薄膜

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薄膜是一種薄而軟的透明薄片。用塑料、膠粘劑、橡膠或其他材料制成。薄膜科學(xué)上的解釋為：由原子，分子或離子沉積在基片表面形成的2維材料。例：光學(xué)薄膜、復(fù)合薄膜、超導(dǎo)薄膜、聚酯薄膜、尼龍薄膜、塑料薄膜等等。薄膜被廣泛用于電子電器，機(jī)械，印刷等行業(yè)。

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薄膜技術(shù)

臺(tái)階儀常見(jiàn)問(wèn)題解答：原理、精度與薄膜厚度測(cè)量方法

在半導(dǎo)體制造、微納結(jié)構(gòu)加工以及薄膜材料研究中，表面形貌和臺(tái)階高度測(cè)量是基礎(chǔ)而重要的表征手段。隨著薄膜工藝向納米尺度發(fā)展，對(duì)測(cè)量設(shè)備的精度與穩(wěn)定性提出了更...

2026-03-11 標(biāo)簽：薄膜測(cè)量測(cè)量設(shè)備 63 0

臺(tái)階儀vs.白光干涉：薄膜厚度測(cè)量技術(shù)選型指南

在半導(dǎo)體制造、光伏電池、MEMS器件以及先進(jìn)薄膜材料研發(fā)過(guò)程中，薄膜厚度與表面形貌的精確測(cè)量是質(zhì)量控制和工藝優(yōu)化的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。當(dāng)前工業(yè)與科研領(lǐng)域廣泛使用的...

2026-03-06 標(biāo)簽：薄膜測(cè)量白光干涉儀 83 0

集成電路制造中薄膜生長(zhǎng)設(shè)備的類(lèi)型和作用

薄膜生長(zhǎng)設(shè)備作為集成電路制造中實(shí)現(xiàn)材料沉積的核心載體，其技術(shù)演進(jìn)與工藝需求緊密關(guān)聯(lián)，各類(lèi)型設(shè)備通過(guò)結(jié)構(gòu)優(yōu)化與機(jī)理創(chuàng)新持續(xù)突破性能邊界，滿(mǎn)足先進(jìn)節(jié)點(diǎn)對(duì)薄膜...

2026-03-03 標(biāo)簽：集成電路薄膜 155 0

集成電路制造中薄膜生長(zhǎng)工藝的發(fā)展歷程和分類(lèi)

薄膜生長(zhǎng)是集成電路制造的核心技術(shù)，涵蓋PVD、CVD、ALD及外延等路徑。隨技術(shù)節(jié)點(diǎn)演進(jìn)，工藝持續(xù)提升薄膜均勻性、純度與覆蓋能力，支撐銅互連、高k柵介質(zhì)...

2026-02-27 標(biāo)簽：集成電路薄膜晶圓 581 0

基于橢偏光譜法研究不同基底對(duì)TiO?/SiO?薄膜光學(xué)常數(shù)的影響

橢偏儀作為表征光學(xué)薄膜性能的核心工具，在光學(xué)薄膜領(lǐng)域具有不可替代的作用。本研究聚焦基底類(lèi)型（K9玻璃、石英玻璃、單晶硅）對(duì)溶膠-凝膠法制備的TiO?和S...

2026-02-13 標(biāo)簽：薄膜光譜 95 0

臺(tái)階儀在ZnO/Au復(fù)合薄膜表征中的應(yīng)用：膜厚精確測(cè)量與表面形貌分析

為應(yīng)對(duì)食品中非法添加致癌染料羅丹明B（RhB）的檢測(cè)難題，傳統(tǒng)色譜、質(zhì)譜等方法雖準(zhǔn)確但存在操作繁瑣、成本高且難以實(shí)現(xiàn)快速現(xiàn)場(chǎng)微量檢測(cè)的局限。表面增強(qiáng)拉曼...

2026-02-02 標(biāo)簽：薄膜測(cè)量 402 0

橢偏儀在AR光學(xué)薄膜制備中的應(yīng)用：高折射率與膜厚測(cè)量

隨著增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）技術(shù)在消費(fèi)電子、醫(yī)療及工業(yè)等領(lǐng)域的快速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)高性能光學(xué)元件的需求日益迫切。高折射率光學(xué)組件是實(shí)現(xiàn)設(shè)備輕薄化、擴(kuò)大視場(chǎng)、提升沉浸...

2026-01-21 標(biāo)簽：薄膜 Ar 測(cè)量 191 0

臺(tái)階儀在QLED的應(yīng)用：分子前體溶液法制備的金屬硫化物薄膜形貌與厚度表征

量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED）作為新一代顯示與照明技術(shù)，其性能高度依賴(lài)于電子傳輸層（ETL）與空穴注入層（HIL）的材料特性。傳統(tǒng)有機(jī)材料及某些過(guò)渡金屬氧...

2026-01-19 標(biāo)簽：薄膜 QLED 157 0

什么是單相電機(jī)？薄膜電容和單相電機(jī)是什么關(guān)系？

薄膜電容是一種以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯等塑料薄膜從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。在單相電機(jī)中，薄膜電容通常作為啟動(dòng)電容...

2026-01-19 標(biāo)簽：薄膜電容薄膜電容 380 0

四探針?lè)y(cè)量Ti-Al-C薄膜的電阻率

Ti-Al-C薄膜作為質(zhì)子交換膜燃料電池（PEMFC）金屬雙極板表面改性材料，其導(dǎo)電性能直接影響電池堆的輸出效率，電阻率是評(píng)估該性能的核心指標(biāo)。本文基于...

2026-01-15 標(biāo)簽：薄膜測(cè)量電阻率 288 0

臺(tái)階儀在平板顯示的應(yīng)用：銀導(dǎo)電薄膜的厚度與粗糙度檢測(cè)與優(yōu)化

有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）因其優(yōu)異的光電性能受到廣泛關(guān)注，但其陰極材料制備仍依賴(lài)成本高、工藝復(fù)雜的真空蒸鍍技術(shù)。為此，本研究探索溶液法制備銀納米顆粒基致...

2026-01-14 標(biāo)簽：薄膜檢測(cè) 143 0

臺(tái)階儀在納米薄膜工藝監(jiān)控：基于三臺(tái)階標(biāo)準(zhǔn)的高精度厚度與沉積速率測(cè)定

納米尺度測(cè)量通常依賴(lài)具有納米特征的標(biāo)準(zhǔn)樣品進(jìn)行儀器校準(zhǔn)。目前常見(jiàn)標(biāo)準(zhǔn)樣品多為單臺(tái)階結(jié)構(gòu)，由于儀器非線性，需使用不同高度值進(jìn)行多次校準(zhǔn)。多臺(tái)階標(biāo)準(zhǔn)樣品可減...

2026-01-09 標(biāo)簽：薄膜測(cè)量光譜 202 0

橢偏儀在MEMS的應(yīng)用：Er/Sc-AlN薄膜的厚度和光學(xué)常數(shù)精確表征

隨著5G通信技術(shù)的快速發(fā)展，智能手機(jī)對(duì)射頻前端濾波器的需求急劇增加，聲表面波（SAW）濾波器因其高聲速、高機(jī)電耦合系數(shù)和低溫漂特性成為研究熱點(diǎn)。傳統(tǒng)Li...

2026-01-07 標(biāo)簽：薄膜 mems 光學(xué) 228 0

橢偏儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|不同厚度m-AlN與GaN薄膜的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體是紫外至可見(jiàn)光發(fā)光器件的關(guān)鍵材料。傳統(tǒng)c面取向材料因極化電場(chǎng)導(dǎo)致量子限制斯塔克效應(yīng)，降低發(fā)光效率。采用半極性（如m面）生長(zhǎng)可有效抑制該效...

2025-12-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜 GaN 3.8k 0

臺(tái)階儀在光電材料中的應(yīng)用：基于AZO薄膜厚度均勻性表征的AACVD工藝優(yōu)化

鋁摻雜氧化鋅（AZO）作為一種高性能透明導(dǎo)電氧化物，在光電子和能源器件中具有廣泛應(yīng)用前景。目前，基于氣溶膠輔助化學(xué)氣相沉積（AACVD）技術(shù)制備AZO薄...

2025-12-29 標(biāo)簽：薄膜光電材料 235 0

橢偏儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|不同厚度c-AlN外延薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)

隨著半導(dǎo)體器件向高溫、高頻、高功率方向發(fā)展，氮化鋁（AlN）等寬禁帶半導(dǎo)體材料的外延質(zhì)量至關(guān)重要。薄膜的厚度、界面粗糙度、光學(xué)常數(shù)及帶隙溫度依賴(lài)性直接影...

2025-12-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜 1.3k 0

億能電阻ETR2512薄膜精密片式電阻產(chǎn)品介紹

億能貼片電阻ETR2512 系列是一款采用先進(jìn) NiCr 薄膜技術(shù)制造的高性能薄膜精密片式電阻，遵循 EIA 標(biāo)準(zhǔn) 2512 封裝尺寸，具備超高精度、穩(wěn)...

2025-12-25 標(biāo)簽：薄膜貼片電阻 1.6k 0

薄膜濾波器與陣列波導(dǎo)光柵技術(shù)的比較

波分復(fù)用 (WDM) 是一種提高光纖帶寬和傳輸能力的關(guān)鍵技術(shù)。它通過(guò)同時(shí)傳輸多個(gè)工作在不同波長(zhǎng)的光信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。目前常用的 WDM 技術(shù)包括薄膜濾...

2025-12-19 標(biāo)簽：薄膜濾波器波分復(fù)用 523 0

穩(wěn)態(tài)效率高達(dá)17.2%！大面積鈣鈦礦組件制備及IEC61215驗(yàn)證

鈣鈦礦光伏在生產(chǎn)成本、能量轉(zhuǎn)換效率及規(guī)模化應(yīng)用上具備顯著優(yōu)勢(shì)，是極具商業(yè)化潛力的光伏技術(shù)。但該技術(shù)商業(yè)化仍面臨三大關(guān)鍵障礙：制造過(guò)程依賴(lài)有毒溶劑、大面積...

2025-12-19 標(biāo)簽：薄膜鈣鈦礦 465 0

橢偏儀微區(qū)成像光譜測(cè)量：精準(zhǔn)表征二維ReS?/ReSe?面內(nèi)雙折射率Δn≈0.22

二維過(guò)渡金屬硫族化合物ReS?和ReSe?因其晶體結(jié)構(gòu)中的“錸鏈”而具備顯著的面內(nèi)光學(xué)各向異性，在偏振敏感光電器件中展現(xiàn)出重要潛力。然而，其微米級(jí)樣品在...

2025-12-17 標(biāo)簽：薄膜測(cè)量 543 0

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加速度傳感器

加速度傳感器

+關(guān)注

加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
OBD

OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě)，中文翻譯為“車(chē)載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過(guò)程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征?！叭我狻钡暮瘮?shù)通過(guò)一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對(duì)簡(jiǎn)單的函數(shù)類(lèi)，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
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角度傳感器

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角度傳感器，顧名思義，是用來(lái)檢測(cè)角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂(lè)高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過(guò)1/16圈，角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
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DMD

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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開(kāi)始，再透過(guò)光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
OV7620

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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
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HCS12X系列單片機(jī)簡(jiǎn)介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡(jiǎn)稱(chēng)S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
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干擾器有多種類(lèi)型，如GPS干擾器是適用于長(zhǎng)途客車(chē)司機(jī)以及一些不想被GPS信號(hào)追蹤到的人群的一個(gè)機(jī)器，手機(jī)信號(hào)干擾器主要針對(duì)各類(lèi)考場(chǎng)、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書(shū)館、會(huì)議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場(chǎng)所。
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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲(chǔ)能彈簧來(lái)驅(qū)動(dòng)電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
線束

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半導(dǎo)體工藝

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直流無(wú)刷電機(jī)

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無(wú)刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱(chēng)無(wú)換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無(wú)刷形式，即交流鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)，這種電動(dòng)機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
Genesys

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半導(dǎo)體制冷片

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聲紋識(shí)別

聲紋識(shí)別

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聲紋識(shí)別，生物識(shí)別技術(shù)的一種，也稱(chēng)為說(shuō)話(huà)人識(shí)別，包括說(shuō)話(huà)人辨認(rèn)和說(shuō)話(huà)人確認(rèn)。聲紋識(shí)別就是把聲信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識(shí)別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識(shí)別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
直流電壓

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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱(chēng)為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動(dòng)直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡(jiǎn)單的端對(duì)端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來(lái)直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級(jí)的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級(jí)下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
零序

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ATmega16單片機(jī)

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Buck-Boost

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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開(kāi)單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見(jiàn)的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開(kāi)關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開(kāi)關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
緩沖電路

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LPC2368

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識(shí)別技術(shù)

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所謂識(shí)別技術(shù)，也稱(chēng)為自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過(guò)被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱(chēng)輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱(chēng)輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
制冷片

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VCM

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