立年電子科技產(chǎn)品

• SGN2933-600D-R 雷達(dá)用高壓大功率GaN HEMT2023-12-11 13:25

  

  產(chǎn)品型號：SGN2933-600D-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGN2933-600D-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：M1B

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• SGK1314-30A Ku帶 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 13:18

  

  產(chǎn)品型號：SGK1314-30A 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGK1314-30A 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IBK

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• SGM6901VU X波段 24W GaN HEMT模塊2023-12-11 13:11

  

  產(chǎn)品型號：SGM6901VU 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGM6901VU 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：VU

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• SGK1314-60B ku帶 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 13:04

  

  產(chǎn)品型號：SGK1314-60B 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGK1314-60B 名稱： IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IBK

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• SGC0910-300B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 12:15

  

  產(chǎn)品型號：SGC0910-300B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGC0910-300B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

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• SGC8595-300B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 12:09

  

  產(chǎn)品型號：SGC8595-300B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： SGC8595-300B-R 名稱： IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

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• SGC1011-300B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 12:03

  

  產(chǎn)品型號：SGC1011-300B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGC1011-300B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

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• SGK1314-30B ku帶 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:55

  

  產(chǎn)品型號：SGK1314-30B 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGK1314-30B 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IBK

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• SGC0910-200B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:48

  

  產(chǎn)品型號：SGC0910-200B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGC0910-200B-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

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• SGC8598-50B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 11:42

  

  產(chǎn)品型號：SGC8598-50B-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGC8598-50B-R 名稱： IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

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