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簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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NP2301FVR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301FVR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。該裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān) 或在PW...
NP2301FHR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301FHR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。該裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān) 或在PW...
NP2301AJR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301AJR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP2301BVR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 一般特征 NP2301BVR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。本裝置適用于作為負(fù)載...
NP2301BMR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301BMR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) 一般特征 ,低柵極電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PW...
NP2301AVR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 一般特征 NP2301AVR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。本裝置適用于作為負(fù)載...
NP2301AMR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301AMR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP3401VR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401VR采用了先進(jìn)的塹壕技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至2.5V。這 該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP2305MR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2305MR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。該裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān) 或在PWM...
NP2305HR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2305HR使用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。該裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān) 或在PWM...
NP6P02DR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP6P02DR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP2305VR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2305VR采用了先進(jìn)的塹壕技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) ?V ,低柵極電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM ...
NP2307MR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2307MR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP2307SR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2307SR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) 一般特征 ,低柵極電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PW...
NP2307DR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2307DR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP50P02QR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP50P02QR采用了先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)和設(shè)計(jì),提供優(yōu)秀的RDS(ON)與 門(mén)費(fèi)用低。它可以用于各種各樣的 應(yīng)用程序。 一般特征 ?VDS = -...
NP60P02G 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP60P02G采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) 一般特征 較低的門(mén) 電荷。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。 ?VDS = -20v id...
NP60P02D6 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP60P02D6采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),本設(shè)備適用于 用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。 一般特征 ?VDS = -20v id...
NP2309EFR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2309EFR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。 ...
NP3417EVR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3417EVR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) ?V ,低柵極電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM ...
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