華大學(xué)，掌握國(guó)際領(lǐng)先的碳化硅MOSFET生產(chǎn)工藝，及第五代超快恢復(fù)功率

2025-12-04 11:36:34

傾佳電子市場(chǎng)報(bào)告：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

傾佳電子市場(chǎng)報(bào)告：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破 ——以基本半導(dǎo)體B2M065120Z在15kW混合逆變器中的應(yīng)用為例傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率

2025-11-24 04:57:29

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傾佳電子碳化硅MOSFET高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)：核心原理與未來(lái)趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述

傾佳電子碳化硅MOSFET高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)：核心原理與未來(lái)趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)

2025-10-18 21:22:45

403

高功率密度碳化硅MOSFET軟開(kāi)關(guān)三相逆變器損耗分析

　　相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于高開(kāi)關(guān)頻率場(chǎng)合時(shí)其開(kāi)關(guān)損耗隨著開(kāi)關(guān)頻率的增加亦快速增長(zhǎng)。為進(jìn)一步提升碳化硅

2025-10-11 15:32:03

探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

作者：Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動(dòng)脫碳的基石。碳化硅是高級(jí)電力系統(tǒng)的推動(dòng)劑，可滿足全球?qū)稍偕茉础㈦妱?dòng)汽車 (EV

2025-10-02 17:25:00

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AR光波導(dǎo)+先進(jìn)封裝雙驅(qū)動(dòng)，12英寸碳化硅靜待爆發(fā)

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 12英寸碳化硅在近期產(chǎn)業(yè)內(nèi)迎來(lái)兩大新需求：AI眼鏡市場(chǎng)爆發(fā)，推動(dòng)碳化硅AR光波導(dǎo)鏡片量產(chǎn)節(jié)奏；為了進(jìn)一步提高散熱效率，英偉達(dá)決定在下一代Rubin GPU中，將用碳化硅中介層

2025-09-26 09:13:55

6423

[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向

一、引言 碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用?？偤穸绕睿═TV）是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標(biāo)，其精確測(cè)量對(duì)保障碳化硅器件性能至關(guān)重要

2025-09-22 09:53:36

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Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用

碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來(lái)，它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來(lái)，Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強(qiáng)化基礎(chǔ)專利。僅在過(guò)去的五年中，我們

2025-09-22 09:31:47

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【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長(zhǎng)工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

一、引言 碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響器件的性能與可靠性。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長(zhǎng)工藝參數(shù)起著決定性

2025-09-18 14:44:40

645

基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，通過(guò)創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。

2025-09-15 16:53:03

980

碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工藝中的反饋控制機(jī)制研究

一、引言化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝是實(shí)現(xiàn)碳化硅（SiC）襯底全局平坦化的關(guān)鍵技術(shù)，對(duì)提升襯底質(zhì)量、保障后續(xù)器件性能至關(guān)重要?？偤穸绕睿═TV）作為衡量碳化硅襯底質(zhì)量的核心指標(biāo)之一，其精確控制

2025-09-11 11:56:41

619

Wolfspeed 200mm碳化硅材料產(chǎn)品組合開(kāi)啟大規(guī)模商用

全球碳化硅 (SiC) 技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司（美國(guó)紐約證券交易所上市代碼：WOLF）宣布，Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品開(kāi)啟大規(guī)模商用。這一重要里程碑標(biāo)志著 Wolfspeed 加速行業(yè)從硅向碳化硅轉(zhuǎn)型的使命邁出關(guān)鍵一步。

2025-09-11 09:12:54

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碳化硅功率器件的基本特性和主要類型

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的半導(dǎo)體材料，正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性，成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中不可或缺的重要組成部分。本文將探討碳化硅功率器件的性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

2025-09-03 17:56:41

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數(shù)明半導(dǎo)體SiLM27531H柵極驅(qū)動(dòng)器在碳化硅器件中的應(yīng)用

碳化硅 MOSFET 憑借顯著的開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)，在許多大功率應(yīng)用中得到青睞。然而它的特性要求柵極驅(qū)動(dòng)電路有較高要求，以優(yōu)化碳化硅器件的開(kāi)關(guān)性能。盡管碳化硅 MOSFET 并非難以驅(qū)動(dòng)，但許多常見(jiàn)的驅(qū)動(dòng)器可能會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)性能下降。

2025-09-03 17:54:01

4443

碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽(yáng)能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。

2025-08-29 14:38:01

6758

碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì)，在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，哪怕是在超過(guò)300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸，直接促進(jìn)了新能源等產(chǎn)業(yè)的升級(jí)。

2025-08-27 16:17:43

1260

碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中邊緣效應(yīng)的抑制方法研究

摘要本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中存在的邊緣效應(yīng)問(wèn)題，深入分析其產(chǎn)生原因，從樣品處理、測(cè)量技術(shù)改進(jìn)及數(shù)據(jù)處理等多維度研究抑制方法，旨在提高 TTV 測(cè)量準(zhǔn)確性，為碳化硅半導(dǎo)體制造提供可靠

2025-08-26 16:52:10

1092

探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧

本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧，通過(guò)規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn)，旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造過(guò)程中碳化硅襯底 TTV 測(cè)量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作指導(dǎo)

2025-08-23 16:22:40

1082

【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧

摘要本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧，通過(guò)規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn)，旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造過(guò)程中碳化硅襯底 TTV 測(cè)量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作

2025-08-20 12:01:02

551

派恩杰第四代碳化硅產(chǎn)品在AI基建的應(yīng)用

在 AI 基建中，碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性，成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸” 矛盾的核心材料。從數(shù)據(jù)中心的電源系統(tǒng)到邊緣 AI 設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行，派恩杰第四代碳化硅正深度滲透到 AI 基建的全鏈條。

2025-08-18 15:56:31

1137

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中表面粗糙度對(duì)結(jié)果的影響研究

摘要本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量過(guò)程，深入探究表面粗糙度對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響機(jī)制，通過(guò)理論分析與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，揭示表面粗糙度與測(cè)量誤差的關(guān)聯(lián)，為優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 測(cè)量方法、提升測(cè)量準(zhǔn)確性提供

2025-08-18 14:33:59

454

森國(guó)科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國(guó)科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級(jí)可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域提供高效能解決方案。

2025-08-16 13:50:09

3156

【新啟航】國(guó)產(chǎn) VS 進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的性價(jià)比分析

本文通過(guò)對(duì)比國(guó)產(chǎn)與進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x在性能、價(jià)格、維護(hù)成本等方面的差異，深入分析兩者的性價(jià)比，旨在為半導(dǎo)體制造企業(yè)及科研機(jī)構(gòu)選購(gòu)測(cè)量設(shè)備提供科學(xué)依據(jù)，助力優(yōu)化資源配置。引言在

2025-08-15 11:55:31

707

激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的精度提升策略

摘要本文針對(duì)激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中存在的精度問(wèn)題，深入分析影響測(cè)量精度的因素，從設(shè)備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個(gè)維度提出精度提升策略，旨在為提高碳化硅襯底 TTV 測(cè)量準(zhǔn)確性

2025-08-12 13:20:16

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Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級(jí)碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計(jì)。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續(xù)工作，助力動(dòng)力總成系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最大性能。

2025-08-11 16:54:23

2327

【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的各向異性干擾問(wèn)題

摘要本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中各向異性帶來(lái)的干擾問(wèn)題展開(kāi)研究，深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理，提出多種解決策略，旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性與可靠性，為碳化硅半導(dǎo)體制造工藝提供

2025-08-08 11:38:30

657

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。

2025-08-01 10:25:14

1293

碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過(guò)程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能

2025-07-15 15:00:19

960

博世碳化硅技術(shù)在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

驚聞謠傳頭部碳化硅Tier 1玩家博世“被”退出碳化硅賽道，小編表示地鐵、老人、手機(jī).jpg，火速去內(nèi)部打探消息——結(jié)果只想說(shuō)一句：別慌，博世還在，且蓄勢(shì)待發(fā)！這樣精彩的舞臺(tái)，怎會(huì)少了博世這位心動(dòng)嘉賓。

2025-07-04 09:46:01

909

超薄碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀精度提升策略

超薄碳化硅襯底（

2025-07-02 09:49:10

483

EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造

2025-06-25 09:13:14

基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC

2025-06-24 17:26:28

492

SiC碳化硅MOSFET時(shí)代的驅(qū)動(dòng)供電解決方案：基本BTP1521P電源芯片

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC

2025-06-19 16:57:20

1228

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅（SiliconCarbide,SiC）是一種新興的半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性，正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅（Si）材料，成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效率、高溫耐受性

2025-06-18 17:24:24

1467

碳化硅在多種應(yīng)用場(chǎng)景中的影響

對(duì)碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí)，需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識(shí)，幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)高效且可靠的解決方案。

2025-06-13 09:34:06

1290

切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

引言在碳化硅襯底加工過(guò)程中，切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系，并進(jìn)行工藝優(yōu)化，對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。量化關(guān)系分析切割機(jī)

2025-06-12 10:03:28

536

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用一、引言在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能，成為推動(dòng)高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件

2025-06-10 08:38:54

831

基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

亞非拉市場(chǎng)工商業(yè)儲(chǔ)能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代

2025-06-08 11:13:47

1097

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless

2025-06-07 06:17:30

911

碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓如何選擇

碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V，是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問(wèn)題。這兩種電壓對(duì)器件的導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。

2025-06-04 09:22:59

1506

碳化硅功率器件在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

隨著全球汽車行業(yè)向電動(dòng)化、智能化和輕量化的快速轉(zhuǎn)型，碳化硅（SiC）功率器件以其優(yōu)越的性能，正日益成為汽車電子領(lǐng)域的重要組成部分。特別是在電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力汽車（HEV）的各類應(yīng)用中，SiC

2025-05-29 17:32:31

1082

全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起

從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)碳化硅崛起：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落：技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯作為碳化硅（SiC）領(lǐng)域的先驅(qū)，Wolfspeed

2025-05-21 09:49:40

1086

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器（APF）中的革新應(yīng)用

2025-05-10 13:38:19

860

基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

近日，全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡會(huì)展中心盛大開(kāi)幕?；景雽?dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相，并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET

2025-05-09 09:19:10

1116

基本半導(dǎo)體碳化硅（SiC）MOSFET低關(guān)斷損耗（Eoff）特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級(jí)代理商傾佳電子楊茜微信&手機(jī)：132

2025-05-04 09:42:31

740

基于國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

茜微信&手機(jī)：13266663313 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片

2025-05-03 10:45:12

561

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問(wèn)題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開(kāi)這些誤區(qū)

2025-04-30 18:21:20

759

碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加，能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實(shí)現(xiàn)低碳經(jīng)濟(jì)的重要一環(huán)。碳化硅（SiC）功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能，正逐漸成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備的選擇，特別是在能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。本文將深入探討碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)。

2025-04-27 14:13:32

900

碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討碳化硅功率器件的特點(diǎn)及其應(yīng)用現(xiàn)狀。

2025-04-21 17:55:03

1081

麥科信MOIP光隔離探頭解決碳化硅（SiC）項(xiàng)目問(wèn)題

作為某新能源車企的電機(jī)控制系統(tǒng)工程師，我的日?？偫@不開(kāi)碳化硅（SiC）器件的雙脈沖測(cè)試。三年前用傳統(tǒng)差分探頭測(cè)上管Vgs的經(jīng)歷堪稱“噩夢(mèng)”每當(dāng)開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)，屏幕上跳動(dòng)的±5V震蕩波形，讓我誤以為

2025-04-15 14:14:16

低劣品質(zhì)碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機(jī)直接推向“早衰”

低質(zhì)量碳化硅MOSFET對(duì)SiC碳化硅MOSFET逆變焊機(jī)新興品類的惡劣影響低質(zhì)量碳化硅MOSFET的濫用，可能將這一本應(yīng)引領(lǐng)焊機(jī)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的SiC碳化硅逆變焊機(jī)新興品類直接推向“早衰”。若放任亂象

2025-04-14 07:02:35

650

碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢(shì)

在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下，功率器件的性能和效率面臨著越來(lái)越高的要求。碳化硅（SiC）作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

2025-04-09 18:02:04

1275

麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

碳化硅（SiC）MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，相較于傳統(tǒng)硅（Si）MOSFET，具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開(kāi)關(guān)速度以及更優(yōu)

2025-04-08 16:00:57

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用

2025-04-02 11:40:19

派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品

3月28日，在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會(huì)——汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)展覽會(huì)圓滿落幕，本次會(huì)上，派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品，吸引了新能源汽車、工業(yè)

2025-03-29 09:10:55

1741

碳化硅器件選型需要考慮哪些因素

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視，碳化硅（SiC）器件因其卓越的性能在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域獲得了廣泛關(guān)注。SiC器件的高效能、高溫耐受性和高頻性能，使其在電動(dòng)汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等應(yīng)用中成為優(yōu)選方案。本文將探討碳化硅器件的主要性能優(yōu)勢(shì)，并提供在實(shí)際應(yīng)用中的設(shè)計(jì)選型指南。

2025-03-19 16:59:40

1045

碳化硅（SiC）MOSFET替代硅基IGBT常見(jiàn)問(wèn)題Q&A

碳化硅（SiC）MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件，在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應(yīng)鏈都日趨完善，國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅在

2025-03-13 11:12:48

1580

全球功率半導(dǎo)體變革：SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起：從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革：傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)

2025-03-13 00:27:37

767

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過(guò)渡？

電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅

2025-03-12 11:31:09

897

博世碳化硅功率模塊生產(chǎn)基地落成

近日，博世汽車電子中國(guó)區(qū)（ME-CN）在蘇州五廠建成碳化硅（SiC）功率模塊生產(chǎn)基地，并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標(biāo)志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領(lǐng)域邁出了重要一步，也進(jìn)一步提升了本土市場(chǎng)的響應(yīng)速度，增強(qiáng)了博世智能出行集團(tuán)的競(jìng)爭(zhēng)力。

2025-03-06 18:09:29

1113

CREE（Wolfspeed）的壟斷與衰落及國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示

中國(guó)碳化硅襯底材料從受制于人到實(shí)現(xiàn)自主突破的歷程，以及由此對(duì)國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的啟示，可以歸納為以下幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)：? 一、從壟斷到突破：中國(guó)碳化硅材料的逆襲之路 CREE（Wolfspeed

2025-03-05 07:27:05

1295

碳化硅跟AR眼鏡是怎么聯(lián)系到一起的？

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道??近期碳化硅襯底供應(yīng)商天科合達(dá)與微納光電器件公司慕德微納共同出資成立合資公司，雙方將在AR衍射光波導(dǎo)鏡片技術(shù)研發(fā)與市場(chǎng)推廣方面展開(kāi)深度合作，共同推動(dòng)AR行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用落地

2025-03-03 00:09:00

2987

BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)隔離供電的性價(jià)比最優(yōu)解

在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢(shì)中，驅(qū)動(dòng)隔離供電方案的性能與成本成為關(guān)鍵制約因素?；景雽?dǎo)體的 BTP1521P 和 BTP1521F 通過(guò)技術(shù)整合與設(shè)計(jì)創(chuàng)新，完美適配SiC器件的需求，成為推動(dòng)硅基向碳化硅升級(jí)的核心驅(qū)動(dòng)方案。

2025-03-01 10:16:09

1311

超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

隨著B(niǎo)ASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開(kāi)始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。

2025-03-01 08:53:44

1053

SiC碳化硅二極管公司成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

結(jié)合國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象，比如2024已經(jīng)有超過(guò)兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算，僅有碳化硅二極管

2025-02-28 10:34:31

752

碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)有哪些

隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車的普及，全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下，碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件，以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)域中嶄露頭角

2025-02-26 11:03:29

1400

碳化硅功率器件的特性和應(yīng)用

隨著全球能源需求的快速增長(zhǎng)和對(duì)可再生能源的重視，電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過(guò)程中，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其優(yōu)越的性能，正在逐步取代傳統(tǒng)硅（Si

2025-02-25 13:50:11

1608

國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

碳化硅行業(yè)觀察：國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析近年來(lái)，碳化硅（SiC）功率器件市場(chǎng)雖高速增長(zhǎng)，但行業(yè)集中度快速提升，2024年以來(lái)多家SiC器件設(shè)計(jì)公司接連倒閉，國(guó)內(nèi)碳化硅功率

2025-02-24 14:04:38

933

碳化硅SiC的光學(xué)優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

碳化硅（SiC）在大口徑光學(xué)反射鏡上的應(yīng)用，主要得益于其高比剛度、優(yōu)異熱穩(wěn)定性和寬光譜響應(yīng)等特性，成為空間觀測(cè)、深空探測(cè)等領(lǐng)域的核心材料。以下是關(guān)鍵應(yīng)用進(jìn)展與技術(shù)突破：一、材料優(yōu)勢(shì)1.輕量化與高剛度

2025-02-22 14:40:37

2197

Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新

2025-02-19 11:35:41

1716

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案

傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案，助力射頻電源業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)

2025-02-13 21:56:24

914

BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件

2025-02-12 06:41:45

947

高頻電鍍電源國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比

傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例，分析BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比：傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT

2025-02-09 20:17:29

1126

納微半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。

2025-02-07 13:35:08

1234

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹

碳化硅革新電力電子，以下是關(guān)于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹，結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值，助力電力電子領(lǐng)域的革新。

2025-02-05 14:34:48

1658

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。

2025-02-05 13:49:12

1950

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開(kāi)關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，碳化硅功率器件在高密度和高功率應(yīng)用中會(huì)

2025-02-03 14:22:00

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碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析碳化硅功率器件的封裝技術(shù)，從封裝材料選擇、焊接技術(shù)、熱管理技術(shù)、電氣連接技術(shù)和封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面展開(kāi)探討。

2025-02-03 14:21:00

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碳化硅的缺陷分析與解決方案

碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料，因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場(chǎng)等特性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而，碳化硅材料中的缺陷，如微管、位錯(cuò)、堆垛層錯(cuò)等，會(huì)嚴(yán)重影響器件的性能和可靠性

2025-01-24 09:17:14

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碳化硅的耐高溫性能

在現(xiàn)代工業(yè)中，高性能材料的需求日益增長(zhǎng)，特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進(jìn)的陶瓷材料，因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關(guān)注。 1. 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種共價(jià)鍵合的陶瓷材料，具有高硬度

2025-01-24 09:15:48

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碳化硅與傳統(tǒng)硅材料的比較

在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，材料的選擇對(duì)于器件的性能至關(guān)重要。硅（Si）作為最常用的半導(dǎo)體材料，已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而，隨著電子器件對(duì)性能要求的不斷提高，碳化硅（SiC）作為一種新型半導(dǎo)體材料

2025-01-23 17:13:03

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碳化硅材料的特性和優(yōu)勢(shì)

碳化硅（SiC）是一種高性能的陶瓷材料，因其卓越的物理和化學(xué)特性而在許多工業(yè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。從高溫結(jié)構(gòu)部件到電子器件，SiC的應(yīng)用范圍廣泛，其獨(dú)特的性能使其成為許多應(yīng)用中的首選材料。 碳化硅

2025-01-23 17:11:34

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碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

碳化硅（SiC）在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色，其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì)：一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高

2025-01-23 17:09:35

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碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅（SiC）是一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的材料，這些性質(zhì)使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導(dǎo)體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。由于其寬帶隙特性，SiC基半導(dǎo)體器件能夠在

2025-01-23 17:06:13

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碳化硅在電磁爐中有什么優(yōu)勢(shì)

碳化硅的導(dǎo)熱系數(shù)高，能使電磁爐的加熱元件快速升溫，將電能更高效地轉(zhuǎn)化為熱能，從而減少熱量散失和能量浪費(fèi)，提高電磁爐的加熱效率。

2025-01-23 14:14:03

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碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案，對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

一、引言隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對(duì)其襯底質(zhì)量的檢測(cè)愈發(fā)關(guān)鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù)，準(zhǔn)確測(cè)量這些參數(shù)對(duì)于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附

2025-01-23 10:30:54

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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET

2025-01-22 10:43:28

產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

*附件：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf

2025-01-20 14:19:40

不同的碳化硅襯底的吸附方案，對(duì)測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，碳化硅（SiC）襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺(tái)階。對(duì)于碳化硅襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）參數(shù)猶如精密天平上的砝碼，細(xì)微

2025-01-14 10:23:10

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碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇，對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中，碳化硅襯底的 BOW

2025-01-13 14:36:13

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安森美碳化硅應(yīng)用于柵極的5個(gè)步驟

在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？5步法應(yīng)對(duì)碳化硅特定挑戰(zhàn)，mark~，我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)、碳化硅制造挑戰(zhàn)、碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)、安森美（onsemi）在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)。本文為白皮書第三篇，將重點(diǎn)介紹應(yīng)用于柵極的 5 個(gè)步驟。

2025-01-09 10:31:47

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安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)

此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中，我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)及碳化硅制造挑戰(zhàn)，本文為白皮書第二部分，將重點(diǎn)介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及安森美（onsemi）在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)。

2025-01-07 10:18:48

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