產品
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SGM6906VUT X波段 50W GaN HEMT模塊2023-12-14 09:18
產品型號：SGM6906VUT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGM6906VUT 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地：日本 封裝：SMT -
SGM6906VU X波段 50W GaN HEMT模塊2023-12-14 09:11
產品型號：SGM6906VU 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGM6906VU 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地：日本 封裝：SMT -
SGK5867-100C C波段 內部匹配 GaN HEMT2023-12-13 12:13
產品型號：SGK5867-100C 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： SGK5867-100C 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地：日本 封裝：SMT -
FLM7179-6F C波段 內部匹配 FET2023-12-13 11:58
產品型號：FLM7179-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7179-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地：日本 封裝：SMT -
FLM6472-6F C波段 內部匹配 FET2023-12-13 11:50
產品型號：FLM6472-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： FLM6472-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地：日本 封裝：SMT -
FLM3135-12F C波段 內部匹配 FET2023-12-13 11:43
產品型號：FLM3135-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM3135-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地：日本 封裝：SMT -
FLM1415-4F Ku波段 內部匹配 FET2023-12-13 11:35
產品型號：FLM1415-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1415-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地：日本 封裝：SMT -
FLM1314-12F X、Ku波段 內部匹配 FET2023-12-13 11:26
產品型號：FLM1314-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1314-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產地：日本 封裝：SMT -
FHX35X/002 低噪聲 HEMT2023-12-13 11:17
產品型號：FHX35X/002 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX35X/002 名稱：砷化鎵HEMT 名稱：日本 封裝：SMT -
FHX35LPT 超低噪聲 HEMT2023-12-13 11:05
產品型號：FHX35LPT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： FHX35LPT 名稱：砷化鎵HEMT 產地：日本 封裝：SMT