LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 09:18:47
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LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:21:01
1090 
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:43:28
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LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3622 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中
2025-02-24 11:04:47
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LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3626 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中
2025-02-24 11:13:21
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Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。
2019-11-22 15:16:32
2459 1H0165R是Fairchild(仙童半導體)早期研制的用于開關電源電路的中的芯片。 它是單排4腳封裝。最大工作電壓30V,驅(qū)動電壓650V,電流1A;工作頻率100KMz。它可以與KA1M0680RB KA1H0165R互換。
2021-05-20 08:03:17
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
,主動駕駛能否開端的巨大作用。銀聯(lián)寶緊隨科技開展的腳步,將芯片不斷的修正和完善,以此來面臨將來科技的不斷改變。開關電源芯片U6773S電源芯片U6773S 功率滿意六級能效請求 功率滿意六級能效請求原邊
2017-07-31 14:10:19
介紹一款適用于監(jiān)控器上的開關電源芯片U6117S!U6117S內(nèi)置環(huán)路補償,省去額外的補償或濾波電容提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾,可實現(xiàn)輕載無異音多模(Multi-Mode)控制的高精度原邊
2018-08-23 09:51:13
概述:FSQ100是飛兆半導體出品的一款開關電源電路,F(xiàn)SQ100采用8-DIP封裝,輸入電壓8V~20V.輸出電壓650V,功率13W,開關振蕩頻率范圍在61kHz~73kHz,工作溫度為250C~850C。
2021-04-09 06:34:00
概述:A5Q1265RF是日本FAIRCHILD公司生產(chǎn)的FPS型開關電源控制電路,其內(nèi)置具有耐壓強650V的電流檢測型場效應功率管和控制電路,并設有過流、過壓、過熱保護電路(當芯片表面溫度超過150℃時,自動...
2021-04-13 07:22:55
AH8669是一顆低成本的非隔離開關高性能交流轉(zhuǎn)直流的轉(zhuǎn)換器降壓芯片,內(nèi)部集成650V高耐壓功率MOSFET額定700MA電流輸出,非常適應于消費類的小家電控制模塊以及給MCU供電和智能插座的家用電器上
2021-12-27 08:08:39
直接影響輸出頻率的穩(wěn)定性。 開關電源芯片SF6773銀聯(lián)寶科技開關電源芯片SF6773V基本功能1.效率滿足六級能效要求2.內(nèi)置650V 功率MOSFET3.內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護4.±5%恒壓恒流
2017-06-09 11:21:32
5V開關電源芯片U6215常應用于低成本電源方案,選用原邊反饋方法,無需光耦和其它相關操控器材就能完成準確的恒壓和恒流操控,而且芯片集成原邊電感補償電路,保證其在交流輸入電壓和原邊電感在一定的范圍內(nèi)
2020-03-26 11:31:02
模式PWM控制功率開關。該系列產(chǎn)品支持離線式非隔離降壓和升降壓型拓補電路,適用于小家電電源和線性電源替代等場所。 開關電源芯片U3211的電路簡單,內(nèi)部集成高壓650V高壓啟動MOSFET,電流很大
2019-11-08 17:24:23
)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護。機頂盒和監(jiān)控常用開關電源芯片U6217S,可根據(jù)客戶要求定制,專利EMI優(yōu)化,六級能效,內(nèi)置4A電流的場效應管,功率MOSFET為2.2Ω650V,功率輸出18W,非常節(jié)省成本,高度集成度高性價比,是一款機頂盒和監(jiān)控常用開關電源芯片,歡迎來電咨詢訂購。`
2020-03-23 15:01:19
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
介紹一款開關電源芯片U6201。 開關電源芯片U6201 開關電源芯片U6201是恒流控制支持CCM和DCM模式,為副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,有TL431,待機功耗小于75Mw;具有主動賠償輸入電壓
2017-07-17 12:00:52
功耗。開關電源芯片U321集成有完備的帶自恢復功能的保護功能;VDD欠壓保護、逐周期電流限制、輸出過壓保護、過熱保護、過載保護和VDD過壓保護等。開關電源芯片U321的主要特點:l 集成650V高壓啟動
2018-10-24 14:10:27
600V IGBT3,全新芯片具備更出色的關斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外,該器件的短路能力大幅增強。而600V IGBT3主要適用于低功率應用或雜散電感很低的高功率應用。650V IGBT4的設計與技術
2018-12-07 10:16:11
,應急燈、傳感器電源,燈帶等照明燈飾。U3210的功能介紹:① 集成650V高壓啟動電器② 多模式控制、無異音工作③ 支持降壓和升降壓拓補④ 待機功耗低于50MV⑤ 良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率⑥ 集成
2018-05-24 14:05:49
713 我們來看看風扇的紅人——友恩半導體U321電源開關芯片的風情:電路簡單,內(nèi)部集成高壓650V高壓啟動MOSFET;在工作時,無異音。集成 650V 高壓啟動電路,多模式控制、無異音工作,支持降壓和升降壓拓撲,默認 12V 輸出(FB 腳懸空)
2020-08-16 09:49:24
6162 U6111開關電源芯片是一款內(nèi)部高度集成,采用原邊反饋調(diào)節(jié)控制的 LED 照明恒流驅(qū)動功率開關芯片。U6111 內(nèi)部 集 成 有 650V 高 壓 功 率MOSFET 和控制器。此外,芯片還集成有高壓啟動電路和無需輔助繞組的電感電流過零檢測電路。
2020-08-16 10:19:37
4090 的穩(wěn)定性以及使用壽命,選擇一款好的開關電源芯片可以很好的確保電子元器件的安全和穩(wěn)定。下面介紹一款安全性和穩(wěn)定性都極佳的一款常用8腳的開關電源芯片U6117SA。 12V輸出開關電源芯片常用8腳開關電源芯片U6117SA集成有多種保護功
2020-11-10 14:38:40
7562 一下我們友恩U6113非隔離開關電源芯片有什么特點。 ? ? 友恩U6113開關電源芯片芯片特點: 內(nèi)部集成550V高壓MOSFET ±4% 恒流精度 超低 VDD 工作電流 無需輔助繞組 集成式高壓電流源提高啟動速度 集成式線電壓補償優(yōu)化調(diào)整率 集成式過熱功率補償 內(nèi)部保護功能: LED 開路和
2021-01-02 17:06:00
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傳統(tǒng)的升壓PFC僅使用一個有源開關,通常是650V超結(jié)Si MOSFET。當今,大多數(shù)常規(guī)開關電源都采用升壓PFC,從而充分利用其簡單性、低成本和可靠性。用650V GaN FET代替650V Si MOSFET可以減少開關損耗,但是效率的提高并不明顯——通常只有0.1%至0.15%。
2021-04-14 11:22:41
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選擇和設計LED驅(qū)動電源時,選擇合適的開關電源芯片,能有效減少整個LED燈的維修次數(shù),延緩LED的光衰。友恩開關電源芯片U6113符合這些要求。 開關電源芯片U6113主要特點: ■?內(nèi)部集成
2021-05-10 15:41:23
4395 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管,取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29
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采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:49
6 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:24
5 功率晶體管與標準門極驅(qū)動器兼容,方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。 優(yōu)秀的性能:具備出色的功率損耗特性,顯著降低能量損失,提高系統(tǒng)效率。 無需自由輪二極管:由于650V GaN功率晶體管的特性,無需額外添加自由輪二極管,簡化了系統(tǒng)設計。 低開關損耗:采用先進的GaN技術,650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34
2033 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導通電阻和高速開關來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:18
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的應用中。友恩半導體ENTERTITLE開關電源芯片U7719主要特點:▲集成高壓大功率MOSFET,寬電壓輸入范圍24--200V▲±3%恒流、恒壓精度▲待機功耗
2022-04-15 11:10:34
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設計簡潔的12v1A開關電源芯片U25136智能家居的功率器件、電容、可控硅以及繼電器等器件更多是根據(jù)控制器的方案而定,但質(zhì)量可靠、安全穩(wěn)定等性能必不可少。對于適配器應用來說,開關電源芯片的功能升級
2023-02-13 10:53:31
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移動辦公適配器開關電源芯片U65113E平板電腦市場再次煥發(fā)了新的生機,智能手機廠商正持續(xù)加碼平板電腦業(yè)務。智能手機和平板電腦所需要的充電器和電源適配器各類開關電源芯片,深圳銀聯(lián)寶科技都能提供!出品
2023-04-11 11:43:06
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開關電源芯片U6773D內(nèi)置5A 650V 的MOS,支持準諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應用,僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
2023-07-18 15:48:01
1708 PN8034內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET,集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源。
2023-07-21 15:55:07
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PN8044,18V 300MA DIP8 非隔離電源芯片 ,集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源,PN8044內(nèi)置650V高壓啟動模塊。
2023-07-21 16:09:00
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隨著開關電源芯片用量越來越多,技術方面也日趨成熟。同時隨著對成本要求越來越高,技術質(zhì)量和價格的平衡需要滿足。如何尋找低成本、高效率的開關電源芯片?不妨來看看深圳銀聯(lián)寶科技的這顆開關電源芯片U6113!
2023-08-21 15:52:10
2098 使用頻率的大幅度提升給智能手機的技術發(fā)展帶來了更高的要求,智能快充市場也隨之爆火。GaN給智能快充領域帶來了不少新機會,同時也進入了多個新的應用場景。深圳銀聯(lián)寶科技新推出集成 E-GaN 的高頻高性能準諧振模式PD 30W快速充電器芯片U8722,可以更好的提高充電效率!
2023-11-14 09:10:45
1889 PN8036寬輸出范圍非隔離交直流轉(zhuǎn)換芯片 ,集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源。PN8036內(nèi)置650V高壓啟動模塊,實現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機功能。
2023-11-16 10:24:00
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650V高壓低功耗非隔離電源芯片,默認輸出12V,最大電流2A,具有輸出可設置3-24V
2023-12-01 19:19:03
0 開關電源芯片U52143是一款應用于原邊采樣和控制的高性能開關電源芯片。其內(nèi)置功率BJT,可用于11W以內(nèi)的離線式開關電源產(chǎn)品。
2024-02-29 16:09:55
2125 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:20:58
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:19:40
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 270m? GaN FET LMG3626數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:40:13
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50m?具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG3522R050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:41:30
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50m? 具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG3526R050數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:40:05
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 170m? GaN FET LMG3624數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-25 09:50:39
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 30m?具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG3526R030數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-25 11:31:11
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的集成650V GaN 半橋LMG2610數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-25 14:46:40
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30m? GaN FET數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-28 10:40:57
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 120m? GaN FET LMG3622數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-29 09:18:53
0 開關電源芯片U5402是一款650V耐壓的半橋柵極驅(qū)動器,具有0.3A拉電流和1A灌電流能力,專用于驅(qū)動功率MOSFETs或IGBTs。
2024-04-18 17:13:00
2195 氮化鎵快充電源ic U8722DE集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路
2024-05-08 14:22:50
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深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733,是一款30W PD GAN帶OTP保護及主動降功率功能的PD快充芯片,與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U8722有所不同,接下來會為小伙們詳細講解下。
2024-05-21 15:50:34
2080 24W原邊GAN電源芯片方案U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管,可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。
2024-05-22 15:54:41
2026 德州儀器(TI)近日推出了一款具有劃時代意義的650V三相氮化鎵(GaN)集成電源模塊(IPM)——DRV7308,專為250W電機驅(qū)動器應用量身打造。這款全新的GaN IPM憑借其卓越的性能,為大型家用電器及加熱、通風和空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)的工程師們帶來了前所未有的便利。
2024-06-18 16:06:01
1457 開關電源芯片U7576是在原U7575的基礎上新增了X放電功能,以及輸入欠壓保護(BOP)功能,是一款針對離線式反激變換器的高性能電流模式PWM控制器。芯片集成有高壓啟動電路,可以獲得快速啟動和超低
2024-08-14 18:08:39
2061 
開關電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路,驅(qū)動電壓為VDRV (典型值 6.25V)。EMI
2024-08-21 18:14:40
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芯片U8722BAS,是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關,可以讓電源方案擁有更低的成本!電源芯片U8722BAS集成高壓啟動電路,可獲得快
2024-08-30 12:14:23
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針對寬輸出電壓應用場合,為了滿足VDD的寬電壓應用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了Boost供電技術,僅在SW管腳添加一顆貼片
2024-09-06 10:58:33
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車650V GaN功率級頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設計和性能.pdf》資料免費下載
2024-09-24 11:27:10
0 紋波更低,這樣就可以減小無源器件的尺寸,從而實現(xiàn)更平滑的電機驅(qū)動GaN設計。PD快充芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關
2024-11-01 08:05:31
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通。此模式是集DCM的優(yōu)點及大部分缺點于一起,只是把其中的一項缺點做了優(yōu)化從而變成了優(yōu)點。就是加了谷底檢測功能,改善MOS的開通損耗,從而改善效率。深圳銀聯(lián)寶今天推薦的是集成E-GaN的QR模式PSR反激功率開關電源芯片U8607!
2024-11-20 10:41:09
1158 推出氮化鎵電源IC U8722X系列以來,用量急速上升,市場需求旺盛。今天特地給小伙伴們介紹在U8722X系列中功率最大,推薦輸出功率45W的氮化鎵電源IC U8722EE!
2025-01-02 09:27:32
1119 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:43
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快充電源芯片U876X產(chǎn)品型號有U8765/U8766,推薦最大輸出功率分別為65W/100W,集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路,驅(qū)動電壓為VDRV (典型值 6.2V)。
2025-02-10 15:56:58
1280 全球知名半導體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進展
2025-02-18 10:03:53
1194 LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器,簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:35:36
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LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器,簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:54:57
883 LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關模式電源應用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器,簡化了設計,減少了元件數(shù)量并減少了電路板空間。
2025-02-21 14:14:05
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LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中,簡化了設計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-21 14:37:23
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GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54
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E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦
2025-04-03 16:20:08
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氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族,喜提“芯”成員——U8722FE,推薦最大輸出功率65W,集成MOS
2025-04-10 16:30:58
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5V2.1A電源方案推薦深圳銀聯(lián)寶科技的開關電源芯片U92143+同步整流芯片U7710,有興趣的小伙伴可以來電詢問詳細資料。今天簡單介紹下!
2025-04-15 11:39:41
985 應對各類技術挑戰(zhàn),為市場提供了各種功率級和多種功能的集成解決方案,今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269!快充電源芯片
2025-05-15 16:20:17
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電源方案全電壓認證款:U8722BAS+U7612B方案來咯!主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關。芯片
2025-05-22 15:41:26
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E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號,ID(A)(TJ=125℃)4.0,耐壓700V,推薦功率60W,采用的是ESOP-7封裝。
2025-05-26 11:43:50
647 ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS深/圳/銀/聯(lián)/寶芯片的腳位是芯片與外部電路進行連接的橋梁。通過引腳,芯片可以與電路板上的其他組件進行連接,構成完整的電路。引腳用于為芯片
2025-05-29 16:19:11
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要求更高。深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關,集成MOS耐壓700V,值得一試!
2025-06-03 17:44:46
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E-GaN電源芯片U8733L集成外置溫度檢測和恒功率功能Yinlianbao開關電源NTC傳感器能夠感知微小的溫度變化,一旦溫度超過預設的安全閾值,便會觸發(fā)保護機制,如降低電流或切斷電源,以防
2025-06-19 16:31:37
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誤觸發(fā)過流保護機制?,F(xiàn)代電源芯片普遍將LEB功能與逐周期限流、退飽和保護等模塊集成,形成復合保護體系。一起來看看36W E-GaN快充電源ic U8609的前沿消隱是如何發(fā)揮作用的!
2025-06-26 16:14:26
770 Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設計用于開關模式電源應用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動器,從而減少了元器件數(shù)量并簡化了設計??删幊痰膶ㄞD(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44
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小功率高效率E-GaN開關電源管理方案:U8723AH+U7116W小功率開關電源的效率是一個重要的設計指標,它決定了電源的功耗和發(fā)熱量。為了提高效率,可以選擇低損耗的開關管和電感,減小輸出端紋波
2025-07-10 16:15:36
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適用范圍。今天推薦的E-GaN電源芯片U8722BAS+同步整流芯片U7612B,就是一款高效低耗的全電壓電源應用方案,體驗好,成本低!?
2025-07-22 13:05:32
794 理結(jié)構,以識別并匹配各種快充協(xié)議。深圳銀聯(lián)寶PD快充芯片U8722BH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關,特別適應于快速充電器及適配器上!
2025-07-24 16:14:03
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Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關模式電源應用。LMG3624將氮化鎵場效應晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動器集成在
2025-07-25 14:56:46
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氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關。芯片集成高壓啟動電路,可獲得快速啟動功能和超低的工作電流,實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗。U
2025-07-28 11:38:06
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Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護功能,適用于開關模式電源轉(zhuǎn)換器,可讓設計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:20:47
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Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護功能,適用于開關模式電源轉(zhuǎn)換器,可讓設計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:29:38
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Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動器和保護,適用于開關模式電源應用。 通過將GaN FET和柵極驅(qū)動器集成在
2025-08-13 14:56:51
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Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻,以及專為開關模式電源應用設計的集成驅(qū)動器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅(qū)動器
2025-08-13 15:13:49
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電源適配器能將家庭用電的高電壓轉(zhuǎn)換成設備能工作的穩(wěn)定低電壓,確保設備正常運行。除了電腦、手機、游戲機,還廣泛配套于安防攝像頭、機頂盒、路由器、燈條、按摩儀等設備中。深圳銀聯(lián)寶今天推薦的是5-24V適配器E-GaN電源應用方案:U8722DE+U7110W。
2025-08-18 16:29:43
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CoolGaN BDS 650V G5雙向開關。這款基于氮化鎵(GaN)技術的單片雙向開關,憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設計,正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 13:52:11
3434 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:49
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集成E-GaN技術的準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關U872XAHG,專為高功率密度應用而生。采用先進準諧振控制方式,實現(xiàn)超低開關損耗與卓越能效;支持高達220kHz的開關頻率,大幅提升系統(tǒng)響應速度與功率密度。
2025-11-07 16:26:34
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TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關的理想之選 在電子工程師的日常工作中,不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件是提升設計水平的關鍵。今天,我們就來深入
2025-12-29 14:45:10
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