碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

在新能源汽車快速發(fā)展的背景下，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體正成為推動(dòng)電動(dòng)化的重要核心技術(shù)。博世通過多代并行的研發(fā)策略，持續(xù)推進(jìn)SiC MOSFET技術(shù)的演...

2026-03-24 標(biāo)簽：SiC 碳化硅博世 159 0

碳化硅 (SiC) 功率模塊門極驅(qū)動(dòng)技術(shù)：精密電壓鉗位與 DESAT 短路保護(hù)的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

碳化硅 (SiC) 功率模塊門極驅(qū)動(dòng)技術(shù)：精密電壓鉗位與 DESAT 短路保護(hù)的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)深度解析 1. 引言與碳化硅材料的底層物理約束及驅(qū)動(dòng)挑戰(zhàn) 在現(xiàn)代...

2026-03-22 標(biāo)簽：功率模塊碳化硅 DESAT 24 0

電力電子企業(yè)集體死磕基于全SiC碳化硅功率器件的固變SST的根因探究

電力電子企業(yè)集體死磕基于全SiC碳化硅功率器件的固變SST的根因探究 1. 引言：雙重變革交匯下的全球變壓器危機(jī)與技術(shù)破局的必然性在當(dāng)前全球宏觀經(jīng)濟(jì)、...

2026-03-22 標(biāo)簽：電力電子 SiC 碳化硅 183 0

碳化硅 (SiC) MOSFET 雙脈沖測試（DPT）：探頭干擾排除與真實(shí)波形獲取技術(shù)研究

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2026-03-21 標(biāo)簽：MOSFET 探頭碳化硅 158 0

技術(shù)突圍與市場破局：碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的氮化硅陶瓷升級路徑

針對垃圾焚燒與危廢處理領(lǐng)域?qū)诵脑O(shè)備的高要求，氮化硅陶瓷以其高熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)、優(yōu)異抗熱震性及耐腐蝕等技術(shù)優(yōu)勢，成為碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的升級替代方案。...

2026-03-20 標(biāo)簽：碳化硅 25 0

耐焊型NTC熱敏芯片與SiC碳化硅模塊

近年來，新能源汽車受到越來越多消費(fèi)者的青睞，由此也帶動(dòng)了高功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，SiC碳化硅模塊就是其中之一。在碳化硅模塊工作過程中，其溫度變化也會(huì)影響...

2026-03-20 標(biāo)簽：NTC SiC 碳化硅 171 0

從封裝看功率芯片：碳化硅T2PAK封裝的優(yōu)勢

電動(dòng)汽車（EV）、可再生能源系統(tǒng)和人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域電氣化進(jìn)程的持續(xù)提速，正不斷給電源系統(tǒng)帶來更大壓力，對電源系統(tǒng)的效率、小型化及低溫運(yùn)行能...

2026-03-19 標(biāo)簽：封裝碳化硅功率芯片 111 0

碳化硅陶瓷保護(hù)套：技術(shù)指標(biāo)與精準(zhǔn)市場定位分析

碳化硅陶瓷保護(hù)套憑借高硬度、高導(dǎo)熱及耐腐蝕特性，在高溫、高壓、高腐蝕的極端工況中逐步替代傳統(tǒng)材料。產(chǎn)品性能取決于燒結(jié)工藝與技術(shù)指標(biāo)，反應(yīng)燒結(jié)碳化硅密度達(dá)...

2026-03-19 標(biāo)簽：定位碳化硅 121 0

碳化硅陶瓷盤的技術(shù)定位與市場路徑：基于材料對比與產(chǎn)業(yè)需求的務(wù)實(shí)分析

碳化硅陶瓷盤的技術(shù)優(yōu)勢在于高導(dǎo)熱與耐高溫，與氮化硅的高韌性形成性能互補(bǔ)，需通過原料純化與精密加工彌補(bǔ)脆性短板。產(chǎn)品定位于半導(dǎo)體、光伏及高溫?zé)崽幚淼雀邇r(jià)值...

2026-03-18 標(biāo)簽：碳化硅 70 0

基于碳化硅（SiC）模塊的中壓固態(tài)變壓器在軌道交通牽引系統(tǒng)中的模塊化冗余設(shè)計(jì)與應(yīng)用驗(yàn)證

在全球軌道交通向超高速、高能效和極致輕量化邁進(jìn)的宏大背景下，傳統(tǒng)的牽引供電架構(gòu)正面臨著不可逾越的物理與工程瓶頸。

2026-03-20 標(biāo)簽：軌道交通碳化硅固態(tài)變壓器 108 0

浮思特 | 8英寸碳化硅晶圓為什么重要?至信微量產(chǎn)背后的技術(shù)邏輯

隨著新能源汽車、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及高端工業(yè)電源等領(lǐng)域的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件正迎來新一輪技術(shù)升級。其中，碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的重...

2026-03-17 標(biāo)簽：晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 230 0

碳化硅(SiC)MOSFET驅(qū)動(dòng)回路寄生電感的量化評估與關(guān)斷過沖抑制技術(shù)綜合研究

在現(xiàn)代高功率密度與高頻電力電子變換系統(tǒng)（如電動(dòng)汽車牽引逆變器、光伏逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)）的演進(jìn)過程中，碳化硅（SiC）寬禁帶半導(dǎo)體器件已經(jīng)成為取代傳統(tǒng)硅（S...

2026-03-18 標(biāo)簽：IGBT 寄生電感碳化硅 350 0

直播報(bào)名丨2026年寬禁帶開發(fā)者論壇邀請函

多年來，英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇始終是碳化硅與氮化鎵領(lǐng)域?qū)＜揖奂惶玫哪甓仁?huì)。2026年3月17日（中國時(shí)間16點(diǎn)開始），我們將在慕尼黑演播室為您全程直...

2026-03-16 標(biāo)簽：英飛凌碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 753 0

Wolfspeed任命于代輝為大中華區(qū)總裁

美國東部時(shí)間 2026 年 3 月 13 日，美國北卡羅來納州達(dá)勒姆市 — 全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：...

2026-03-16 標(biāo)簽：碳化硅 Wolfspeed 171 0

SiC碳化硅固斷SSCB固態(tài)斷路器在船用電力推進(jìn)系統(tǒng)中的“無磨損”優(yōu)勢與陣列化應(yīng)用

隨著全球航運(yùn)業(yè)對節(jié)能減排、降低溫室氣體排放以及提高運(yùn)營經(jīng)濟(jì)性的要求日益嚴(yán)格，國際海事組織（IMO）不斷收緊船舶能效設(shè)計(jì)指數(shù)（EEDI）和碳強(qiáng)度指標(biāo)（CI...

2026-03-14 標(biāo)簽：斷路器 SiC 碳化硅 646 0

Wolfspeed發(fā)布300mm碳化硅AI數(shù)據(jù)中心先進(jìn)封裝平臺

全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）于近日宣布，Wolfspeed 300mm 碳化硅 (SiC) 技...

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碳化硅（SiC）賦能的高功率無變壓器光伏組串逆變器：動(dòng)態(tài)共模電壓補(bǔ)償與單人便攜運(yùn)維市場價(jià)值分析

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2026-03-11 標(biāo)簽：電氣散熱碳化硅 1k 0

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