引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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了光刻劑。但重大挑戰(zhàn)仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半導(dǎo)體制造業(yè)中使用微氣泡。因此，我們需要通過明確了解微氣泡去除光刻抗蝕劑層的功能機(jī)制，來提高微氣泡的去除能力。本研究的目的是闡明微氣泡對光刻膠層表面的影響。
2022-01-10 11:37:131980 
光刻膠為何要謀求國產(chǎn)替代？中國國產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場發(fā)展機(jī)會和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競爭力？在南京半導(dǎo)體大會期間，徐州博康公司董事長傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來前沿觀點(diǎn)和獨(dú)家分析。
2022-08-29 15:02:238662 
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337845 
波長不同，可分為g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm），ArF（193nm）以及EUV光刻膠，其中KrF、ArF和EUV光刻膠被認(rèn)為是高端光刻膠，目前國內(nèi)幾乎空白。 ? 日本壟斷全球光刻膠大部分市場份額，全球排名前四的光刻膠廠商都來自日本，包括合成橡膠
2021-07-03 07:47:0026808 ，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的重要材料，目前主要被日美把控，國內(nèi)在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優(yōu)勢，國內(nèi)廠商在光
2021-08-12 07:49:006896 電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模增長帶動了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國內(nèi)關(guān)注焦點(diǎn)。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:004234 厚膠量產(chǎn)到ArF浸沒式膠驗證，從樹脂國產(chǎn)化到EUV原料突破，一場靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過中芯國際28nm產(chǎn)線驗證，開創(chuàng)了國內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006083 這一突破的核心力量。 ? 然而，EUV光刻的廣泛應(yīng)用并非坦途，其光源本身存在反射損耗大、亮度低等固有缺陷，這對配套的光刻膠材料提出了前所未有的嚴(yán)苛要求——不僅需要具備高效的EUV吸收能力，還要在反應(yīng)機(jī)制的穩(wěn)定性、缺陷控制的精準(zhǔn)度等方面實
2025-08-17 00:03:004220 一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
,對準(zhǔn)精度的提高也受到較多的限制。一般認(rèn)為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)?！ 》墙佑|式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中，掩膜圖形經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠
2012-01-12 10:51:59
、FinFET、Pitch-split以及波段鈴木的光刻膠等技術(shù)，一只用到現(xiàn)在的7nm/10nm，但這已經(jīng)是193nm光刻機(jī)的極限了?！ ≡诂F(xiàn)有技術(shù)條件上，NA數(shù)值孔徑并不容易提升，目前使用的鏡片NA值
2020-07-07 14:22:55
MEMS、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU8光刻膠來制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項新技術(shù)。在微流控芯片加工中，SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。運(yùn)用
2018-07-12 11:57:08
。 IC制造中所用光刻膠通常有三種成分：樹脂或基體材料、感光化合物（PAC）以及可控制光刻膠機(jī)械性能（基體粘滯性）并使其保持液體狀態(tài)的溶劑 [4]。正性光刻膠中，PAC在曝光前后發(fā)生了從抑制劑到感光增強(qiáng)
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
并可作永久隔層。 NR9-P 系列 負(fù)性光刻膠，具有高粘附性適用于電鍍及濕法蝕刻。 NR71-P 系列 負(fù)性光刻膠，用于干法蝕刻中掩模應(yīng)用并能作為永久隔層。 NR21-P 系列 負(fù)性光刻膠，用于厚度超過
2010-04-21 10:57:46
后，將負(fù)光掩模與涂覆晶片接觸并在汞燈的紫外輻射劑量10-250mJ/㎝2條件下進(jìn)行曝光。曝光結(jié)束后，選擇合適的烘烤溫度及時間。將晶片在顯影液中浸漬顯影，隨后用氮?dú)獯蹈伞U-8光刻膠的優(yōu)點(diǎn)：1
2018-07-04 14:42:34
lithography是一種平板印刷技術(shù)，在平面光波回路的制作中一直發(fā)揮著重要的作用。具體過程如下：首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面，淀積一層光刻膠；使用掩模版對光刻膠曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
，三合一工藝平臺，CMOS圖像傳感器工藝平臺，微電機(jī)系統(tǒng)工藝平臺。 光掩模版:基板，不透光材料 光刻膠:感光樹脂，增感劑，溶劑。 正性和負(fù)性。 光刻工藝: 涂光刻膠。掩模版向下曝光。定影和后烘固化蝕刻
2025-03-27 16:38:20
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī)，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過機(jī)器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3719874 光刻膠是指通過紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、X 射線等光源的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料。主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：半導(dǎo)體領(lǐng)域的集成電路和分立器件、平板顯示、LED、以及倒扣封裝、磁頭及精密傳感器等產(chǎn)品的制作過程。
2019-02-11 13:54:5227397 
2018年，南大光電和上海新陽先后宣布，投入ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，立志打破集成電路制造最為關(guān)鍵的基礎(chǔ)材料之一——高檔光刻膠材料幾乎完全依賴于進(jìn)口的局面，填補(bǔ)國內(nèi)高端光刻膠材料產(chǎn)品的空白。
2019-05-21 09:24:247863 
隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計尺寸不斷縮小的極限，極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)的運(yùn)用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對于 7 納米及更小的高級節(jié)點(diǎn)，EUV 光刻技術(shù)是一種能夠簡化圖案形成工藝的支持技術(shù)。要在如此精細(xì)的尺寸下進(jìn)行可靠制模，超凈的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32:372675 
7月1日，日本政府宣布將韓國移除對外貿(mào)易白名單，韓國進(jìn)口日本公司的三種原材料——光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫需要提前90天申請，這些材料是生產(chǎn)柔性屏面板、半導(dǎo)體芯片的重要原料，而這兩個行業(yè)又是韓國的經(jīng)濟(jì)支柱。
2019-08-11 10:54:423912 光刻膠概念股南大光電10月23日公告，擬投資新建光刻膠材料以及配套原材料項目。
2019-10-24 16:47:213744 今年7月17日，南大光電在互動平臺透露，公司設(shè)立光刻膠事業(yè)部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進(jìn)“ArF光刻膠開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”落地實施。目前該項目完成的研發(fā)技術(shù)正在等待驗收中，預(yù)計2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線，項目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。
2019-12-16 13:58:528273 隨著電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突飛猛進(jìn)，光刻膠市場總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場規(guī)模預(yù)計接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預(yù)計未來3年仍以年均5%的速度增長，預(yù)計至2022年全球光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。
2020-03-01 19:02:484848 光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，大致分為LCD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導(dǎo)體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:396218 光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。 據(jù)第三方機(jī)構(gòu)智研咨詢統(tǒng)計，2019年全球光刻膠市場規(guī)模預(yù)計近90億美元，
2020-09-15 14:00:1420205 全球光刻膠市場規(guī)模從2016 年的15 億美元增長至2019年的18億美元，年復(fù)合增長率達(dá)6.3%；應(yīng)用方面，光刻膠主要應(yīng)用在PCB、半導(dǎo)體及LCD顯示等領(lǐng)域，各占約25%市場份額。 國內(nèi)光刻膠整體
2020-10-10 17:40:253534 光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:542357 光刻膠是微納加工過程中非常關(guān)鍵的材料。有專家表示，中國要制造芯片，光有光刻機(jī)還不夠，還得打破國外對“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564956 ? 導(dǎo) 讀 日前，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發(fā)的 ArF 光刻膠產(chǎn)品成功通過客戶使用認(rèn)證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。 圖：南大光電公告 ? 公告稱
2020-12-25 18:24:097828 近期，專注于電子材料市場研究的TECHCET發(fā)布最新統(tǒng)計和預(yù)測數(shù)據(jù)：2021年，半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場規(guī)模將同比增長11％，達(dá)到19億美元。
2021-03-22 10:51:126146 光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。在硅片表面涂上光刻膠薄層，經(jīng)過光照、顯影，在光刻膠上留下掩模版的圖形。
2021-04-09 14:27:1964 由于KrF光刻膠產(chǎn)能受限以及全球晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)等，占據(jù)全球光刻膠市場份額超兩成的日本供應(yīng)商信越化學(xué)已經(jīng)向中國大陸多家一線晶圓廠限制供貨KrF光刻膠，且已通知更小規(guī)模晶圓廠停止供貨KrF光刻膠。 信越
2021-06-25 16:12:281241 5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開盤即走強(qiáng)，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達(dá)6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚(yáng)帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:154020 最近光博會上看到一本關(guān)于光刻的小冊子，里面有一點(diǎn)內(nèi)容，分享給大家。 關(guān)于光刻的原理、光刻設(shè)備、光刻膠的種類和選擇等。 開篇 光刻的原理 表面處理：一般的晶圓光刻前都需要清潔干凈，特別是有有機(jī)物
2021-10-13 10:59:425701 
光刻膠是光刻機(jī)研發(fā)的重要材料，換句話說光刻機(jī)就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0015756 來源：?果殼硬科技 1、光刻膠究竟是怎樣一個行業(yè)？ 光刻膠，又稱“光致抗蝕劑”，是光刻成像的承載介質(zhì)，可利用光化學(xué)反應(yīng)將光刻系統(tǒng)中經(jīng)過衍射、濾波后的光信息轉(zhuǎn)化為化學(xué)能量，從而把微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到
2022-01-20 21:02:462355 
摘要 在這項工作中，研究了新一代相流體剝離溶液在各種半導(dǎo)體光刻膠中的應(yīng)用。這些實驗中使用的獨(dú)特的水基智能流體配方均為超大規(guī)模集成電路級，與銅兼容且無毒。實驗的第一階段是確定是否在合理的時間內(nèi)與光刻膠
2022-03-03 14:20:05888 
什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:021489 
灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:178339 與此同時，在ASML看來，下一代高NA EUV光刻機(jī)為光刻膠再度帶來了挑戰(zhàn)，更少的隨機(jī)效應(yīng)、更高的分辨率和更薄的厚度。首先傳統(tǒng)的正膠和負(fù)膠肯定是沒法用了，DUV光刻機(jī)上常用的化學(xué)放大光刻膠（CAR）也開始在5nm之后的分辨率和敏感度上出現(xiàn)瓶頸
2022-07-22 10:40:083923 光刻膠產(chǎn)品說明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:2511 193nmArF濕法光刻膠、ArF干法光刻膠，248nmKrF正負(fù)型光刻膠、KrF厚膜光刻膠、365nmi線光刻膠以及電子束膠等。
2022-08-31 09:47:142371 光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0423795 半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進(jìn)口依賴較重，不同品質(zhì)之間價 格差異大。以國內(nèi) PAG 對應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來看，樹脂在 光刻膠中的固含量占比約
2022-11-18 10:07:434880 此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純試劑生產(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:321910 晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來保護(hù)晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會在第一個轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:001680 
EUV光刻膠需要具有足夠的耐刻蝕性，以便在后續(xù)的刻蝕過程中保護(hù)圖案。為了提高耐刻蝕性，研究人員正在開發(fā)新型刻蝕抑制劑和交聯(lián)劑，以增強(qiáng)光刻膠的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
2023-05-08 15:21:291287 
光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:498982 
光刻機(jī)需要采用全反射光學(xué)元件，掩模需要采用反射式結(jié)構(gòu)。
這些需求帶來的是EUV光刻和掩模制造領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。EUV光刻掩模的制造面臨著許多挑戰(zhàn)，包括掩模基底的低熱膨脹材料的開發(fā)、零缺陷襯底拋光、多層膜缺陷檢查、多層膜缺陷修復(fù)等。
2023-06-07 10:45:543943 
JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應(yīng)商之一，其產(chǎn)品是制造先進(jìn)芯片必不可少的原料。
2023-06-27 15:51:211769 EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì)，當(dāng)受到EUV光子照射時會發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。
2023-09-11 11:58:421622 
近20年來，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-09-14 09:45:122263 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:112940 
為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導(dǎo)致上萬片12吋晶圓報廢
2023-11-27 17:15:481717 近期，萬潤股份在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時透露，其“年產(chǎn)65噸半導(dǎo)體用光刻膠樹脂系列”項目已經(jīng)順利投入運(yùn)營。該項目旨在為客戶提供專業(yè)的半導(dǎo)體用光刻膠樹脂類材料。
2023-12-12 14:02:582311 光刻膠類別的多樣化，此次漲價案所涉KrF光刻膠屬于高階防護(hù)用品，也是未來各地廠家的競爭焦點(diǎn)。當(dāng)前市場中，光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學(xué)、住友化學(xué)及東進(jìn)半導(dǎo)體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:362439 勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:563928 
所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關(guān)鍵要素，廣泛應(yīng)用于晶圓和分立器件的精細(xì)圖案制作中。其品種繁多，此次漲價涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠，將成為各廠商關(guān)注的焦點(diǎn)。
2023-12-28 11:14:341635 光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場景。
2024-01-03 18:12:212813 
光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。
2024-03-04 10:49:162061 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機(jī)上的模板或掩模來進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:189618 在曝光過程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1，分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離，隨著曝光次數(shù)的增加，會引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:373691 
與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負(fù)型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:505058 
我們在使用光刻膠的時候往往關(guān)注的重點(diǎn)是光刻膠的性能，但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題，其實這個問題應(yīng)該在我們購買光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且，在光刻過程中如果發(fā)現(xiàn)有異常情況發(fā)生，我們
2024-07-08 14:57:083146 形態(tài)。這種方法的主要應(yīng)用領(lǐng)域是剝離過程，在剝離過程中，底切的形態(tài)可以防止沉積的材料在光刻膠邊緣和側(cè)壁上形成連續(xù)薄膜，有助于獲得干凈的剝離光刻膠結(jié)構(gòu)。 在圖像反轉(zhuǎn)烘烤步驟中，光刻膠的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性可以得到
2024-07-09 16:06:001988 
后烘是指（post exposure bake-PEB）是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影，也就是說還未閉合，PEB也可以在高于光刻膠軟化溫度的情況下進(jìn)行。前面的文章中我們在
2024-07-09 16:08:433446 
評價一款光刻膠是否適合某種應(yīng)用需要綜合看這款光刻膠的特定性能，這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度（sensitivity）是衡量曝光速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量
2024-07-10 13:43:492388 和高溫的結(jié)合的方法，使用深紫外堅膜工藝只能使得光刻膠表面發(fā)生交聯(lián)。下面詳細(xì)介紹這兩種工藝，以及光刻膠在處理過程中的變化。 堅膜 堅膜（硬烘）是光刻膠顯影后可選做的烘烤工藝步驟。其目的是通過堅膜使得光刻膠結(jié)構(gòu)更加
2024-07-10 13:46:592702 
為了確保光刻工藝的可重復(fù)性、可靠性和可接受性，必須在基板表面上均勻涂覆光刻膠。光刻膠通常分散在溶劑或水溶液中，是一種高粘度材料。根據(jù)工藝要求，有許多工藝可用于涂覆光刻膠。 旋涂是用光刻膠涂覆基材
2024-07-11 15:46:362757 存儲時間 正膠和圖形反轉(zhuǎn)膠在存儲數(shù)月后會變暗，而且隨著儲存溫度升高而加速。因為該類型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料，在 可見光譜的部分具有很強(qiáng)的吸收能力，對紫外靈敏度沒有任何影響。這種變色過程
2024-07-11 16:07:491791 市場對需要EUV光刻系統(tǒng)的先進(jìn)芯片的需求不斷增長，東京應(yīng)化、信越化學(xué)、三菱化學(xué)等日本公司正在增加投資并關(guān)注EUV關(guān)鍵技術(shù)所用材料的供應(yīng)。 東京應(yīng)化（TOK）正在福島縣建造一座全新的先進(jìn)光刻膠工廠，該工廠預(yù)計將于2024年底開工，2026年完工。
2024-07-16 18:27:02816 美的接觸。在曝光的過程中，通過清潔光掩模和仔細(xì)的操作可以很容易的避免這個問題。 但是還有另一個不可避免的現(xiàn)象，那就是在SU-8光刻膠曝光的過程中，可能會有一個巨大的后果。事實上，如果SU-8光刻膠通過旋涂技術(shù)來涂覆，那么在晶圓
2024-08-23 14:39:421859 在微流控PDMS芯片或SU-8模具制作的過程中，需要把PDMS膠或SU-8光刻膠根據(jù)所需要的厚度來選擇合適的旋涂轉(zhuǎn)速并且使PDMS膠或SU-8膠涂布均勻化。 如何成功的旋涂微流控SU-8光刻膠
2024-08-26 14:16:011298 在微流控PDMS芯片加工的過程中，需要使用烘膠臺或者烤膠設(shè)備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進(jìn)行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進(jìn)行2-3次。本文簡要介紹SU-8光刻膠烘烤的注意事項。 微流
2024-08-27 15:54:011241 共讀好書關(guān)于常用光刻膠型號也可以查看這篇文章：收藏！常用光刻膠型號資料大全，幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識星球，領(lǐng)取公眾號資料
2024-11-01 11:08:073091 本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。
2024-10-31 15:59:452789 光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán)，而光刻膠，又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展，對微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強(qiáng)，光刻膠的需求也水漲船高，在微電子制造和納米技術(shù)等高精尖領(lǐng)域占據(jù)著至關(guān)重要的位置。
2024-11-11 10:08:214404 
光刻膠作為掩模進(jìn)行干法刻蝕或是濕法腐蝕后，一般都是需要及時的去除清洗，而一些高溫或者其他操作往往會導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。
2024-11-11 17:06:222391 
光刻膠是半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域的一種重要材料，在整個電子元器件加工產(chǎn)業(yè)有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中，感光樹脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關(guān)鍵性能，增感劑有助于提高
2024-12-19 13:57:362091 隨著半導(dǎo)體器件的應(yīng)用范圍越來越廣，晶圓制造技術(shù)也得到了快速發(fā)展。其中，光刻技術(shù)在晶圓制造過程中的地位尤為重要。光刻膠是光刻工藝中必不可少的材料，其質(zhì)量直接影響到晶圓生產(chǎn)的效率和質(zhì)量。本文將圍繞著晶圓
2025-01-03 16:22:061227 光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液
2025-03-18 13:59:533017 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時，精準(zhǔn)測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531108 
，是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射，溶解度會發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的關(guān)鍵材料。 從芯片生產(chǎn)的工藝流程上來說，光刻膠的應(yīng)用處于芯片設(shè)計、制造、封測當(dāng)中的制造環(huán)節(jié)，是芯片制造過程里光刻工
2025-06-04 13:22:51993 干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用。 ? 減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法 ? 優(yōu)化光刻膠材料選擇 ? 選擇與半導(dǎo)體襯底兼容性良好的光刻膠材料，可增強(qiáng)光刻膠與襯底的粘附力，減少剝離時對襯底的損傷風(fēng)險。例如，針對特定的硅基襯
2025-06-14 09:42:56736 
引言 在半導(dǎo)體制造過程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色，但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關(guān)注。同時，光刻圖形的精準(zhǔn)
2025-06-17 10:01:01678 引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對銅產(chǎn)生腐蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精準(zhǔn)測量對確保 ARRAY 制程工藝精度
2025-06-18 09:56:08694 引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48816 當(dāng)您尋找可靠的國產(chǎn)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商時，一家在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈突破的企業(yè)正脫穎而出——久日新材（688199.SH）。這家光引發(fā)劑巨頭，正以令人矚目的速度在半導(dǎo)體核心材料國產(chǎn)化浪潮中嶄露頭角
2025-08-12 16:45:381162 在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn)，為光刻膠厚度監(jiān)測提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:461542 
光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實施要點(diǎn)：濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例，這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進(jìn)制程芯片 時代，不僅需要EUV光刻機(jī)，更需要EUV光刻膠的參與。但在過去 國內(nèi)長期依賴進(jìn)
2025-10-28 08:53:356236
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