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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • SGC8598-200B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:35

    產(chǎn)品型號(hào)：SGC8598-200B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC8598-200B-R 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • F658-5867-100A C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:28

    產(chǎn)品型號(hào)：F658-5867-100A 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)： F658-5867-100A 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：I2F

  • SGC8598-100B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:20

    產(chǎn)品型號(hào)：SGC8598-100B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC8598-100B-R 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • SGC5259-400B-R C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 21:17

    產(chǎn)品型號(hào)：SGC5259-400B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC5259-400B-R 名稱(chēng)： IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：封裝

  • SGC7178-100A C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 21:10

    產(chǎn)品型號(hào)：SGC7178-100A 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC7178-100A 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • SGC7172-30A C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 21:01

    產(chǎn)品型號(hào)：SGC7172-30A 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC7172-30A 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • SGN3133-260H-R 雷達(dá)用高壓大功率 GaN HEMT2023-12-10 20:51

    產(chǎn)品型號(hào)：SGN3133-260H-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGN3133-260H-R 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • SGC7172-120A C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 20:42

    產(chǎn)品型號(hào)：SGC7172-120A 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGC7172-120A 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • SGK5867-30C C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 20:35

    產(chǎn)品型號(hào)：SGK5867-30C 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGK5867-30C 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IBK

  • SGK5872-20C C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-10 17:56

    產(chǎn)品型號(hào)：SGK5872-20C 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGK5872-20C 名稱(chēng)：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IBK