全球最薄動態(tài)隨機存儲器(DRAM)

　　日本半導(dǎo)體巨頭爾必達及其子公司秋田爾必達22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米。

　　超薄DRAM將有助于減少智能手機等移動設(shè)備的厚度，增大其容量。制造成本則和目前厚度1毫米的DRAM相同。

　　該DRAM將由秋田爾必達工廠生產(chǎn)，三季度開始出貨。

閱讀全文

DRAM(188568) DRAM(188568)

AI推理的存儲，看好SRAM？

看到了其前景并提前布局。AI推理也使得存儲HBM不再是唯一熱門，更多存儲芯片與AI推理芯片結(jié)合，擁有了市場機會。 ? 已經(jīng)有不少AI推理芯片、存算一體芯片將SRAM替代DRAM，從而獲得更快的訪問速度、更低的刷新延遲等。 ? 靜態(tài)隨機存取存儲器（Static

2025-03-03 08:51:57

2670

AI(人工智能)極大地增加了物聯(lián)網(wǎng)邊緣的需求。為了滿足這種需求，Etron公司推出了世界上第一款扇入式晶圓級封裝的DRAM——RPC DRAM?支持高帶寬和更小的尺寸。憑借RPC DRAM的性價比和低功耗優(yōu)勢，創(chuàng)新型DRAM是許多可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備上的微型人工智能相機中使用的理想存儲器。

2026-01-05 14:29:37

憶聯(lián)以全系SSD產(chǎn)品賦能存儲產(chǎn)業(yè)高效躍遷

AI的飛速發(fā)展，正成為驅(qū)動全球存儲市場增長的核心動力，市場對DRAM、NAND到SSD/ HDD的存儲全棧需求持續(xù)激增。

2025-12-29 10:45:43

536

DRAM組織結(jié)構(gòu)和讀取原理介紹

DRAM 被組織成層次化的陣列，總共由數(shù)十億個 DRAM 單元組成，每個單元存儲一位數(shù)據(jù)。

2025-12-26 15:10:02

640

CW32F030片上FLASH閃存存儲器物理區(qū)域的劃分

片上 FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主 FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。 1、主 FLASH 存儲器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)

2025-12-23 08:28:04

存儲器缺貨潮下的產(chǎn)業(yè)新局：力積電成焦點，功率半導(dǎo)體迎聯(lián)動機遇

全球存儲器缺貨、價格飆漲的風(fēng)口下，力積電的銅鑼新廠成了國際大廠爭搶的核心資源 —— 繼晟碟之后，美光也正在與力積電洽談合作，希望借助這座已建成、仍有 4-5 萬片月產(chǎn)能余量的工廠快速落地存儲器產(chǎn)能，雙方已敲定三種合作方向，只待力積電最終確認(rèn)。

2025-12-22 11:43:22

1283

Everspin的MRAM芯片存儲技術(shù)工作原理

在存儲技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機存取存儲器）以其獨特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點。

2025-12-15 14:39:04

242

請問如何利用CW32L083系列微控制器的內(nèi)部Flash存儲器進行程序升級和數(shù)據(jù)存儲？

如何利用CW32L083系列微控制器的內(nèi)部Flash存儲器進行程序升級和數(shù)據(jù)存儲？

2025-12-15 07:39:51

低功耗并行SRAM存儲芯片新方案

SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）是一種在通電狀態(tài)下可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的存儲器件，無需刷新即可持續(xù)工作，因此具有高速讀寫、響應(yīng)及時的特點，廣泛應(yīng)用于對實時性要求高的場景。

2025-12-08 16:51:57

442

DDR SDRAM是什么存儲器(雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器介紹)

在計算機和電子設(shè)備中，存儲器扮演著數(shù)據(jù)臨時存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。

2025-12-08 15:20:44

293

CW32L052 FLASH存儲器介紹

概述CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用，可用來存儲應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。芯片支持對 FLASH 存儲器的讀、擦除和寫操作，支持擦寫保護和讀保護。芯片內(nèi)置 FLASH 編程

2025-12-05 08:22:19

SRAM與DRAM的結(jié)構(gòu)差異和特性區(qū)別

在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）依然是計算系統(tǒng)中最核心的存儲組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲方案，但二者憑借成熟的設(shè)計與明確

2025-12-02 13:50:46

867

請問CW32的22 字節(jié) OTP 存儲器一般都怎么使用？

CW32的22 字節(jié) OTP 存儲器一般都怎么使用？

2025-12-02 06:39:44

DRAM動態(tài)隨機存取器的解決方案特點

在當(dāng)今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域（計算機外設(shè)、通信及消費電子），對存儲器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動態(tài)隨機存取存儲器作為核心存儲部件，其性能表現(xiàn)直接影響設(shè)備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM

2025-12-01 13:42:00

253

雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器存儲原理

在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設(shè)計，在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。

2025-11-25 14:28:44

272

stt-marm存儲芯片的結(jié)構(gòu)原理

在存儲技術(shù)快速演進的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。

2025-11-20 14:04:35

244

Everspin串口MRAM芯片常見問題

在嵌入式存儲應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機存儲器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機存儲器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。

2025-11-19 11:51:41

146

DRAM和SRAM、SDRAM相比有什么特點？

DRAM利用電容存儲數(shù)據(jù)，由于電容存在漏電現(xiàn)象，必須通過周期性刷新來維持?jǐn)?shù)據(jù)。此外，DRAM采用行列地址復(fù)用設(shè)計，提高了存儲密度，但增加了控制復(fù)雜性。它廣泛用于大容量、低成本存儲場景，如計算機內(nèi)存。

2025-11-18 11:49:00

477

芯源的片上存儲器介紹

片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成：主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。 ●● 主 FLASH 存儲器，共 64KB，地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)

2025-11-12 07:34:35

PSRAM融合SRAM與DRAM優(yōu)勢的存儲解決方案

PSRAM（偽靜態(tài)隨機存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設(shè)計使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。

2025-11-11 11:39:04

497

高速存儲器sram,帶ECC的異步SRAM系列存儲方案

在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲器的選擇往往成為設(shè)計成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨有的錯誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲解決方案。

2025-11-05 16:21:39

284

MRAM存儲器EMD4E001G-1Gb的優(yōu)勢介紹

在當(dāng)今對數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨特的技術(shù)優(yōu)勢，成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點。

2025-11-05 14:34:28

280

長電科技上半年存儲業(yè)務(wù)收入同比增長超150%

近期，在全球人工智能浪潮的持續(xù)推動下，高算力基礎(chǔ)設(shè)施的密集建設(shè)、端側(cè)設(shè)備對本地化AI處理能力的需求爆發(fā)，催生了對高密度、高性能存儲芯片的海量需求。這一趨勢直接導(dǎo)致SSD（固態(tài)硬盤）和DRAM（動態(tài)

2025-10-27 14:43:46

876

2025年中國存儲芯片行業(yè)市場前景預(yù)測研究報告

2025年中國存儲芯片行業(yè)市場前景預(yù)測研究報告存儲芯片作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要組成部分，涵蓋動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和NAND閃存兩大核心領(lǐng)域。在人工智能（AI）、云計算、大數(shù)據(jù)和移動互聯(lián)網(wǎng)

2025-10-27 08:54:33

4768

Everspin存儲器8位并行總線MRAM概述

在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達35

2025-10-24 16:36:03

532

QSPI PSRAM偽靜態(tài)隨機存儲器選型攻略

QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲功能的高效芯片。QSPI（四線串行外設(shè)接口）是一種高速串行通信接口，用于連接外部設(shè)備；而PSRAM（偽靜態(tài)隨機存儲器）則結(jié)合了快速隨機訪問與動態(tài)存儲的特性。

2025-10-23 15:40:17

379

spi psram偽靜態(tài)存儲器的特點是什么

PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲器，主要是因為其采用類SRAM的接口協(xié)議：只需要提供地址和讀寫命令就可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)存取，無需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制器定期刷新數(shù)據(jù)單元。

2025-10-23 14:29:00

296

OTP存儲器在AI時代的關(guān)鍵作用

一次性可編程（OTP）非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對更先進技術(shù)的需求日益增長，平衡OTP的各項需求變得極具挑戰(zhàn)性。

2025-10-21 10:38:11

1440

SSD為何需要DRAM緩存？天碩工業(yè)級SSD帶來深度解析！

鍵技術(shù)的特點與價值。 Q1：什么是DRAM緩存，它在SSD中起什么作用？ DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）在固態(tài)硬盤中扮演著"高速緩沖區(qū)"的角色。具體到天碩G55 Pro M.2 NVMe工業(yè)級SSD，其DRAM緩存主要承擔(dān)兩項關(guān)鍵任務(wù)：存儲FTL映射表和管理數(shù)據(jù)傳輸?shù)呐R

2025-10-20 17:59:28

655

GD選型手冊

GD存儲器（Flash、利基型DRAM）、32位通用型MCU選型手冊

2025-10-15 15:53:05

HBM技術(shù)在CowoS封裝中的應(yīng)用

HBM通過使用3D堆疊技術(shù)，將多個DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）芯片堆疊在一起，并通過硅通孔（TSV，Through-Silicon Via）進行連接，從而實現(xiàn)高帶寬和低功耗的特點。HBM的應(yīng)用中，CowoS（Chip on Wafer on Substrate）封裝技術(shù)是其中一個關(guān)鍵的實現(xiàn)手段。

2025-09-22 10:47:47

1611

關(guān)于“隨機存取存儲器（RAM）”的基礎(chǔ)知識詳解；

，還請大家海涵，如有需要可看文尾聯(lián)系方式，當(dāng)前在網(wǎng)絡(luò)平臺上均以“ 愛在七夕時 ”的昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！一提到“存儲器”，相信很多朋友都會想到計算機。是的，在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是

2025-09-19 11:04:07

1435

SK海力士宣布量產(chǎn)HBM4芯片，引領(lǐng)AI存儲新變革

HBM4 的開發(fā)，并在全球首次構(gòu)建了量產(chǎn)體系，這一消息猶如一顆重磅炸彈，在半導(dǎo)體行業(yè)乃至整個科技領(lǐng)域激起千層浪。 ? 高帶寬存儲器（HBM）作為一種能夠?qū)崿F(xiàn)高速、寬帶寬數(shù)據(jù)傳輸?shù)南乱淮?DRAM 技術(shù)，自誕生以來便備受矚目。其核心結(jié)構(gòu)是將多個 DRAM 芯片通過

2025-09-16 17:31:14

1362

華大九天新一代存儲器電路特征化提取工具Liberal Mem的核心功能

在科技迅猛發(fā)展的當(dāng)下，數(shù)據(jù)已然成為驅(qū)動各行業(yè)進步的核心要素。從日常生活中的智能手機、電腦，到工業(yè)生產(chǎn)里的自動化設(shè)備，再到前沿的人工智能與大數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，海量數(shù)據(jù)的存儲與高效管理需求與日俱增。存儲器

2025-09-09 17:31:55

866

Keysight MSOS204A是德MSOS204A存儲器示波器2GHz

Keysight MSOS204A是德MSOS204A存儲器示波器2GHz keysight是德MSOS204A存儲器示波器， S 系列示波器配備 2 GHz 存儲器、15 英寸 XGA

2025-08-12 15:48:29

FeRAM存儲器在光伏逆變器中的應(yīng)用優(yōu)勢

隨著全球二氧化碳減排的推進，可再生能源，尤其是太陽能發(fā)電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱功率調(diào)節(jié)器可將太陽能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，因此對可靠性、易維護性和使用壽命有所要求，F(xiàn)eRAM(鐵電體存儲器)的優(yōu)異特性得以發(fā)揮。

2025-08-08 14:41:06

1506

TECNO發(fā)布全球最薄三折概念機

保護，更帶來媲美平板的大屏沉浸體驗。該機折疊狀態(tài)下厚度僅11.49mm，展開后最薄處達3.49mm，刷新三折手機輕薄紀(jì)錄，登頂全球最薄三折。

2025-07-23 16:13:45

777

簡單認(rèn)識高帶寬存儲器

HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。其核心設(shè)計是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump

2025-07-18 14:30:12

2949

紫光國芯推出低功耗高性能PSRAM產(chǎn)品（低功耗偽靜態(tài)隨機存儲器）

近日，紫光國芯自主研發(fā)的PSRAM（低功耗偽靜態(tài)隨機存儲器）芯片系列產(chǎn)品正式發(fā)布，并同步上線天貓官方旗艦店。此次上新的PSRAM產(chǎn)品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議Xccela，容量覆蓋32Mb，64Mb

2025-07-01 16:42:50

1443

全球專用型存儲產(chǎn)品市場分析

。 ? 半導(dǎo)體存儲器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存，可分為易失性(Volatile)存儲和非易失性(Non-Volatile)存儲。利基型DRAM屬于易失性存儲，NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非

2025-06-29 06:43:00

1768

半導(dǎo)體存儲芯片核心解析

，是信息時代的基石。 2. 核心分類：斷電后數(shù)據(jù)還在嗎？這是最根本的分類依據(jù)：易失性存儲器：斷電后數(shù)據(jù)立刻消失。特點：速度快，通常用作系統(tǒng)運行的“工作臺”。代表：DRAM (動態(tài)隨機存取存儲器

2025-06-24 09:09:39

CSS6404LS-LI PSRAM：高清語音識別設(shè)備的理想存儲器解決方案

CSS6404LS-LI通過 >500MB/s帶寬、105℃高溫運行及μA級休眠功耗三重突破，成為高清語音設(shè)備的理想存儲器

2025-06-04 15:45:23

565

單片機實例項目：AT24C02EEPROM存儲器

單片機實例項目：AT24C02EEPROM存儲器，推薦下載！

2025-06-03 20:50:02

深圳市存儲器行業(yè)協(xié)會走訪SGS深圳分公司

近日，深圳市存儲器行業(yè)協(xié)會秘書長劉琳走訪SGS深圳分公司，深入?yún)⒂^了SGS微電子實驗室，并與SGS技術(shù)專家展開深度交流，分享了行業(yè)發(fā)展的最新動態(tài)與趨勢，雙方共同探討了在存儲產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的背景下，SGS與協(xié)會如何攜手共進，推動行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

2025-05-29 17:25:46

817

SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領(lǐng)跑者

近年來，SK海力士屢獲創(chuàng)新成果，這些成就皆得益于“一個團隊”協(xié)作精神（One Team Spirit）”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品，還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應(yīng)商，這些

2025-05-23 13:54:36

1014

存儲DRAM：擴張與停產(chǎn)雙重奏

一季度，SK海力士憑借在HBM領(lǐng)域的絕對優(yōu)勢，終結(jié)三星長達四十多年的市場統(tǒng)治地位，以36.7%的市場份額首度登頂全球DRAM市場第一。 ? 當(dāng)前國際存儲大廠轉(zhuǎn)向更多投資HBM、并逐步放棄部分DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能，疊加關(guān)稅出口等這些因素對存儲的后續(xù)市場產(chǎn)生影響。 ?

2025-05-10 00:58:00

8822

MCU存儲器層次結(jié)構(gòu)解析

? ? ? ?MCU的存儲器層次結(jié)構(gòu)通過整合不同性能與功能的存儲單元，優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次：一、寄存器層（最高速）定位?：集成于CPU內(nèi)核中，直接參與運算

2025-05-09 10:21:09

618

半導(dǎo)體存儲器測試圖形技術(shù)解析

在半導(dǎo)體存儲器測試中，測試圖形（Test Pattern）是檢測故障、驗證可靠性的核心工具。根據(jù)測試序列長度與存儲單元數(shù)N的關(guān)系，測試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。

2025-05-07 09:33:37

1222

CYPD3177-24LQXQT是否實現(xiàn)內(nèi)部存儲器？

CYPD3177-24LQXQT 是否實現(xiàn)內(nèi)部存儲器？（例如內(nèi)存）？ BCR 數(shù)據(jù)表中似乎沒有提及這一點。

2025-05-07 07:23:10

多軸控制器可使用國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20（MB85RS2MT）

多軸控制器可使用國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20（MB85RS2MT）

2025-05-06 09:47:26

585

淺談MCU片上RAM

，與CPU直接交互，支持實時數(shù)據(jù)存取，承擔(dān)變量、堆棧、中斷向量表等動態(tài)數(shù)據(jù)的存儲功能。主要類型? SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）?：無需刷新電路，速度快、功耗低，但密度較低，廣泛用于MCU主內(nèi)存。 eDRAM（嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器）?：部分高端MCU采用

2025-04-30 14:47:08

1123

STM32N6使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲器，地址如何配置？

STM32N6 使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲器（保存FSBL和app），因為eMMC不支持內(nèi)存映射，那么使用STM32CubeProgrammer下載bin文件時地址選擇哪里？還有

2025-04-28 08:02:23

STM32N6使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲器，地址如何配置？

STM32N6 使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲器（保存FSBL和app），因為eMMC不支持內(nèi)存映射，那么使用STM32CubeProgrammer下載bin文件時地址選擇哪里？還有

2025-04-22 11:31:33

存儲器IC的應(yīng)用技巧【日桑野雅彥】

UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)與使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，

2025-04-16 16:04:56

瑞薩RA系列MCU FSP庫開發(fā)實戰(zhàn)指南（09）存儲器映射

3.3 存儲器映射前文所述，寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲設(shè)備。那么，當(dāng)我們需要訪問它們的時候，我們需要知道它們的存儲地址。 3.3.1 存儲器映射表如下圖所示為RA6M5

2025-04-16 15:52:09

1375

非易失性存儲器芯片的可靠性測試要求

非易失性存儲器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機、個人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足

2025-04-10 14:02:24

1333

扒一扒單片機與存儲器的那些事

單片機與存儲器的關(guān)系像什么？單片機里的存儲都是一樣的嗎？為什么有的單片機既有EEPROM又有Flash？

2025-04-10 10:06:01

1434

SK海力士僅選擇器存儲器(SOM)的研發(fā)歷程

人工智能與高性能計算（HPC）正以空前的速度發(fā)展，將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時代日益增長的需求，業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲技術(shù)的新興存儲技術(shù)。

2025-04-03 09:40:41

1709

【「芯片通識課：一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗】初識芯片樣貌

再次進入數(shù)據(jù)的“靜態(tài)”，其讀出/寫入示意圖如下圖所示。 動態(tài)隨機存儲器(DRAM) 動態(tài)隨機存儲器也是一種隨機存儲器，芯片再通電的情況下，其中的數(shù)據(jù)需要定時地不斷刷新才能保持不變。其存儲單元與SRAM

2025-03-23 09:47:39

FM25CL64B-GTR 絲印FM25CL64BG SOP8 64Kbit鐵電存儲器

特性64 千比特鐵電隨機存取存儲器（F - RAM），邏輯上組織為 8K×8高達 100 萬億次（\(10^{14}\)）讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限（詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表

2025-03-19 11:35:49

存儲器IC的應(yīng)用技巧 [日桑野雅彥]

本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，

2025-03-07 10:52:47

SK海力士將關(guān)閉CIS圖像傳感器部門轉(zhuǎn)向AI存儲器領(lǐng)域

海力士稱此舉是為了鞏固其作為全球領(lǐng)先 AI 芯片企業(yè)的地位。 SK 海力士稱其? CIS 團隊擁有僅靠存儲芯片業(yè)務(wù)無法獲得的邏輯制程技術(shù)和定制業(yè)務(wù)能力。而在存儲和邏輯半導(dǎo)體高度融合的今天，唯有將 CIS 團隊和存儲部門聚合為一個整體，才能進一步提升該企業(yè)的 AI 存儲器競爭力。相較于

2025-03-06 18:26:16

1078

鐵電存儲器SF24C64對標(biāo)FM24C64性能、應(yīng)用和成本分析

鐵電存儲器SF24C64對標(biāo)FM24C64性能、應(yīng)用和成本分析

2025-03-03 10:25:45

1304

DS1993 iButton存儲器技術(shù)手冊

DS1992/DS1993內(nèi)存iButtons（以下簡稱DS199x）是堅固的讀/寫數(shù)據(jù)載體，充當(dāng)本地化數(shù)據(jù)庫，易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲器和可選的計時功能為存儲和檢索與iButton所連接

2025-02-26 10:39:06

821

鐵電存儲器SF24C64對標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析

鐵電存儲器SF24C64對標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析

2025-02-25 09:40:59

1103

2024年全球存儲銷售收入規(guī)模創(chuàng)歷史新高，4Q24 DRAM/NAND Flash市占排名出爐

在AI服務(wù)器的強勁需求帶動下， 2024年全球DRAM和NAND Flash銷售收入創(chuàng)1670億美元的歷史新高。然而新高過后是再攀新高，亦或是波浪式起伏，還是呈現(xiàn)拋物線式下滑？尤其在消費類

2025-02-21 16:00:36

1307

NANYA/南亞 NT5CC256M16EP-EK BGA96存儲器芯片

特點4Gb雙數(shù)據(jù)速率3（DDR3（L））DRAM是一種高速CMOS SDRAM，包含4294967296位。它內(nèi)部配置為八進制存儲體DRAM。4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存儲體

2025-02-20 11:44:07

旋轉(zhuǎn)編碼器選用國產(chǎn)鐵電存儲器(?SF24C512)的5個理由

旋轉(zhuǎn)編碼器選用國產(chǎn)鐵電存儲器(?SF24C512)的5個理由

2025-02-20 09:42:03

906

半導(dǎo)體集成電路封裝失效機理詳解

為動態(tài)存儲器存儲電荷丟失、靜態(tài)隨機存儲器（RAM）存儲單元翻轉(zhuǎn)、動態(tài)邏輯電路信息丟失或其他邏輯單元電路漏極耗盡區(qū)中存儲的信息丟失。

2025-02-17 11:44:47

1797

存儲器工藝概覽:常見類型介紹

? 動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個人計算機、服務(wù)器、移動設(shè)備及高性能計算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進，并分析

2025-02-14 10:24:40

1442

MTFC64GAZAQHD-AAT存儲器

MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為

2025-02-14 07:46:05

MTFC32GASAQHD-AAT存儲器

MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為

2025-02-14 07:45:22

MTFC128GBCAQTC-AAT存儲器

MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量

2025-02-14 07:44:29

MTFC128GAVATTC-AAT存儲器

MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備卓越的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量

2025-02-14 07:43:46

MTFC128GASAQJP-AAT存儲器

MTFC128GASAQJP-AAT是一款高性能的eMMC存儲器，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對大容量存儲的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量

2025-02-14 07:42:49

MT48LC4M32B2P-6A:L DRAM

MT48LC4M32B2P-6A:L是一款高性能的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），由MICRON制造，專為滿足各種電子設(shè)備的內(nèi)存需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和穩(wěn)定性，適用于多種應(yīng)用場景。目前

2025-02-14 07:28:17

揭秘非易失性存儲器:從原理到應(yīng)用的深入探索

? 非易失性存儲器是一種應(yīng)用于計算機及智能手機等設(shè)備中的存儲裝置（存儲器），其特點是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲器的類型、特點及用途。什么是非易失性存儲器

2025-02-13 12:42:14

2470

舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT

舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT

2025-02-13 10:29:09

1167

數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲器進行接收？

數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲器進行接收

2025-02-11 06:01:54

DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）

產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），專為高速數(shù)據(jù)存儲和處理而設(shè)計。該器件具有快速的訪問時間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，廣泛應(yīng)用

2025-02-09 22:38:10

存儲器的分類及其區(qū)別

初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。

2025-02-08 11:24:51

3961

閃速存儲器屬于RAM還是ROM，閃速存儲器一般用來做什么的

在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲器（Flash Memory）以其獨特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機存取存儲器（RAM）與只讀存儲器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。

2025-01-29 16:53:00

1683

閃速存儲器屬于RAM還是ROM，閃速存儲器有哪些功能和作用

本文旨在深入探討閃速存儲器的歸屬問題，即它是否屬于RAM或ROM，同時詳細(xì)闡述閃速存儲器的功能與作用。

2025-01-29 15:21:00

1590

閃速存儲器的閃速是指什么，閃速存儲器的速度比內(nèi)存快嗎

閃速存儲器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）在擦除數(shù)據(jù)時，往往需要較長的時間，且操作相對繁瑣。而閃速

2025-01-29 15:14:00

1378

閃速存儲器是u盤嗎，閃速存儲器一般用來做什么的

在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲器的一種常見應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在

2025-01-29 15:12:00

1449

高速緩沖存儲器是內(nèi)存還是外存，高速緩沖存儲器是為了解決什么

高速緩沖存儲器（Cache）是內(nèi)存的一種特殊形式，但它與通常所說的主存儲器（RAM）有所不同。在計算機存儲體系中，Cache位于CPU和主存儲器之間，用于存儲CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令，以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。

2025-01-29 11:48:00

3394

舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A

舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A

2025-01-23 09:03:29

953

SK海力士計劃減產(chǎn)NAND Flash存儲器以應(yīng)對市場下滑

近日，據(jù)韓媒最新報道，全球NAND Flash存儲器市場正面臨供過于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，導(dǎo)致價格連續(xù)四個月呈現(xiàn)下滑趨勢。為應(yīng)對這一不利局面，各大存儲器廠商紛紛采取減產(chǎn)措施，旨在平衡市場供求關(guān)系，進而穩(wěn)定

2025-01-20 14:43:55

1095