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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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繼續(xù)死磕固變SST,2027年就是固變SST商業(yè)化爆發(fā)年!
我們中國人“死磕”固變SST(固態(tài)變壓器,Solid State Transformer),絕不是一時頭腦發(fā)熱,而是國家戰(zhàn)略、產(chǎn)業(yè)升級和現(xiàn)實痛點共同驅(qū)動...
高功率密度SiC電力電子系統(tǒng)的熱仿真與熱界面材料(TIM)選型實戰(zhàn)分析
隨著全球電氣化進程的加速、電動汽車(EV)的普及以及可再生能源并網(wǎng)規(guī)模的擴大,現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)對高轉(zhuǎn)換效率、高功率密度以及極高可靠性的追求已達到前所未有的高度。
多端口固態(tài)變壓器SST作為能量路由器的架構(gòu)與協(xié)同控制研究
基于碳化硅(SiC)模塊構(gòu)建的多端口固態(tài)變壓器SST作為能量路由器的架構(gòu)與協(xié)同控制研究 在全球能源轉(zhuǎn)型、算力基礎(chǔ)設(shè)施爆發(fā)式增長以及交通電氣化的多重驅(qū)動下...
碳化硅(SiC)模塊構(gòu)網(wǎng)型固態(tài)變壓器(GFM-SST)核心綜述:基于高頻磁鏈觀測的電壓支撐算法
隨著全球能源結(jié)構(gòu)的深刻變革,以風(fēng)能和太陽能為代表的可再生能源在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中的滲透率正呈指數(shù)級上升。
Wolfspeed 300mm碳化硅技術(shù)為下一代AI與HPC系統(tǒng)提供可靠基礎(chǔ)
人工智能 (AI) 工作負載的快速增加,正在從根本上重塑數(shù)據(jù)中心的架構(gòu),推動封裝尺寸、功率密度和集成復(fù)雜度達到前所未有的水平。在持續(xù)的高工作負載條件下,...
在新能源汽車快速發(fā)展的背景下,碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體正成為推動電動化的重要核心技術(shù)。博世通過多代并行的研發(fā)策略,持續(xù)推進SiC MOSFET技術(shù)的演...
碳化硅 (SiC) 功率模塊門極驅(qū)動技術(shù):精密電壓鉗位與 DESAT 短路保護的設(shè)計細節(jié)
碳化硅 (SiC) 功率模塊門極驅(qū)動技術(shù):精密電壓鉗位與 DESAT 短路保護的設(shè)計細節(jié)深度解析 1. 引言與碳化硅材料的底層物理約束及驅(qū)動挑戰(zhàn) 在現(xiàn)代...
電力電子企業(yè)集體死磕基于全SiC碳化硅功率器件的固變SST的根因探究
電力電子企業(yè)集體死磕基于全SiC碳化硅功率器件的固變SST的根因探究 1. 引言:雙重變革交匯下的全球變壓器危機與技術(shù)破局的必然性 在當(dāng)前全球宏觀經(jīng)濟、...
碳化硅 (SiC) MOSFET 雙脈沖測試(DPT):探頭干擾排除與真實波形獲取技術(shù)研究
碳化硅 (SiC) MOSFET 雙脈沖測試(DPT):探頭干擾排除與真實波形獲取技術(shù)研究 寬禁帶半導(dǎo)體動態(tài)特性表征的系統(tǒng)性挑戰(zhàn) 在現(xiàn)代電力電子技術(shù)向著...
技術(shù)突圍與市場破局:碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的氮化硅陶瓷升級路徑
針對垃圾焚燒與危廢處理領(lǐng)域?qū)诵脑O(shè)備的高要求,氮化硅陶瓷以其高熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)、優(yōu)異抗熱震性及耐腐蝕等技術(shù)優(yōu)勢,成為碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的升級替代方案。...
2026-03-20 標(biāo)簽:碳化硅 50 0
電動汽車(EV)、可再生能源系統(tǒng)和人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域電氣化進程的持續(xù)提速,正不斷給電源系統(tǒng)帶來更大壓力,對電源系統(tǒng)的效率、小型化及低溫運行能...
碳化硅陶瓷保護套:技術(shù)指標(biāo)與精準(zhǔn)市場定位分析
碳化硅陶瓷保護套憑借高硬度、高導(dǎo)熱及耐腐蝕特性,在高溫、高壓、高腐蝕的極端工況中逐步替代傳統(tǒng)材料。產(chǎn)品性能取決于燒結(jié)工藝與技術(shù)指標(biāo),反應(yīng)燒結(jié)碳化硅密度達...
碳化硅陶瓷盤的技術(shù)定位與市場路徑:基于材料對比與產(chǎn)業(yè)需求的務(wù)實分析
碳化硅陶瓷盤的技術(shù)優(yōu)勢在于高導(dǎo)熱與耐高溫,與氮化硅的高韌性形成性能互補,需通過原料純化與精密加工彌補脆性短板。產(chǎn)品定位于半導(dǎo)體、光伏及高溫?zé)崽幚淼雀邇r值...
2026-03-18 標(biāo)簽:碳化硅 99 0
基于碳化硅(SiC)模塊的中壓固態(tài)變壓器在軌道交通牽引系統(tǒng)中的模塊化冗余設(shè)計與應(yīng)用驗證
在全球軌道交通向超高速、高能效和極致輕量化邁進的宏大背景下,傳統(tǒng)的牽引供電架構(gòu)正面臨著不可逾越的物理與工程瓶頸。
2026-03-20 標(biāo)簽:軌道交通碳化硅固態(tài)變壓器 122 0
浮思特 | 8英寸碳化硅晶圓為什么重要?至信微量產(chǎn)背后的技術(shù)邏輯
隨著新能源汽車、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)以及高端工業(yè)電源等領(lǐng)域的快速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件正迎來新一輪技術(shù)升級。其中,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的重...
2026-03-17 標(biāo)簽:晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 268 0
碳化硅(SiC)MOSFET驅(qū)動回路寄生電感的量化評估與關(guān)斷過沖抑制技術(shù)綜合研究
在現(xiàn)代高功率密度與高頻電力電子變換系統(tǒng)(如電動汽車牽引逆變器、光伏逆變器及儲能系統(tǒng))的演進過程中,碳化硅(SiC)寬禁帶半導(dǎo)體器件已經(jīng)成為取代傳統(tǒng)硅(S...
多年來,英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇始終是碳化硅與氮化鎵領(lǐng)域?qū)<揖奂惶玫哪甓仁?026年3月17日(中國時間16點開始),我們將在慕尼黑演播室為您全程直...
2026-03-16 標(biāo)簽:英飛凌碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 773 0
美國東部時間 2026 年 3 月 13 日,美國北卡羅來納州達勒姆市 — 全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司(美國紐約證券交易所上市代碼:...
SiC碳化硅固斷SSCB固態(tài)斷路器在船用電力推進系統(tǒng)中的“無磨損”優(yōu)勢與陣列化應(yīng)用
隨著全球航運業(yè)對節(jié)能減排、降低溫室氣體排放以及提高運營經(jīng)濟性的要求日益嚴(yán)格,國際海事組織(IMO)不斷收緊船舶能效設(shè)計指數(shù)(EEDI)和碳強度指標(biāo)(CI...
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