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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • ELM7179-4PST C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 11:43

    產(chǎn)品型號:ELM7179-4PST 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:ELM7179-4PST 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT
  • ELM7179-4PS C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 11:38

    產(chǎn)品型號:ELM7179-4PS 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:ELM7179-4PS 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT
  • ELM6472-7PST C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 11:28

    產(chǎn)品型號:ELM6472-7PST 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:ELM6472-7PST 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT
  • ELM6472-7PS C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 11:23

    產(chǎn)品型號:ELM6472-7PS C波段:Sumitomo Electric Device Innov 型號:ELM6472-7PS 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT
  • ELM6472-4PST C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 11:01

    產(chǎn)品型號:ELM6472-4PST 廠家: Sumitomo Electric Device Inno 型號:ELM6472-4PST 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT
  • ELM6472-4PS C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 10:55

    產(chǎn)品型號:ELM6472-4PS 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:ELM6472-4PS 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT
  • ELM5964-7PST C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 10:46

    產(chǎn)品型號:ELM5964-7PST 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:ELM5964-7PST 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT
  • ELM5964-7PS C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 10:37

    產(chǎn)品型號:ELM5964-7PS 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:ELM5964-7PS 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT
  • ELM5964-4PS C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 10:25

    產(chǎn)品型號:ELM5964-4PS 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:ELM5964-4PS 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT
  • ELM5964-4PST C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 10:19

    產(chǎn)品型號:ELM5964-4PST 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號:ELM5964-4PST 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地:日本 封裝:SMT