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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • FHX35LP 超低噪聲 HEMT2023-12-13 10:58

    產(chǎn)品型號：FHX35LP 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX35LP 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • FHX35LGT/002 超低噪聲 HEMT2023-12-12 20:03

    產(chǎn)品型號：FHX35LGT/002 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX35LGT/002 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • FHX35LG/002 超低噪聲 HEMT2023-12-12 19:56

    產(chǎn)品型號：FHX35LG/002 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FHX35LG/002 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • ELM7785-7PST C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 19:34

    產(chǎn)品型號：ELM7785-7PST 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM7785-7PST 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • ELM7785-7PS C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 19:29

    產(chǎn)品型號：ELM7785-7PS 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM7785-7PS 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • ELM7785-60F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 19:20

    產(chǎn)品型號：ELM7785-60F 廠家： Sumitomo Electric Device Inno 型號：ELM7785-60F 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • ELM7785-4PST C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 19:11

    產(chǎn)品型號：ELM7785-4PST 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM7785-4PST 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • ELM7785-4PS C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 19:05

    產(chǎn)品型號：ELM7785-4PS 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM7785-4PS 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • ELM7179-7PST C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 13:19

    產(chǎn)品型號：ELM7179-7PST 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM7179-7PST 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • ELM7179-7PS C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 11:53

    產(chǎn)品型號：ELM7179-7PS 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM7179-7PS 名稱： IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT