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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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巨霖科技PanosSPICE仿真平臺的核心技術(shù)亮點
Signoff 級器件精度,流片前最后一道真值防線:基于全物理晶體管級建模,在與業(yè)界 Golden 標(biāo)準(zhǔn)工具的系統(tǒng)對比驗證中,電源節(jié)點電壓誤差達(dá)到 Go...
開關(guān)電源中光耦合器的正確偏置和補償網(wǎng)絡(luò)設(shè)計
光耦合器對開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計至關(guān)重要,它使得信號能夠安全、可靠地跨越電氣隔離邊界傳輸。而光耦合器的性能取決于適當(dāng)?shù)钠眉霸诜答伩刂骗h(huán)路內(nèi)的正確集成...
2026-03-17 標(biāo)簽:ADI開關(guān)電源光耦合器 2.3k 0
精確表征有機異質(zhì)界面:解析傳輸長度法TLM中的幾何偏差與接觸電阻物理關(guān)聯(lián)
技術(shù)支持:4009926602在有機電子學(xué)研究領(lǐng)域,有機薄膜晶體管的性能優(yōu)化很大程度上取決于金屬電極與有機半導(dǎo)體界面間的載流子注入效率。為了準(zhǔn)確量化這一...
先進(jìn)材料與三維集成技術(shù)的結(jié)合為邊緣計算應(yīng)用帶來了新的可能性。本文探討研究人員如何通過單片3D集成方式將硒化銦光電探測器與二硫化鉬憶阻晶體管結(jié)合,實現(xiàn)傳感...
本文介紹了晶體管轉(zhuǎn)移特性曲線及其核心參數(shù)的意義。曲線描述了柵壓控制漏極電流的過程,涵蓋關(guān)斷、亞閾值與導(dǎo)通區(qū),是定義數(shù)字邏輯和平衡芯片性能的基石。
在飽和模式下,LED 將打開或關(guān)閉,因此,輸出晶體管完全關(guān)閉或完全打開,這意味著導(dǎo)通或非導(dǎo)通模式。此模式用于需要保護(hù)微控制器引腳免受輸出電路高壓影響的地方。
芯片可靠性是一門研究芯片如何在規(guī)定的時間和環(huán)境條件下保持正常功能的科學(xué)。它關(guān)注的核心不是芯片能否工作,而是能在高溫、高電壓、持續(xù)運行等壓力下穩(wěn)定工作多久...
在功率MOSFET器件的設(shè)計與選型中,單脈沖雪崩能量(Single Pulse Avalanche Energy, EAS)是一個至關(guān)重要的參數(shù)。它量化...
2026-01-20 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET電路設(shè)計 4.9k 0
晶體管的輸出特性曲線是半導(dǎo)體器件物理與芯片電路設(shè)計之間最關(guān)鍵的橋梁。這張圖表描繪了在固定柵極電壓下,晶體管的漏極電流如何隨漏源電壓變化,它本質(zhì)上是一張揭...
選型手冊:AGM6015C N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM6015C是一款面向60V低壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220封裝,適配負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)域。...
選型手冊:AGM40P150C P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM40P150C是一款面向40V低壓超大功率場景的P溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220封裝,適配負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)...
選型手冊:AGMH6018C N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGMH6018C是一款面向60V低壓大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220封裝,適配負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)域。...
選型手冊:AGM65N20AT N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM65N20AT是一款面向200V高壓中功率場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-247封裝,適配高壓電源管理、同步整流...
選型手冊:AGM012N10LL N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM012N10LL是一款面向100V中壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TOLX-8L封裝,適配高壓超大電流電源...
使用KickStart軟件對MOSFET進(jìn)行脈沖I-V特性表征
在晶體管器件的研發(fā)階段,制造商通常需要對設(shè)計原型進(jìn)行電學(xué)特性評估。直流(DC)測試是最常見的方法,但對于許多半導(dǎo)體器件而言,只有脈沖或短時導(dǎo)通(開關(guān))激...
選型手冊:VSP011N10MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP011N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中壓大功率電源管理、DC...
2026-01-06 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 789 0
選型手冊:VS1606GS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS1606GS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)...
2026-01-06 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 388 0
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