2016年1月7日——全球微控制器（MCU）及觸控技術(shù)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Atmel公司今日宣布，將把下一代壓力傳感技術(shù)應(yīng)用于最新面向智能手機(jī)應(yīng)用的maXTouchU系列。Atmel的壓力傳感技術(shù)
2016-01-13 15:39:49
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車(chē)載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
下一代SONET/SDH設(shè)備
2019-09-05 07:05:33
下一代定位與導(dǎo)航系統(tǒng)
2012-08-18 10:37:12
政策的出臺(tái),面向下一代廣播電視網(wǎng)(NGB)的業(yè)務(wù)及其運(yùn)營(yíng)成為各廣電運(yùn)營(yíng)商的核心工作內(nèi)容,廣電運(yùn)營(yíng)商提供的業(yè)務(wù)類(lèi)型開(kāi)始增多,從“單一業(yè)務(wù)”向“多業(yè)務(wù)、綜合業(yè)務(wù)”發(fā)展;與此同時(shí)隨著市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的加劇,廣電運(yùn)營(yíng)商的服務(wù)理念也從“以業(yè)務(wù)為中心”逐步轉(zhuǎn)換到“ [hide]全文下載[/hide]
2010-04-23 11:33:30
如何進(jìn)行超快I-V測(cè)量？下一代超快I-V測(cè)試系統(tǒng)關(guān)鍵的技術(shù)挑戰(zhàn)有哪些?
2021-04-15 06:33:03
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車(chē)載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
寬禁帶半導(dǎo)體的介紹
2016-04-18 16:06:50
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
TEK049 ASIC為下一代示波器提供動(dòng)力
2018-11-01 16:28:42
隨著移動(dòng)行業(yè)向下一代網(wǎng)絡(luò)邁進(jìn)，整個(gè)行業(yè)將面臨射頻組件匹配，模塊架構(gòu)和電路設(shè)計(jì)上的挑戰(zhàn)。射頻前端的一體化設(shè)計(jì)對(duì)下一代移動(dòng)設(shè)備真的有影響嗎？
2019-08-01 07:23:17
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車(chē)載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。那么具體什么是寬禁帶技術(shù)呢？
2019-07-31 07:42:54
Molex推出下一代高性能超低功率存儲(chǔ)器技術(shù)
2021-05-21 07:00:24
據(jù)彭博社報(bào)道，有傳聞稱(chēng)蘋(píng)果公司目前正致力于開(kāi)發(fā)下一代無(wú)線充電技術(shù)，將可允許iPhone和iPad用戶遠(yuǎn)距離充電。報(bào)道稱(chēng)，有熟知內(nèi)情的消息人士透露：“蘋(píng)果公司正在與美國(guó)和亞洲伙伴展開(kāi)合作以開(kāi)發(fā)新的無(wú)線
2016-02-01 14:26:15
單片光學(xué) - 實(shí)現(xiàn)下一代設(shè)計(jì)
2019-09-20 10:40:49
雙向射頻收發(fā)器NCV53480在下一代RKE中的應(yīng)用是什么
2021-05-20 06:54:23
。今天安泰測(cè)試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測(cè)試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見(jiàn)。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
本文基于Agilent ADS仿真軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細(xì)說(shuō)明設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，結(jié)果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內(nèi)實(shí)現(xiàn)功率15W以上，附加效率超過(guò)67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
充分利用人工智能，實(shí)現(xiàn)更為高效的下一代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
2021-01-15 07:08:39
如何利用低成本FPGA設(shè)計(jì)下一代游戲控制臺(tái)？
2021-04-30 06:54:28
全球網(wǎng)絡(luò)支持移動(dòng)設(shè)備體系結(jié)構(gòu)及其底層技術(shù)面臨很大的挑戰(zhàn)。在蜂窩電話自己巨大成功的推動(dòng)下，移動(dòng)客戶設(shè)備數(shù)量以及他們對(duì)帶寬的要求在不斷增長(zhǎng)。但是分配給移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商的帶寬并沒(méi)有增長(zhǎng)。網(wǎng)絡(luò)中某一通道的使用效率也保持平穩(wěn)不變。下一代射頻接入網(wǎng)必須要解決這些難題，這似乎很難。
2019-08-19 07:49:08
對(duì)實(shí)現(xiàn)下一代機(jī)器人至關(guān)重要的幾項(xiàng)關(guān)鍵傳感器技術(shù)包括磁性位置傳感器、存在傳感器、手勢(shì)傳感器、力矩傳感器、環(huán)境傳感器和電源管理傳感器。
2020-12-07 07:04:36
怎樣去設(shè)計(jì)GSM前端中下一代CMOS開(kāi)關(guān)？
2021-05-28 06:13:36
的機(jī)遇和挑戰(zhàn)等方面，為從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應(yīng)用的專(zhuān)業(yè)人士和研究生提供了難得的學(xué)習(xí)和交流機(jī)會(huì)。誠(chéng)摯歡迎大家的參與。1、活動(dòng)主題寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用2
2017-07-11 14:06:55
，進(jìn)行了優(yōu)化，還有簡(jiǎn)潔的開(kāi)發(fā)文檔。如果你是一名Java程序員，并且準(zhǔn)備好和我一同加入機(jī)器間技術(shù)的潮流，或者說(shuō)開(kāi)發(fā)下一代改變世界的設(shè)備，那么就讓我們開(kāi)始學(xué)習(xí)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）把。在你開(kāi)始嵌入式開(kāi)發(fā)之前，你...
2021-11-05 09:12:34
大家好， 在Ultrascale FPGA中，使用單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)編寫(xiě)。 “單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)”是什么意思？謝謝娜文G K.
2020-04-27 09:29:55
請(qǐng)問(wèn)怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門(mén)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)？
2021-06-17 06:45:48
面向下一代電視的低功耗LED驅(qū)動(dòng)IC是什么？
2021-06-04 06:36:58
了解下一代網(wǎng)絡(luò)的基本概念掌握以軟交換為核心的下一代網(wǎng)絡(luò)(NGN)的形態(tài)與結(jié)構(gòu)掌握下一代網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)關(guān)技術(shù)，包括媒體網(wǎng)關(guān)、信令網(wǎng)關(guān)、接入網(wǎng)關(guān)掌握軟交換的概念、原理、
2009-06-22 14:26:17
34 飛思卡爾推進(jìn)下一代消費(fèi)電子器件動(dòng)作傳感技術(shù)
飛思卡爾半導(dǎo)體推出最新的動(dòng)作傳感技術(shù)，以提升移動(dòng)消費(fèi)電子產(chǎn)品的使用體驗(yàn)。MMA8450Q 加速計(jì)是高精確度、高功
2010-03-12 10:56:11
796 安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開(kāi)發(fā)項(xiàng)目，共同開(kāi)發(fā)下一代硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率器件。
2012-10-10 13:41:311384 下一代網(wǎng)絡(luò)技術(shù)（NGN）的概念起源于美國(guó)克林頓政府1997年10月10日提出的下一代互聯(lián)網(wǎng)行動(dòng)計(jì)劃（NGI）。其目的是研究下一代先進(jìn)的組網(wǎng)技術(shù)、建立試驗(yàn)床、開(kāi)發(fā)革命性應(yīng)用。NGN一直是業(yè)界普遍關(guān)注的熱點(diǎn)和焦點(diǎn)，一些行業(yè)組織和標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)也分別對(duì)各自領(lǐng)域的下一代網(wǎng)絡(luò)技術(shù)進(jìn)行了研究。
2016-01-14 16:18:000 近日，廣東省“寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”在松山湖成立，該創(chuàng)新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導(dǎo)，易事特、中鎵半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、松山湖控股集團(tuán)、廣東風(fēng)華高科股份有限公司多家行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)共同出資發(fā)起設(shè)立。
2018-06-11 01:46:0011051 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是提高產(chǎn)品能效的關(guān)鍵推動(dòng)因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)，具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:516426 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子，新能源汽車(chē)，光伏，機(jī)車(chē)牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，被業(yè)界一直看好。
2018-10-10 16:57:4038620 近日，2018中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會(huì)在濟(jì)南召開(kāi)。會(huì)上，國(guó)家主管部門(mén)領(lǐng)導(dǎo)與技術(shù)專(zhuān)家、金融投資機(jī)構(gòu)、知名企業(yè)負(fù)責(zé)人等共同研討寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工藝和產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，為技術(shù)協(xié)同以及產(chǎn)業(yè)、資本的對(duì)接提供了良好的交流互動(dòng)平臺(tái)。
2018-12-10 14:24:253991 現(xiàn)代電子技術(shù)偏愛(ài)高壓，轉(zhuǎn)向寬禁帶半導(dǎo)體的高壓系統(tǒng)，是因?yàn)椋菏紫龋邏阂馕吨碗娏?，這也意味著系統(tǒng)所用的銅總量會(huì)減少，結(jié)果會(huì)直接影響到系統(tǒng)成本的降低；其次，寬禁帶技術(shù)(通過(guò)高壓實(shí)現(xiàn))的阻性損耗
2018-12-13 16:58:306039 Rolandberger發(fā)布了新報(bào)告“下一代技術(shù)革命‘AI’來(lái)襲”，分析了人們是否準(zhǔn)備好迎接下一代技術(shù)革命。
2019-01-07 10:37:424812 如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結(jié)合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運(yùn)行成本和整體系統(tǒng)尺寸。典型的寬禁帶半導(dǎo)體特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094850 先行區(qū)的橋頭堡。小鎮(zhèn)總占地面積約4900畝，將分“科技創(chuàng)新孵化區(qū)”、“產(chǎn)業(yè)先進(jìn)智造區(qū)”和“半導(dǎo)體生態(tài)科技城”三大功能區(qū)，打造寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)領(lǐng)先高地。
2019-05-17 17:18:524423 虛擬現(xiàn)實(shí)頭顯在過(guò)去五年中取得了明顯的改進(jìn)，并且在未來(lái)五年內(nèi)，由于計(jì)算機(jī)圖形和顯示技術(shù)的進(jìn)步，將向前邁出更大的一步。下一代無(wú)線技術(shù)是VR下一代發(fā)展的缺失環(huán)節(jié)，因?yàn)楫?dāng)代無(wú)線VR硬件無(wú)法滿足用戶期望的流暢沉浸。
2019-08-11 10:46:201006 在這個(gè)網(wǎng)絡(luò)研討會(huì),我們將提供工具需求和設(shè)計(jì)技術(shù),將幫助你在你的路徑設(shè)計(jì)下一代無(wú)線產(chǎn)品。
2019-11-06 07:06:003832 隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無(wú)線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分， 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） ， 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高
2020-01-19 17:22:002205 
寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。 安森美
2020-05-28 09:58:592018 
資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資68.55億元人民幣，注冊(cè)資本20億元，占地368.6畝，主要建設(shè)從器件設(shè)計(jì)，驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測(cè)以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶
2020-07-06 08:54:551214 也一樣。隨著對(duì)能源的巨大需求，各國(guó)政府正在采取更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)和新的監(jiān)管措施，以確保所有依賴(lài)能源的產(chǎn)品都需具有最高能效。
2020-12-08 10:27:000 基于新興GaN和SiC寬禁帶技術(shù)的新型半導(dǎo)體產(chǎn)品，有望實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強(qiáng)功能。
2020-10-23 11:03:261297 現(xiàn)代寬禁帶功率器件（SiC， GaN）上的開(kāi)關(guān)晶體管速度越來(lái)越快，使得測(cè)量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn)，在某些情況下幾乎不可能實(shí)現(xiàn)。隔離探測(cè)技術(shù)的出現(xiàn)改變了這種局面，通過(guò)這一技術(shù)，設(shè)計(jì)人員終于能夠放心
2020-12-14 23:36:0022 Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn)，共同促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
2020-12-21 15:48:571258 碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前晶體生長(zhǎng)技術(shù)和器件制造水平最成熟，應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。文章結(jié)合美國(guó)國(guó)防
2021-02-01 11:28:4629 器件性能的限制被認(rèn)識(shí)得越來(lái)越清晰。實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場(chǎng)，也就是選擇寬禁帶的半導(dǎo)體材料。
2021-03-01 16:12:0024 數(shù)字媒體設(shè)備的下一代安全技術(shù)
2021-05-27 13:53:4812 隨著功率電子市場(chǎng)的發(fā)展，傳統(tǒng)硅（Si）器件的性能已經(jīng)接近了理論上的“天花板”，因此近年來(lái)以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)日趨活躍。
2022-06-09 10:18:113995 對(duì)于寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣，要想做好這個(gè)行業(yè)的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點(diǎn)。
2022-07-05 12:44:534545 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見(jiàn)。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來(lái)越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
2022-08-02 17:22:121581 隨著寬禁帶半導(dǎo)體材料成本得到明顯下降，其應(yīng)用情況將會(huì)發(fā)生明顯變化。 編者按： 近年來(lái)，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體，展示出高頻、高壓、高溫等獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇
2022-10-28 11:04:341761 
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時(shí)消耗電力更少，持久性和可靠性更強(qiáng)，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更高效率的電力電子產(chǎn)品提供飛躍的機(jī)遇。
2022-12-02 09:56:041840 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來(lái)《解析寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試中的探頭選擇難題》直播會(huì)議!歡迎企業(yè)、工程師積極報(bào)名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421622 
寬禁帶半導(dǎo)體，指的是價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 下一代無(wú)線通信的氮化鎵功率放大器
2022-12-22 11:34:04851 寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對(duì)應(yīng)電子躍遷導(dǎo)帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810875 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子、新能源汽車(chē)、光伏、機(jī)車(chē)牽引、微波通信器件等。因?yàn)橥黄屏说?b class="flag-6" style="color: red">一代和第二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，受到了業(yè)界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757 
）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-05-05 17:46:2211803 
2023年6月6日，東南大學(xué)迎來(lái)了建校121周年紀(jì)念日。當(dāng)天下午，東南大學(xué)集成電路學(xué)院揭牌儀式在南京舉辦。 揭牌儀式上，“ 東南大學(xué)—揚(yáng)杰科技寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”共建合作協(xié)議正式簽署
2023-06-08 20:05:022674 
以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時(shí)消耗電力更少，持久性和可靠性更強(qiáng)，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更高效率的電力電子產(chǎn)品提供飛躍的機(jī)遇。
2023-06-12 10:11:131657 
以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時(shí)消耗電力更少，持久性和可靠性更強(qiáng)，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更高效率的電力電子產(chǎn)品提供飛躍的機(jī)遇。
2023-06-12 10:12:171456 
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466547 
下一代硅光子技術(shù)會(huì)是什么樣子？
2023-07-05 14:48:561196 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 寬禁帶半導(dǎo)體是指具有寬禁帶能隙的半導(dǎo)體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應(yīng)用前景。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，寬
2023-10-08 19:15:02967 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 在工業(yè)、汽車(chē)和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對(duì)提高能效至關(guān)重要。在本文中， 安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展
2023-10-20 01:55:01777 
半導(dǎo)體材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件，正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車(chē)、消費(fèi)類(lèi)電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 寬
2023-11-03 12:10:021785 
股份有限公司共建的寬禁帶功率器件與應(yīng)用浙江省工程研究中心成功獲批。矽力杰創(chuàng)芯驅(qū)動(dòng)模擬未來(lái)寬禁帶功率器件與應(yīng)用浙江省工程研究中心圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體的器件與電源管理
2023-11-15 08:19:401566 如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
2023-11-23 17:00:21843 
適用于下一代大功率應(yīng)用的XHP?2封裝
2023-11-29 17:04:502359 
能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個(gè)人電子設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景中為能效提升作出
2023-12-07 10:45:021168 2023年12月15日，中國(guó)-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-12-15 16:44:111622 禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個(gè)人電子設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻(xiàn)。寬禁帶材料讓
2023-12-16 08:30:341285 
半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，計(jì)劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施
2024-06-28 09:30:591877 在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)日新月異的今天，荷蘭半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱(chēng)的公司宣布，計(jì)劃投資高達(dá)2億美元（約合1.84億歐元），用于研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，并在其位于漢堡的工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。
2024-06-28 11:12:341392 下一代寬禁帶半導(dǎo)體（WBG）的研發(fā)和生產(chǎn)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進(jìn)一步鞏固其作為全球節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。
2024-06-28 16:56:381691 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天，芯片制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日，該公司宣布將投資高達(dá)2億美元，用于在德國(guó)漢堡工廠開(kāi)發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，并擴(kuò)大其晶圓廠的產(chǎn)能。
2024-06-29 10:03:261673 功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類(lèi)型的半導(dǎo)體材料，它們?cè)陔娮?b class="flag-6" style="color: red">器件中的應(yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別： 材料類(lèi)型：功率半導(dǎo)體通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而寬禁
2024-07-31 09:07:121517 的角色。它們是構(gòu)成電子器件和光電子器件的基礎(chǔ)。根據(jù)禁帶寬度的不同，半導(dǎo)體材料可以分為窄禁帶、中禁帶和寬禁帶材料。寬禁帶半導(dǎo)體材料因其獨(dú)特的電子和光學(xué)特性，在高功率、高頻、高溫和高亮度應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。 寬禁帶半導(dǎo)
2024-07-31 09:09:063202 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《控制當(dāng)前和下一代功率控制器的輸入功率.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-18 11:31:580 ，被稱(chēng)為第三代寬禁帶半導(dǎo)體。 優(yōu)勢(shì) 高溫、高頻、高耐壓：相比第一代（Si、Ge）和第二代（GaAs、InSb、InP）半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料在這些方面具備明顯優(yōu)勢(shì)。 導(dǎo)通電阻?。航档土?b class="flag-6" style="color: red">器件的導(dǎo)通損耗。 電子飽和速率和電子遷移率高：提高
2024-12-05 09:37:102785 
時(shí)存在一些限制，如總體損耗較高、開(kāi)關(guān)頻率和功率輸送受限等。隨著第三代半導(dǎo)體的興起，寬禁帶器件的應(yīng)用使得提高電機(jī)的功率密度、功率輸送能力和效率成為可能?！峨姍C(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
2024-12-25 17:30:32866 
本文介紹第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動(dòng)汽車(chē)的核心部件中，車(chē)用功率模塊（當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT）占據(jù)著舉足輕重的地位，它不僅決定了電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵性能，還占據(jù)了電機(jī)逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571151 
成為行業(yè)內(nèi)的研究熱點(diǎn)。本文將重點(diǎn)探討第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)及其應(yīng)用。二、第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件概述（一）定義與分類(lèi)第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件是指以碳化
2025-02-15 11:15:301613 
目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力，而對(duì)高效電源的需求正在加速增長(zhǎng)。與傳統(tǒng)硅器件相比，寬禁帶技術(shù)，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（ GaN）等仍是促進(jìn)功率轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。工程師必須重新評(píng)估他們的驗(yàn)證和測(cè)試方法，以應(yīng)對(duì)當(dāng)今電氣化的挑戰(zhàn)。
2025-02-19 09:37:10869 
：在剛剛過(guò)去的英飛凌2025年寬禁帶開(kāi)發(fā)論壇上，英飛凌與匯川等企業(yè)展示了寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的最新進(jìn)展。從SiC與GaN技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用到融合Si與SiC逆變器概念，再
2025-07-24 06:20:481455 
共探寬禁帶功率器件領(lǐng)域技術(shù) 作為寬禁帶功率器件領(lǐng)域的重要學(xué)術(shù)與產(chǎn)業(yè)交流平臺(tái)，2025 IEEE 亞洲寬
2025-08-28 16:00:57604 
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