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• FLL107ME L波段中高功率GaAs FET2023-12-06 10:00

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FLL107ME 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLL107ME 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：ME

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• FLU10XM L波段中高功率GaAs FET 2023-12-06 09:48

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FLU10XM 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)： FLU10XM 名稱： High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XM

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• FLL357ME L波段中高功率GaAs FET 2023-12-06 09:36

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FLL357ME 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLL357ME 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：ME

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• FLK057XV GaAs FET芯片2023-12-06 09:18

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FLK057XV 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)： FLK057XV 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XV

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• FLU10ZM L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 23:02

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FLU10ZM 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLU10ZM 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XP

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• FLC157XP GaAs FET和HEMT芯片2023-12-05 22:55

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FLC157XP 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLC157XP 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XP

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• FLC087XP GaAs FET芯片2023-12-05 22:47

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FLC087XP 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLC087XP 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XP

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• FLU10ZMTE1 L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:39

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FLU10ZMTE1 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLU10ZMTE1 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：ME

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• FLU17XM L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:30

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FLU17XM 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLU17XM 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XM

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• FLU17XMT L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:24

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FLU17XMT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLU17XMT 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：XM

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