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標(biāo)簽 > 單片機(jī)
單片機(jī)(Microcontrollers,亦稱MCU)包括了CPU、隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM、只讀存儲(chǔ)器ROM、多種I/O口和中斷系統(tǒng)、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器等功能集成到一塊硅片上構(gòu)成的一個(gè)小而完善的微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng),在工業(yè)控制領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
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RS485/232轉(zhuǎn)4-20ma數(shù)字轉(zhuǎn)12路模擬信號模塊簡介
IBF34系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)主機(jī)RS-485/232接口信號隔離轉(zhuǎn)換成標(biāo)準(zhǔn)模擬信號,用以控制遠(yuǎn)程設(shè)備。IBF34系列產(chǎn)品可應(yīng)用在 RS-232/RS-485總...
NP50P03D6 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP50P03D6采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),本設(shè)備適合使用 作為負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。 一般特征 ?VDS = -30v, i...
NP3403MR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3403MR采用先進(jìn)壕溝 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PWM應(yīng)...
NP3403VR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3403VR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PWM...
集成微控制器的的SOC無線收發(fā)芯片XL2401C簡介
XL2401C 芯片是工作在2.400~2.483GHz世界通用ISM 頻段,集成微控制器的的SOC 無線收發(fā)芯片。
NP3401YMR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401YMR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 提供卓越的RDS(ON)技術(shù) 一般特征 、低門 充電和工作的柵極電壓低至2.5V。 本裝置適用于作為負(fù)載開關(guān)或中...
NP3401HR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401HR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至2.5V。這 該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
np3401mr - n30v p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401MR-N采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 充電和工作的柵極電壓低至2.5V。 本裝置適用于作為負(fù)載開關(guān)或中壓開關(guān) 脈...
NP3401MR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401MR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至2.5V。這 該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
RS485/232控制系統(tǒng)中的IBF68:檢測開關(guān)量信號或控制設(shè)備運(yùn)行
產(chǎn)品概述: IBF68產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)傳感器和主機(jī)之間的信號采集與控制,用來檢測開關(guān)量信號,或者控制設(shè)備運(yùn)行。IBF68系列產(chǎn)品可應(yīng)用在?RS-232/485總...
2022-07-12 標(biāo)簽:單片機(jī)控制系統(tǒng)數(shù)據(jù)信號 2.3k 0
NP3401MR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401MR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至2.5V。這 該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP3433EHR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3433EHR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP2301FVR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301FVR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PW...
全志T507去掉IO擴(kuò)展芯片后實(shí)現(xiàn)保留擴(kuò)展引腳功能的方法
飛凌嵌入式推出的OKT507-C作為一款廣受歡迎的開發(fā)板擁有豐富的接口資源,而實(shí)際上OKT507-C的CPU引腳資源是比較緊缺的,那么它是如何實(shí)現(xiàn)這么豐...
NP2301FHR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301FHR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PW...
NP2301AJR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301AJR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP2301BVR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 一般特征 NP2301BVR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。本裝置適用于作為負(fù)載...
NP2301BMR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301BMR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) 一般特征 ,低柵極電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開關(guān)或PW...
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