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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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巨霖科技PanosSPICE仿真平臺的核心技術(shù)亮點(diǎn)
Signoff 級器件精度,流片前最后一道真值防線:基于全物理晶體管級建模,在與業(yè)界 Golden 標(biāo)準(zhǔn)工具的系統(tǒng)對比驗(yàn)證中,電源節(jié)點(diǎn)電壓誤差達(dá)到 Go...
開關(guān)電源中光耦合器的正確偏置和補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)
光耦合器對開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)至關(guān)重要,它使得信號能夠安全、可靠地跨越電氣隔離邊界傳輸。而光耦合器的性能取決于適當(dāng)?shù)钠眉霸诜答伩刂骗h(huán)路內(nèi)的正確集成...
2026-03-17 標(biāo)簽:ADI開關(guān)電源光耦合器 2.2k 0
精確表征有機(jī)異質(zhì)界面:解析傳輸長度法TLM中的幾何偏差與接觸電阻物理關(guān)聯(lián)
技術(shù)支持:4009926602在有機(jī)電子學(xué)研究領(lǐng)域,有機(jī)薄膜晶體管的性能優(yōu)化很大程度上取決于金屬電極與有機(jī)半導(dǎo)體界面間的載流子注入效率。為了準(zhǔn)確量化這一...
揭秘芯片測試:如何驗(yàn)證數(shù)十億個(gè)晶體管
微觀世界的“體檢”難題在一枚比指甲蓋還小的芯片中,集成了數(shù)十億甚至上百億個(gè)晶體管,例如NVIDIA的H100GPU包含800億個(gè)晶體管。要如何確定每一個(gè)...
2D材料3D集成實(shí)現(xiàn)光電儲備池計(jì)算
先進(jìn)材料與三維集成技術(shù)的結(jié)合為邊緣計(jì)算應(yīng)用帶來了新的可能性。本文探討研究人員如何通過單片3D集成方式將硒化銦光電探測器與二硫化鉬憶阻晶體管結(jié)合,實(shí)現(xiàn)傳感...
本文介紹了晶體管轉(zhuǎn)移特性曲線及其核心參數(shù)的意義。曲線描述了柵壓控制漏極電流的過程,涵蓋關(guān)斷、亞閾值與導(dǎo)通區(qū),是定義數(shù)字邏輯和平衡芯片性能的基石。
在飽和模式下,LED 將打開或關(guān)閉,因此,輸出晶體管完全關(guān)閉或完全打開,這意味著導(dǎo)通或非導(dǎo)通模式。此模式用于需要保護(hù)微控制器引腳免受輸出電路高壓影響的地方。
芯片可靠性是一門研究芯片如何在規(guī)定的時(shí)間和環(huán)境條件下保持正常功能的科學(xué)。它關(guān)注的核心不是芯片能否工作,而是能在高溫、高電壓、持續(xù)運(yùn)行等壓力下穩(wěn)定工作多久...
在功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)與選型中,單脈沖雪崩能量(Single Pulse Avalanche Energy, EAS)是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)。它量化...
2026-01-20 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET電路設(shè)計(jì) 4.9k 0
晶體管的輸出特性曲線是半導(dǎo)體器件物理與芯片電路設(shè)計(jì)之間最關(guān)鍵的橋梁。這張圖表描繪了在固定柵極電壓下,晶體管的漏極電流如何隨漏源電壓變化,它本質(zhì)上是一張揭...
深度解析1mV信號放大1000倍的實(shí)現(xiàn)方式
許多傳感器或信號源的信號比較弱,而后續(xù)電路有極低可識別的閾值。比如ADC的輸入電壓范圍通常是 0~3.3V或0~5V,如果原始信號只有幾十μV,ADC就...
選型手冊:AGM6015C N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM6015C是一款面向60V低壓超大功率場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220封裝,適配負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)域。...
選型手冊:AGM40P150C P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM40P150C是一款面向40V低壓超大功率場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220封裝,適配負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)...
選型手冊:AGMH6018C N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGMH6018C是一款面向60V低壓大功率場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220封裝,適配負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)域。...
選型手冊:AGM65N20AT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM65N20AT是一款面向200V高壓中功率場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-247封裝,適配高壓電源管理、同步整流...
選型手冊:AGM012N10LL N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM012N10LL是一款面向100V中壓超大功率場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TOLX-8L封裝,適配高壓超大電流電源...
使用KickStart軟件對MOSFET進(jìn)行脈沖I-V特性表征
在晶體管器件的研發(fā)階段,制造商通常需要對設(shè)計(jì)原型進(jìn)行電學(xué)特性評估。直流(DC)測試是最常見的方法,但對于許多半導(dǎo)體器件而言,只有脈沖或短時(shí)導(dǎo)通(開關(guān))激...
選型手冊:VSP011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP011N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中壓大功率電源管理、DC...
2026-01-06 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 788 0
選型手冊:VS1606GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS1606GS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)...
2026-01-06 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 388 0
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