引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細圖形線路的加工制作，是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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關(guān)鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑，即使被高劑量的離子注入破壞
2022-01-10 11:37:131980 
關(guān)鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng)，在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時去除離子植入的光刻劑
2022-01-27 14:07:433225 
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因此希望引進環(huán)保的清洗技術(shù)。因此，作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一，以蒸餾水、臭氧為基礎(chǔ)，利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-04-19 11:22:571563 
光刻膠為何要謀求國產(chǎn)替代？中國國產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場發(fā)展機會和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競爭力？在南京半導(dǎo)體大會期間，徐州博康公司董事長傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來前沿觀點和獨家分析。
2022-08-29 15:02:238662 
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337845 
近日，上海新陽發(fā)布公告稱，公司自主研發(fā)的KrF（248nm）厚膜光刻膠產(chǎn)品已經(jīng)通過客戶認(rèn)證，并成功取得第一筆訂單，取得不錯進展。 ? 光刻膠用于半導(dǎo)體光刻工藝環(huán)節(jié)，是決定制造質(zhì)量的重要因素，根據(jù)曝光
2021-07-03 07:47:0026808 ，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的重要材料，目前主要被日美把控，國內(nèi)在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優(yōu)勢，國內(nèi)廠商在光
2021-08-12 07:49:006896 電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模增長帶動了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國內(nèi)關(guān)注焦點。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:004234 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 光刻膠作為芯片制造光刻環(huán)節(jié)的核心耗材，尤其高端材料長期被日美巨頭壟斷，國外企業(yè)對原料和配方高度保密，我國九成以上光刻膠依賴進口。不過近期，國產(chǎn)光刻膠領(lǐng)域捷報頻傳——從KrF
2025-07-13 07:22:006083 一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
SU 8光刻膠加工模具澆鑄PDMS芯片示意圖SU 8光刻膠光刻前清洗工藝：為了獲得更好的光刻效果，在進行光刻膠旋涂之前，需要對基材進行清洗。常用的清洗方法是利用濃硫酸及雙氧水的混合溶液浸泡，隨后
2018-07-12 11:57:08
在集成電路制造中的應(yīng)用，對其反應(yīng)機理及應(yīng)用性能指標(biāo)進行闡述，重點從工藝的角度去提出新的研究方向。關(guān)鍵詞：光刻膠；應(yīng)用性能；反應(yīng)機理；集成電路；光刻 中圖分類號：TN305.7 文獻標(biāo)識碼： A
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的標(biāo)志：NR9-PY 系列負(fù)性光刻膠，適用于lift-off工藝；具有高效粘附性，高反應(yīng)速度并耐高溫性能好。 NR71-PY 系列 負(fù)性光刻膠，適用于lift-off工藝，耐高溫性能好
2010-04-21 10:57:46
高壓氣）l主要原物料、輔料擴散片、顯影液、定影液、剝離液、二甲苯、結(jié)合粉、結(jié)合劑、光刻膠、鹽酸、硝酸、發(fā)煙硝酸、冰醋酸、鎳組、（鍍金水）、IPA、丙酮、玻璃粉 歡迎討論交流，QQ：490815421
2011-05-13 22:01:41
版完全一致的ITO圖形。J. 清洗干燥：用高純水沖洗余下的堿液和殘留的光刻膠以及其它的雜質(zhì)。2、特殊制程：（TOP膜的涂布到固化后清洗）一般的TN與STN產(chǎn)品不要求此步驟，TOP膜的涂布工藝是在光刻工藝
2019-07-16 17:46:15
、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU- 8 光刻膠來制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項新技術(shù)。SU 8光刻膠光刻前清洗工藝：為了獲得更好的光刻效果，在進行光刻膠旋涂之前，需要
2018-07-04 14:42:34
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
。光刻膠的圖案通過蝕刻劑轉(zhuǎn)移到晶片上。沉積：各種材料的薄膜被施加在晶片上。為此，主要使用兩種工藝，物理氣相沉積 (PVD) 和化學(xué)氣相沉積 (CVD)。制作步驟：1.從空白晶圓開始2.自下而上構(gòu)建
2021-07-08 13:13:06
噴膠機是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設(shè)備?？蓪Σ煌叽绾托螤畹幕M行涂膠，最大涂膠尺寸達8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時可對大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進行均勻涂膠；通過計算機系統(tǒng)控制器進行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
圖形反轉(zhuǎn)工藝用于金屬層剝離的研究研究了ＡＺ?５２１４ 膠的正、負(fù)轉(zhuǎn)型和形成適用于剝離技術(shù)的倒臺面圖形的工藝技術(shù)。用掃描電鏡和臺階儀測試制作出的光刻膠斷面呈倒臺面，傾角約為６０°，膠厚１?４μｍ。得到
2009-10-06 10:05:30
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 隨著電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突飛猛進，光刻膠市場總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場規(guī)模預(yù)計接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預(yù)計未來3年仍以年均5%的速度增長，預(yù)計至2022年全球光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。
2020-03-01 19:02:484848 光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，大致分為LCD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導(dǎo)體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:396218 來源：浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等
2020-09-15 14:00:1420205 光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:542357 此外，由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應(yīng)。光刻分辨率與曝光波長、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關(guān)。
2020-10-15 15:09:187666 的可靠性、生產(chǎn)率和靈活性。 光刻膠剝離過去一直被認(rèn)為是技術(shù)含量較低的工藝。然而，隨著3D架構(gòu)、雙重圖形化技術(shù)、多層罩式掩膜和高劑量植入剝離（HDIS）等新技術(shù)的出現(xiàn)，光刻膠剝離工藝的復(fù)雜度也在不斷提升。目前來看，在300mm晶圓領(lǐng)域的高級存儲和邏輯節(jié)點上，很
2020-11-26 15:48:252689 大光電的ArF光刻膠產(chǎn)品測試各項性能滿足工藝規(guī)格要求，良率結(jié)果達標(biāo)?！?“ArF 光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”是寧波南大光電承接國家 “02 專項”的一個重點攻關(guān)項目。本次產(chǎn)品的認(rèn)證通過，標(biāo)志著 “ArF 光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項目取得了關(guān)鍵性的突破
2020-12-18 09:29:427279 ? 導(dǎo) 讀 日前，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發(fā)的 ArF 光刻膠產(chǎn)品成功通過客戶使用認(rèn)證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。 圖：南大光電公告 ? 公告稱
2020-12-25 18:24:097828 按照應(yīng)用領(lǐng)域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學(xué)品（光引發(fā)劑和樹脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類。本文主要討論半導(dǎo)體光刻膠。
2021-05-17 14:15:525022 
5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開盤即走強，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:154020 德國達姆施塔特, 2021年7月 28日 –- 全球領(lǐng)先的科技公司默克日前宣布推出新一代環(huán)保精密清洗溶劑產(chǎn)品 ?--?AZ??910?去除劑。該系列產(chǎn)品用于半導(dǎo)體芯片制造圖形化工藝中清除光刻膠
2021-07-28 14:23:103911 
光刻膠是光刻機研發(fā)的重要材料，換句話說光刻機就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0015756 摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時不需要干等離子體灰化工藝，同時保持低缺陷水平和至少相當(dāng)于記錄工藝的高產(chǎn)量性能?；一襟E的消除減少了不希望的基板損壞和材料損失，改善了周期時間，釋放
2022-03-01 14:39:432179 
類型和智能流體?配方發(fā)生反應(yīng)，將最有希望的組合進行到第二階段進行深入研究。后續(xù)實驗結(jié)果證明了通過改變工藝溫度設(shè)置和添加兆聲能來優(yōu)化工藝參數(shù)。通過目視檢查和接觸角測量來量化光刻膠剝離結(jié)果。 介紹 光刻膠材料的去
2022-03-03 14:20:05888 
什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:021489 
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因此希望引進環(huán)保的清洗技術(shù)。因此，作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一，以蒸餾水、臭氧為基礎(chǔ)，利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-03-24 16:02:561555 
本文一般涉及處理光掩模的領(lǐng)域，具體涉及用于從光掩模上剝離光致抗蝕劑和/或清洗集成電路制造中使用的光掩模的設(shè)備和方法。
2022-04-01 14:26:371027 
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細地說，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過程中進行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
2022-04-13 13:56:421659 
本文的目標(biāo)是討論一種新技術(shù)，它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權(quán)衡。 將開發(fā)濕化學(xué)抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結(jié)合，導(dǎo)致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。 該技術(shù)針對晶
2022-05-07 15:11:111355 
本文章介紹了我們?nèi)A林科納一種光刻膠剝離用組合物，該組合物不僅對離子注入工藝后或離子注入工藝和高溫加熱工藝后硬化或變質(zhì)為聚合物的光刻膠具有良好的去除力，而且使膜質(zhì)腐蝕性最小化。半導(dǎo)體工藝中離子注入工藝
2022-07-01 15:16:082515 
灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:178339 光刻膠產(chǎn)品說明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:2511 南大光電最新消息顯示，國產(chǎn)193nm（ArF）光刻膠研發(fā)成功，這家公司成為通過國家“02專項”驗收的ArF光刻膠項目實施主體；徐州博康宣布，該公司已開發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產(chǎn)品系列，包括
2022-08-31 09:47:142371 光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0423795 半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進口依賴較重，不同品質(zhì)之間價 格差異大。以國內(nèi) PAG 對應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來看，樹脂在 光刻膠中的固含量占比約
2022-11-18 10:07:434880 此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純試劑生產(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:321910 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:122944 改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜，在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來，不再進行濕法刻蝕，避免了側(cè)腐蝕對線條精度和膜基結(jié)合力的影響，同時，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠，避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:353492 
金屬圖案的剝離方法已廣泛應(yīng)用于各種電子器件的制造過程中，如半導(dǎo)體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優(yōu)點是節(jié)省成本和工藝簡化。在剝離過程中，經(jīng)過涂層、曝光和開發(fā)過程后，光刻膠會在晶片上形成圖案。
2023-10-25 10:40:05946 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:112940 
20日，西隴科學(xué)（株）發(fā)布公告稱，該公司沒有生產(chǎn)銷售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠，占公司營業(yè)收入的比例，是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:571303 為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導(dǎo)致上萬片12吋晶圓報廢
2023-11-27 17:15:481717 KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:501413 
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:563928 
所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關(guān)鍵要素，廣泛應(yīng)用于晶圓和分立器件的精細圖案制作中。其品種繁多，此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠，將成為各廠商關(guān)注的焦點。
2023-12-28 11:14:341635 光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達應(yīng)用場景。
2024-01-03 18:12:212813 
光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。
2024-03-04 10:49:162061 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
2024-03-04 17:19:189618 與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:505058 
光刻膠按照種類可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時被去除，負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
2024-04-24 11:37:056635 
共讀好書 前烘對正膠顯影的影響 前烘對負(fù)膠膠顯影的影響 需要這個原報告的朋友可轉(zhuǎn)發(fā)這篇文章獲取百份資料，內(nèi)含光刻膠多份精品報告【贈2024電子資料百份】6 月 28-30 日北京“電子化學(xué)品行業(yè)分析檢測與安全管理培訓(xùn)班”。 審核編輯 黃宇
2024-06-23 08:38:021725 
我們在使用光刻膠的時候往往關(guān)注的重點是光刻膠的性能，但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題，其實這個問題應(yīng)該在我們購買光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且，在光刻過程中如果發(fā)現(xiàn)有異常情況發(fā)生，我們
2024-07-08 14:57:083146 圖形反轉(zhuǎn)膠是比較常見的一種紫外光刻膠，它既可以當(dāng)正膠使用又可以作為負(fù)膠使用。相比而言，負(fù)膠工藝更被人們所熟知。本文重點介紹其負(fù)膠工藝。 應(yīng)用領(lǐng)域 在反轉(zhuǎn)工藝下，通過適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">工藝參數(shù)，可以獲得底切的側(cè)壁
2024-07-09 16:06:001988 
一般光刻過程文章中簡單介紹過后烘工藝但是比較簡單，本文就以下一些應(yīng)用場景下介紹后烘的過程和作用。 化學(xué)放大正膠 機理 當(dāng)使用“正?！闭?b class="flag-6" style="color: red">膠時，曝光完成后光反應(yīng)也就完成了，但是化學(xué)放大的光刻膠需要隨后的烘烤步驟。光反應(yīng)在曝光期間開始并在后烘環(huán)節(jié)中完
2024-07-09 16:08:433446 
評價一款光刻膠是否適合某種應(yīng)用需要綜合看這款光刻膠的特定性能，這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度（sensitivity）是衡量曝光速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量
2024-07-10 13:43:492388 根據(jù)光刻膠的應(yīng)用工藝，我們可以采用適當(dāng)?shù)姆椒▽σ扬@影的光刻膠結(jié)構(gòu)進行處理以提高其化學(xué)或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實現(xiàn)整個光刻膠結(jié)構(gòu)的熱交聯(lián)，稱為硬烘烤或者堅膜?；蛲ㄟ^低劑量紫外線輻照
2024-07-10 13:46:592702 
為了確保光刻工藝的可重復(fù)性、可靠性和可接受性，必須在基板表面上均勻涂覆光刻膠。光刻膠通常分散在溶劑或水溶液中，是一種高粘度材料。根據(jù)工藝要求，有許多工藝可用于涂覆光刻膠。 旋涂是用光刻膠涂覆基材
2024-07-11 15:46:362757 存儲時間 正膠和圖形反轉(zhuǎn)膠在存儲數(shù)月后會變暗，而且隨著儲存溫度升高而加速。因為該類型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料，在 可見光譜的部分具有很強的吸收能力，對紫外靈敏度沒有任何影響。這種變色過程
2024-07-11 16:07:491791 在微流控PDMS芯片或SU-8模具制作的過程中，需要把PDMS膠或SU-8光刻膠根據(jù)所需要的厚度來選擇合適的旋涂轉(zhuǎn)速并且使PDMS膠或SU-8膠涂布均勻化。 如何成功的旋涂微流控SU-8光刻膠
2024-08-26 14:16:011298 在微流控PDMS芯片加工的過程中，需要使用烘膠臺或者烤膠設(shè)備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進行2-3次。本文簡要介紹SU-8光刻膠烘烤的注意事項。 微流
2024-08-27 15:54:011241
原文標(biāo)題：一文看懂光刻膠的堅膜工藝及物理特性和常見光刻膠
2024-11-01 11:08:073091 來源：太紫微公司 近日，光谷企業(yè)在半導(dǎo)體專用光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破：武漢太紫微光電科技有限公司（以下簡稱“太紫微公司”）推出的T150 A光刻膠產(chǎn)品，已通過半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗證，實現(xiàn)配方全自主
2024-10-17 13:22:441105 
本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。
2024-10-31 15:59:452789 光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán)，而光刻膠，又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展，對微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強，光刻膠的需求也水漲船高，在微電子制造和納米技術(shù)等高精尖領(lǐng)域占據(jù)著至關(guān)重要的位置。
2024-11-11 10:08:214404 
光刻膠作為掩模進行干法刻蝕或是濕法腐蝕后，一般都是需要及時的去除清洗，而一些高溫或者其他操作往往會導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。
2024-11-11 17:06:222391 
對光的敏感度。在半導(dǎo)體制造過程中，光刻膠通過光化學(xué)反應(yīng)，將掩膜版上的圖案精確地轉(zhuǎn)移到硅片表面。 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心步驟之一。在硅片表面涂上光刻膠(負(fù)膠)后，使用特定波長的光線通過掩膜版照射到光刻膠上，被
2024-12-19 13:57:362091 隨著半導(dǎo)體器件的應(yīng)用范圍越來越廣，晶圓制造技術(shù)也得到了快速發(fā)展。其中，光刻技術(shù)在晶圓制造過程中的地位尤為重要。光刻膠是光刻工藝中必不可少的材料，其質(zhì)量直接影響到晶圓生產(chǎn)的效率和質(zhì)量。本文將圍繞著晶圓
2025-01-03 16:22:061227 引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時，精準(zhǔn)測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531108 
，是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射，溶解度會發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的關(guān)鍵材料。 從芯片生產(chǎn)的工藝流程上來說，光刻膠的應(yīng)用處于芯片設(shè)計、制造、封測當(dāng)中的制造環(huán)節(jié)，是芯片制造過程里光刻工
2025-06-04 13:22:51993 ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，但其可能對器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時，光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對金屬層產(chǎn)生過度刻蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用，并
2025-06-16 09:31:51586 測量對工藝優(yōu)化和產(chǎn)品質(zhì)量控制至關(guān)重要。本文將探討低含量 NMF 光刻膠剝離液及其制備方法，并介紹白光干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用。 低含量 NMF 光刻膠剝離液及制備方法 配方組成 低含量 NMF 光刻膠剝離液主要由低濃度 NMF、助溶劑、堿性物質(zhì)、緩蝕劑
2025-06-17 10:01:01678 引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對銅產(chǎn)生腐蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精準(zhǔn)測量對確保 ARRAY 制程工藝精度
2025-06-18 09:56:08694 引言 在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝對金屬結(jié)構(gòu)的保護至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合
2025-06-24 10:58:22565 引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48816 在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點，為光刻膠厚度監(jiān)測提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:461542 
提高光刻膠殘留清洗效率需要結(jié)合工藝優(yōu)化、設(shè)備升級和材料創(chuàng)新等多方面策略，以下是具體方法及技術(shù)要點：1.工藝參數(shù)精準(zhǔn)控制動態(tài)調(diào)整化學(xué)配方根據(jù)殘留類型（正膠/負(fù)膠、厚膜/薄膜）實時匹配最佳溶劑組合。例如
2025-09-09 11:29:06630 
光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實施要點：濕法剝離技術(shù)有機溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
半導(dǎo)體清洗中SPM（硫酸-過氧化氫混合液）的最佳使用溫度需根據(jù)具體工藝目標(biāo)、污染物類型及設(shè)備條件綜合確定，以下是關(guān)鍵分析： 高溫場景（120–150℃） 適用場景：主要用于光刻膠剝離、重度有機污染
2025-11-11 10:32:03256 晶圓清洗是半導(dǎo)體制造中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，直接影響芯片良率和性能。其工藝要點可歸納為以下六個方面：一、污染物分類與針對性處理顆粒污染：硅粉、光刻膠殘留等，需通過物理擦洗或兆聲波空化效應(yīng)剝離。有機污染
2025-12-09 10:12:30236 
SPM（SulfuricPeroxideMixture，硫酸-過氧化氫混合液）作為一種高效強氧化性清洗劑，在工業(yè)清洗中應(yīng)用廣泛，以下是其主要應(yīng)用場景及技術(shù)特點的綜合分析：1.半導(dǎo)體制造中的核心應(yīng)用光刻膠
2025-12-15 13:20:31204 
SPM（硫酸-過氧化氫混合液）清洗是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的濕法清洗工藝，主要用于去除晶圓表面的有機物、光刻膠殘留及金屬污染。以下是SPM清洗的標(biāo)準(zhǔn)化步驟及技術(shù)要點：一、溶液配制配比與成分典型體積比
2025-12-15 13:23:26393 
其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例，這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進制程芯片 時代，不僅需要EUV光刻機，更需要EUV光刻膠的參與。但在過去 國內(nèi)長期依賴進
2025-10-28 08:53:356236
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