91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

電子發(fā)燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>三星二代10納米將加速未來DRAM芯片問世 進(jìn)一步搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)

三星二代10納米將加速未來DRAM芯片問世 進(jìn)一步搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦

三星開始首批量產(chǎn)12GB移動(dòng)DRAM 實(shí)現(xiàn)有史以來最大容量

,LPDDR4和LPDDR4X。數(shù)字越大,數(shù)據(jù)處理速度越快。 12GB LPDDR4X移動(dòng)DRAM搭載六顆第二代10納米(1y)16千兆位(Gb)芯片。
2019-03-15 14:55:395834

SK海力士:采用EUV技術(shù)的第四10納米級(jí)DRAM已量產(chǎn)

業(yè)內(nèi)工藝節(jié)點(diǎn)都以標(biāo)注英文字母的方式起名,此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級(jí)工藝是繼1x(第一代)、1y(第二代)、1z(第三代)之后的第四工藝節(jié)點(diǎn)。公司預(yù)計(jì)從下半年開始向智能手機(jī)廠商供應(yīng)適用1a納米級(jí)技術(shù)的移動(dòng)端DRAM。 ? 工藝的極度細(xì)微化趨勢(shì)使半導(dǎo)體廠商陸續(xù)導(dǎo)入E
2021-07-12 10:57:065591

DRAM廠商在制造工藝方面追趕三星

據(jù)IHS公司的DRAM市場(chǎng)報(bào)告,隨著 DRAM 價(jià)格降到了極低水平,如果廠商不轉(zhuǎn)向效率更高的3x/2x納米制程,可能面臨重大虧損,三星電子等領(lǐng)先的內(nèi)存供應(yīng)商已經(jīng)采用了上述制程。 三星
2011-08-25 09:05:571422

存儲(chǔ)器廠商發(fā)力,10納米DRAM技術(shù)待攻克

報(bào)導(dǎo),存儲(chǔ)器強(qiáng)三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron),正加速10納米DRAM時(shí)代做準(zhǔn)備。因存儲(chǔ)器削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)結(jié)束后,大廠認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:421577

DRAM市場(chǎng)剩下三星家獨(dú)霸天下?

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)整合,外界本以為大廠能和平共存,坐享更高獲利,沒想到三星電子趁著對(duì)手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米不順之際,增產(chǎn)搶市占,意圖趕盡殺絕。Bernstein Research悲觀預(yù)測(cè),三星下手太狠,DRAM恐怕只剩三星家獨(dú)活
2016-04-13 10:42:16986

芯片巨頭技術(shù)升級(jí) 三星投產(chǎn)二代10nm技術(shù)

三星本周宣布,將定于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前,三星已經(jīng)在美國(guó)硅谷開始向多個(gè)半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝,目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677

三星獨(dú)霸2016第DRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)

據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)DRAMeXchange消息,三星電子2016年第季移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的銷售額同比增長(zhǎng)19.4%至24.18億美元,全球市場(chǎng)占有率升至61.5%,創(chuàng)下移動(dòng)DRAM市場(chǎng)份額單獨(dú)統(tǒng)計(jì)以來的歷史最高紀(jì)錄。
2016-08-18 10:05:401258

三星18nm DRAM緊急召回 下游廠商面臨缺貨危機(jī)

業(yè)界消息指出,存儲(chǔ)器大廠三星電子自2月中旬起,陸續(xù)召回部分序號(hào)的18納米制程DRAM模組,原因在于這些18納米DRAM會(huì)導(dǎo)致電腦系統(tǒng)出錯(cuò)及出現(xiàn)藍(lán)屏當(dāng)機(jī)。由于三星在全球PC DRAM市占過半,據(jù)傳召回的DRAM模組數(shù)量達(dá)10萬條,業(yè)界認(rèn)為導(dǎo)致3月DRAM缺貨雪上加霜,合約價(jià)再見飆漲走勢(shì)。
2017-03-06 09:34:281126

三星擴(kuò)產(chǎn)DRAM 存儲(chǔ)器好景恐難延續(xù)

之前外資曾警告,DRAM 榮景能否持續(xù),取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子,要是三星擴(kuò)產(chǎn),好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤(rùn)誘人,傳出決定擴(kuò)產(chǎn),新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15876

三星公布第2/310nm制程量產(chǎn)時(shí)間 嗆聲臺(tái)積電

三星電子野心勃勃,全力搶攻晶圓代工業(yè)務(wù),該公司宣布第三代10納米制程量產(chǎn)時(shí)間,并表示未來增加8 納米和6納米制程,嗆聲臺(tái)積電意味濃厚。
2017-03-17 09:21:081139

三星二代10納米制程開發(fā)完成 | 老邢點(diǎn)評(píng)

三星上周四宣布,第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成,未來爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導(dǎo)體小編起來了解下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-27 10:04:491826

三星1z納米EUV制程DRAM完成量產(chǎn)

韓國(guó)三星近期積極極紫外(EUV)曝光技術(shù)應(yīng)用在采用1z納米制程的DRAM記憶體生產(chǎn)上,并且完成了量產(chǎn)。而根據(jù)半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)《TechInsights》拆解了分別采用EUV曝光技術(shù)和ArF-i曝光
2021-02-22 10:31:363352

質(zhì)疑對(duì)手技術(shù)進(jìn)展真實(shí)性,三星公開10納米級(jí)制程DRAM電路線寬

5月7日消息?由于質(zhì)疑競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)進(jìn)展,三星決定公開自家DRAM產(chǎn)品的電路線寬,以顯示三星在該領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo),三星準(zhǔn)備打破DRAM業(yè)界傳統(tǒng),公布自家DRAM產(chǎn)品電路
2021-05-07 10:25:352126

三星成功開發(fā)LPDDR5X DRAM,擴(kuò)大超高速數(shù)據(jù)服務(wù)市場(chǎng)

三星成功開發(fā)LPDDR5X DRAM三星的14納米LPDDR5X在“速度、容量和省電”特性方面大幅提升,針對(duì)5G、AI、元宇宙等爆發(fā)式增長(zhǎng)的未來尖端產(chǎn)業(yè)提供優(yōu)秀的解決方案。
2021-11-09 10:23:472188

DRAM技術(shù)或迎大轉(zhuǎn)彎,三星、海力士擱置擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目

步伐。據(jù)韓媒Kinews等報(bào)導(dǎo),三星2018年下半原計(jì)劃對(duì)DRAM及NAND Flash進(jìn)行新投資,傳出延至2019年,取而代之的是對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)投資,期望獲利維持定水平。同時(shí),另家半導(dǎo)體大廠
2018-10-12 14:46:09

三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折, 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53

三星宣布退出歐洲筆記本市場(chǎng)

調(diào)整?!?b class="flag-6" style="color: red">三星表示,“在歐洲,我們現(xiàn)在停止繼續(xù)銷售包括Chromebook在內(nèi)的所有筆記本電腦。這決定只限于歐洲市場(chǎng)——并不能反映其他市場(chǎng)的情況。我們繼續(xù)根據(jù)市場(chǎng)情況在未來作出調(diào)整,以保證我們?cè)谛屡d
2014-09-25 10:32:11

三星宣布:DRAM工藝可達(dá)10nm

那樣。即使這樣做,到2014年,個(gè)DRAM電容器的容量(Cs)也只有2009年的52%。此次,三星通過DRAM單元的配置由過去的格子狀改成蜂窩狀結(jié)構(gòu)、引進(jìn)減小Cb的“Air Spacer”技術(shù)
2015-12-14 13:45:01

三星布陣Asian Edge 第島鏈再成科技最前線

商機(jī)仍然暢旺,在供給端僅有三星、SK海力士、美光,加上新技術(shù)量產(chǎn)困難,在這些現(xiàn)實(shí)下,2019年對(duì)存儲(chǔ)器廠商而言仍會(huì)是個(gè)豐收的年度。如果要考慮供過于求的變量,可能是第二代10nm等級(jí)的DRAM技術(shù)
2018-12-25 14:31:36

三星手機(jī)RFID讀取芯片

三星宣布開發(fā)手持式裝置用的RFID(radio frequency identification)讀取芯片,能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息,但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出,RFID
2019-07-04 07:26:16

三星電子行業(yè)巨頭成長(zhǎng)史

綜合技術(shù)研究院(SAIT)。這兩個(gè)作為先驅(qū)的R&D組織,成功地幫助三星將其業(yè)務(wù)甚至進(jìn)一步擴(kuò)大到電子、半導(dǎo)體、高分子化學(xué)、基因工程、光纖通訊、航空,以及從納米技術(shù)到先進(jìn)的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)等廣闊的領(lǐng)域。 在
2019-04-24 17:17:53

進(jìn)一步解讀英偉達(dá) Blackwell 架構(gòu)、NVlink及GB200 超級(jí)芯片

新的標(biāo)準(zhǔn)。Blackwell架構(gòu)和GB200 超級(jí)芯片有望推動(dòng)英偉達(dá)在人工智能領(lǐng)域更進(jìn)一步,鞏固其在高性能計(jì)算和人工智能技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。隨著亞馬遜網(wǎng)絡(luò)服務(wù)、谷歌云和微軟 Azure 等公司開始整合這些新系統(tǒng),英偉達(dá)創(chuàng)新的影響進(jìn)一步擴(kuò)大,預(yù)示著各個(gè)領(lǐng)域人工智能能力的新時(shí)代的到來。
2024-05-13 17:16:22

GF退出7納米大戰(zhàn) 國(guó)鼎立下中國(guó)芯路在何方

研發(fā)實(shí)力得到進(jìn)一步夯實(shí),正伺機(jī)而動(dòng)等待崛起之機(jī)。GF退出后,高端芯片將出現(xiàn)定的市場(chǎng)缺口,這將成為中國(guó)芯爭(zhēng)搶市場(chǎng)份額的好時(shí)機(jī)。日前,7納米的中國(guó)芯制造捷報(bào)頻頻。***才宣布 14 納米FinFET
2018-09-05 14:38:53

IC Insights:DRAM市場(chǎng)即將放緩 國(guó)產(chǎn)品牌穩(wěn)步挺近

價(jià)格迅速下跌。IC Insights預(yù)測(cè),隨著更多的產(chǎn)能上線,供應(yīng)限制開始緩解,DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)將會(huì)降溫。值得提的是,據(jù)報(bào)道,三星和SK海力士已推遲了部分?jǐn)U張計(jì)劃,原因是預(yù)計(jì)客戶需求將出現(xiàn)疲軟,更有
2018-10-18 17:05:17

全球10DRAM廠商排名

合作集團(tuán)在營(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能上較為顯著。除此之外,為更進(jìn)一步了解整體產(chǎn)業(yè)實(shí)質(zhì)銷售額(扣除廠商間代工業(yè)務(wù)重復(fù)計(jì)算之銷售額),DRAMeXchange另行統(tǒng)計(jì)各家DRAM廠商自有品牌DRAM銷售額,在銷售額排行
2008-05-26 14:43:30

分析:三星芯片業(yè)務(wù)助推Q3利潤(rùn)創(chuàng)新高

對(duì)DRAM芯片的強(qiáng)勁需求繼續(xù)超過供應(yīng),因三星和第大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會(huì)投產(chǎn);此外,截至9月NAND閃存的需求則連續(xù)第六季超過供應(yīng)。供蘋果新手機(jī)使用的有機(jī)發(fā)光極體(OLED)面板的銷售增長(zhǎng),也支撐了第四季獲利創(chuàng)紀(jì)錄新高的預(yù)期。
2017-10-13 16:56:04

回收三星ic 收購(gòu)三星ic

年收購(gòu)電子芯片,收購(gòu)電子IC,收購(gòu)DDR ,收購(gòu)集成電路芯片,收購(gòu)內(nèi)存芯片,大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列,三星,現(xiàn)代,閃迪,金士頓,鎂光,東芝,南亞,爾必達(dá),華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25

三星改進(jìn)DRAM芯片生產(chǎn)技術(shù)明年應(yīng)用于生產(chǎn)

    當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周四,全球最大的內(nèi)存芯片生產(chǎn)商三星電子宣布,已經(jīng)成功采用70納米生產(chǎn)工藝制造出第DRAM芯片。旦這種生產(chǎn)工藝廣泛應(yīng)用于該公司
2006-03-13 13:05:43572

三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代

三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代 三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮,積極導(dǎo)入40納米制程,第4季已開始小幅試產(chǎn)DDR3,預(yù)計(jì)2010年下半40納米將成為主流制程
2009-11-18 09:20:55645

三星大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片

三星大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周稱,30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用,準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:261010

三星電子開發(fā)新一代LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù)

關(guān)于新一代LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù),三星電子表示,這是繼去年12月在電子行業(yè)首次開發(fā)30納米級(jí)4Gb LPDDR2移動(dòng)DRAM之后,不到九個(gè)月又成功開發(fā)出使用30納米級(jí)工藝的4Gb LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù)的新一代產(chǎn)
2011-09-30 09:30:132597

三星總裁稱泰國(guó)洪災(zāi)對(duì)DRAM市場(chǎng)產(chǎn)生不利影響

據(jù)外國(guó)媒體報(bào)道,三星電子總裁近日宣稱,預(yù)計(jì)泰國(guó)洪災(zāi)將會(huì)對(duì)個(gè)人電腦(PC)產(chǎn)量產(chǎn)生巨大沖擊,并將由此進(jìn)一步沖擊計(jì)算機(jī)芯片市場(chǎng),而且這種沖擊形成的不利局面可能要到明年第
2011-10-31 09:50:04546

機(jī)頂盒失去對(duì)DRAM市場(chǎng)的影響力

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM研究報(bào)告,盡管其DRAM含量不斷增加,但機(jī)頂盒在DRAM市場(chǎng)中的份額未來幾年進(jìn)一步下降。
2011-11-03 09:13:541031

三星召開高層會(huì)議 疑向蘋果進(jìn)一步施壓

今年科技界大看點(diǎn):三星和蘋果之間的專利之爭(zhēng),可謂刀光劍影,近日三星召開高層管理會(huì)議,外界解讀三星可能借此進(jìn)一步向蘋果施壓。
2012-12-18 08:59:171811

移動(dòng)DRAM芯片供應(yīng)緊俏 三星考慮購(gòu)入SK存儲(chǔ)芯片

19日,據(jù)外媒報(bào),三星移動(dòng)業(yè)務(wù)部表示,三星考慮從競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士購(gòu)入移動(dòng)存儲(chǔ)芯片,以確保Galaxy S系列重要機(jī)型芯片供應(yīng)。而從移動(dòng)芯片穩(wěn)步增長(zhǎng)趨勢(shì),反映DRAM供應(yīng)市場(chǎng)緊俏前景。
2013-04-22 09:58:481060

三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了

三星是全球最大的DRAM芯片供應(yīng)商,自己家就占據(jù)了47.5%的份額,遠(yuǎn)高于SK Hynix和美光。不僅如此,三星DRAM技術(shù)上也遙遙領(lǐng)先于其他兩家,去年3月份就宣布量產(chǎn)18nm工藝的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:572704

三星將于2020年推出16nm工藝 DRAM 芯片 15nm或成為 DRAM 終點(diǎn)

三星不僅是智能手機(jī)市場(chǎng)的老大,更重要的是三星還掌握了產(chǎn)業(yè)鏈至關(guān)重要的DRAM內(nèi)存、NAND閃存及OLED屏幕,這大部件上三星遙遙領(lǐng)先其他對(duì)手,手機(jī)OLED面板上更是占據(jù)95%以上的份額。
2017-04-20 10:47:021878

三星宣布已經(jīng)完成第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作

三星今天宣布,繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后,日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作,即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883

三星宣布第二代10nm制程已完成開發(fā)

三星上周四宣布,第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成,未來爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn),目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11746

三星計(jì)劃明年資本支出預(yù)算提到1.5倍,欲想獨(dú)霸DRAM和閃存市場(chǎng)

在內(nèi)存市場(chǎng)三星已經(jīng)占據(jù)了大半的江山,據(jù)悉,明年三星還將繼續(xù)在生產(chǎn)方面的資本支出預(yù)算提到1.5倍,是想進(jìn)一步壟斷DRAM和NAND閃存市場(chǎng),可以說這是場(chǎng)260億美元的豪賭。
2021-08-27 14:38:541349

三星利用二代10納米工藝研發(fā)出8Gb DDR4芯片

三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級(jí)芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582

“全球最小”8Gb DDR4 芯片 三星DRAM地位再增強(qiáng)

三星DRAM市場(chǎng)的霸主再次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道,三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片,這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033

三星全球首發(fā)第二代10nm DRAM產(chǎn)品

三星被人稱為世界最賺錢的公司之三星Q3凈利潤(rùn)高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息,更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812

三星開發(fā)世界最小DRAM芯片將用于高端數(shù)據(jù)處理設(shè)施

12月20日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,韓國(guó)三星電子公司周(今天)表示,它已經(jīng)開發(fā)了世界上最小的DRAM芯片,領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的科技優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步提高。由于受到半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的驅(qū)動(dòng),該公司2017年運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)有望創(chuàng)下歷史最高紀(jì)錄。
2017-12-27 15:53:544685

三星開始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片

據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道,三星電子今天宣布,已開始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:417019

物聯(lián)網(wǎng)周報(bào):百度與雄安共建AI國(guó)家實(shí)驗(yàn)室 三星開發(fā)全球最小DRAM芯片

三星電子表示,其已開發(fā)出全球最小的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)芯片,第二代10納米級(jí)芯片比第一代芯片10%,功耗降低15%。
2018-01-05 08:57:054250

5G助力PCB行業(yè)進(jìn)一步發(fā)展,繁榮PCB市場(chǎng)

隨著通訊代際升級(jí)步伐不斷加速,4G進(jìn)入后周期,5G助力PCB行業(yè)進(jìn)一步發(fā)展,繁榮PCB市場(chǎng)。
2018-01-18 08:34:335753

三星Galaxy S9將使用第二代10納米LPP處理器

之前傳聞三星Galaxy Note 9將會(huì)采用7nm芯片組,但是根據(jù)今日最新消息,或?qū)⒉辉诓捎?nm芯片組,同時(shí)三星宣布Galaxy S9智能手機(jī)將使用第二代10納米LPP處理器,并且10納米LPP芯片已經(jīng)進(jìn)行批量生產(chǎn)了。
2018-02-01 16:08:401667

三星電子明年全力搶攻5G基地臺(tái)及終端芯片市場(chǎng)

韓國(guó)三星電子為了搶攻5G市場(chǎng)龐大商機(jī),透過旗下晶圓代工事業(yè)提供10納米及7納米等先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì),明年全力搶攻5G基地臺(tái)及終端芯片市場(chǎng),法人看好智原將受惠并搶下周邊特殊應(yīng)用芯片(ASIC)訂單。
2018-11-22 15:49:001823

三星悄悄引入EUV,大量投產(chǎn)使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片

作為DRAM芯片的龍頭企業(yè),三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道,三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV(極紫外光)光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā),基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128

為追趕臺(tái)積電,三星宣布攜手ARM進(jìn)一步優(yōu)化7納米及5納米制程芯片

,2018年初也已經(jīng)宣布在南科啟動(dòng)5納米建廠計(jì)劃,正式投入5納米制程的研發(fā)。因此,三星為了能縮減與臺(tái)積電的差距,5日正式宣布攜手知識(shí)產(chǎn)權(quán)大廠安謀(ARM),雙方協(xié)議進(jìn)一步優(yōu)化7納米及5納米制程芯片。
2018-07-06 15:01:004225

三星二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:251102

三星啟用EUV設(shè)備進(jìn)行DRAM研發(fā)生產(chǎn)

三星電子(Samsung Electronics)啟動(dòng)采用極紫外光(EUV)微影設(shè)備的DRAM生產(chǎn)研發(fā),雖然三星目標(biāo)2020年前量產(chǎn)16納米DRAM,不過也有可能先推出17納米制程產(chǎn)品。
2018-08-17 17:07:22943

三星推遲擴(kuò)產(chǎn)DRAM,多方受益

全球記憶體龍頭三星原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬片DRAM計(jì)劃,決定延至今年底,為DRAM價(jià)格形成有力支撐。
2018-08-21 09:16:003449

2019年三星DRAM的投資大砍20%,以維持市場(chǎng)價(jià)格的高水位

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出,雖然針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少。但是,在DRAM及NAND Flash快閃存儲(chǔ)器上還是有區(qū)別的。分析師認(rèn)為,三星在2019年的半導(dǎo)體投資減少8%,但NAND Flash快閃存
2018-10-10 15:38:114645

三星進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,下半年DRAM漲勢(shì)恐止歇

全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,業(yè)界認(rèn)為,由于建廠時(shí)間還要兩年,難解今年缺貨窘境,不過受心理層面影響,恐讓下半年DRAM漲勢(shì)止歇。
2018-10-25 15:59:261447

三星與SK海力士正在研發(fā)EUV技術(shù) 未來有機(jī)會(huì)藉此生產(chǎn)DRAM的成本降低

就在臺(tái)積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后,存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也追隨。也就是全球存儲(chǔ)器龍頭三星未來1Y納米制程的DRAM存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)上,也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外,韓國(guó)另
2018-10-29 17:03:244026

華為進(jìn)一步鞏固了全球手機(jī)老的位置 形成了緊追三星的勢(shì)頭

市調(diào)機(jī)構(gòu)counterpoint發(fā)布的季度出貨量數(shù)據(jù)顯示,前五大手機(jī)品牌當(dāng)中,華為增速最快,同比增長(zhǎng)33%,進(jìn)一步鞏固了全球手機(jī)老的位置,與第大品牌三星的差距進(jìn)一步縮小,形成了緊追三星的勢(shì)頭。
2018-11-02 15:23:04679

10納米DRAM制程競(jìng)爭(zhēng)升溫,SK海力士、美光加速追趕三星

逐漸升溫,三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y)制程DRAM,目前傳出進(jìn)入第三代10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進(jìn)制
2018-11-12 18:04:02533

韓國(guó)公司生產(chǎn)的DRAM(內(nèi)存)芯片已經(jīng)占到全球市場(chǎng)的75%

今年11月15日,SK海力士發(fā)布第個(gè)符合JEDEC規(guī)格的DDR5 DRAM,而三星則在7月份成功開發(fā)出10nm級(jí)別的LPDDR5 DRAM,在技術(shù)上進(jìn)一步領(lǐng)先于世界同類企業(yè)。據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹,SK
2018-11-23 17:27:118023

三星采用第二代10nm工藝級(jí)別的DRAM芯片量產(chǎn)

三星電子今天宣布,開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級(jí)別的DRAM芯片
2018-12-11 09:40:551196

韓國(guó)三星被曝有意進(jìn)一步擴(kuò)展其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

半導(dǎo)體界人士認(rèn)為,三星展開并購(gòu)的可能性很大。三星是全球第大存儲(chǔ)器半導(dǎo)體公司,但時(shí)下存儲(chǔ)器半導(dǎo)體需求不振,價(jià)格下跌,迫使三星尋求非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展機(jī)會(huì),而并購(gòu)則是最直接的手段。之前傳聞三星有意收購(gòu)格羅方德,進(jìn)一步擴(kuò)大半導(dǎo)體代工的規(guī)模。
2019-03-08 08:59:02956

2019年三星與SK海力士的DRAM市占率進(jìn)一步成長(zhǎng)

從企業(yè)別來看,三星電子的銷售額為437億4700萬美元,市占率為43.9%,維持著壓倒性的領(lǐng)先地位;SK海力士也緊追在后,銷售額達(dá)294億900萬美元,市占率為29.5%。若將兩家企業(yè)并來看,在
2019-03-10 10:00:352193

三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840

三星突破DRAM的擴(kuò)展極限 成功研發(fā)10nm級(jí)DDR4內(nèi)存

,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)(1y-nm)8Gb DDR4以來僅僅16個(gè)月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4,說明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:542123

三星電子開發(fā)首款基于第三代10nm級(jí)工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320

三星宣布量產(chǎn)全球首款12GbLPDDR5DRAM

近日,三星官方宣布,公司量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解,三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對(duì)未來智能手機(jī),優(yōu)化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:473256

聯(lián)電盈利表現(xiàn)進(jìn)一步提升 中國(guó)大陸市場(chǎng)將成為有力支撐

Magnachip代工40納米OLED面板驅(qū)動(dòng)IC及80納米TDDI,這兩家公司均是三星OLED面板主要芯片供應(yīng)商。系列消息顯示,聯(lián)電自2017年啟動(dòng)的強(qiáng)化成熟工藝市場(chǎng)、實(shí)現(xiàn)差異化轉(zhuǎn)型策略正在取得進(jìn)展。未來,聯(lián)電的盈利表現(xiàn)將有進(jìn)一步的提升。
2019-12-04 15:54:163266

5G推動(dòng)OLED市場(chǎng),2020年三星顯示器業(yè)務(wù)需求進(jìn)一步增大

三星顯示器在幾周前銷量攀升,正式成為顯示器行業(yè)市場(chǎng)中最大的供應(yīng)商。另外,由于即將到來的5G時(shí)代,導(dǎo)致OLED面板需求增大,所以2020年三星顯示器業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)還會(huì)進(jìn)一步增長(zhǎng)。
2019-12-15 11:58:061046

三星表示將在2020年電子錢包和移動(dòng)支付系統(tǒng)進(jìn)一步拓展市場(chǎng)

12月18日消息,三星智付(Samsung Pay)在2015年首次推出,現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展到全球26個(gè)國(guó)家和地區(qū),但目前世界上共有230多個(gè)國(guó)家和地區(qū),所以不管怎么說,三星智付的覆蓋范圍還不算特別廣。三星在最近的份官方聲明中表示,在2020年,其電子錢包和移動(dòng)支付系統(tǒng)進(jìn)一步拓展市場(chǎng)
2019-12-18 16:43:233856

三星EUV技術(shù)成功應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)

據(jù)ZDnet報(bào)道,三星宣布,已成功EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
2020-03-25 16:24:393360

三星成首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術(shù)的存儲(chǔ)器供應(yīng)商

電子DRAM芯片產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁指出,隨著以EUV技術(shù)所生產(chǎn)出的新型DRAM芯片量產(chǎn),展示著三星對(duì)提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶需求的承諾。這項(xiàng)重大進(jìn)展也說明了三星將如何透過即時(shí)開發(fā)高端制程技術(shù)來生產(chǎn)高端存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的下一代產(chǎn)品,繼續(xù)
2020-04-03 15:47:511320

三星穩(wěn)坐DRAM市場(chǎng)頭名:利潤(rùn)率41%

據(jù)韓聯(lián)社援引 TrendForce 的數(shù)據(jù),三星目前仍是 NAND 閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,按收入計(jì)算,其在全球 DRAM 市場(chǎng)中的份額在 7-9 月期間占 41.3%,相比上季度下降了 2.2 個(gè)
2020-11-22 10:22:012037

三星明年全年DRAM和NAND的供應(yīng)將嚴(yán)重不足

三星正利用這時(shí)期擴(kuò)大領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),三星計(jì)劃明年DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產(chǎn)能分別擴(kuò)大3萬、6萬和2萬片。
2020-11-24 14:34:082248

DRAM的架構(gòu)/標(biāo)準(zhǔn)/特點(diǎn)/未來展望

這些年來,記憶體領(lǐng)域出現(xiàn)了各種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)標(biāo)準(zhǔn),這些標(biāo)準(zhǔn)也都各自進(jìn)一步發(fā)展出不同世代的版本。本文將回顧不同DRAM架構(gòu)的特色,點(diǎn)出這些架構(gòu)的共同趨勢(shì)與瓶頸,并會(huì)提出IMEC為了DRAM性能推至極限而采取的相關(guān)發(fā)展途徑。
2021-01-22 10:12:356282

三星中斷12nm DRAM芯片開發(fā),直接跨入11nm

近日,據(jù)韓媒報(bào)道稱,三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令,要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片,也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前,三星也做出過類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244

三星2nm新消息:2025年開始量產(chǎn),進(jìn)一步優(yōu)化結(jié)構(gòu)、提升性能

,比5nm芯片功耗低45%,性能高23%,同時(shí)三星也開始了第二代3nm芯片的計(jì)劃。 不止是第二代3nm芯片,三星也已經(jīng)確定了將在2025年量產(chǎn)2nm芯片,同臺(tái)積電之前宣布的時(shí)間樣。三星的2nm芯片繼續(xù)沿用GAA晶體管技術(shù),并且進(jìn)一步優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu),性能和功耗等方面會(huì)得
2022-07-08 14:42:101758

三星與AMD共同研發(fā)第二代智能固態(tài)硬盤

  據(jù)消息報(bào)道,三星電子近日宣布,該公司已與AMD共同研發(fā)第二代智能固態(tài)硬盤(SmartSSD),這將搶占未來市場(chǎng)。
2022-07-22 17:03:433079

三星首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開發(fā)成功

-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動(dòng)下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:291205

三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開發(fā)成功

-? 三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動(dòng)下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 中國(guó)深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首
2022-12-21 21:19:541342

三星DRAM間接減產(chǎn)9%,占全球DRAM產(chǎn)量4%

三星獲利在市場(chǎng)共識(shí)下,應(yīng) 2023 年第季財(cái)報(bào)發(fā)表(4 月)就結(jié)束跌勢(shì)。因看到 DRAM 供需動(dòng)態(tài)改善,整體 DRAM 走跌周期因庫(kù)存下降與價(jià)格下跌放緩等,第季獲利走跌逐漸趨緩。
2023-02-21 10:15:04644

三星DRAM月產(chǎn)量降至兩年來新低 行業(yè)頻現(xiàn)庫(kù)存改善信號(hào)

但這并不是全部,報(bào)道稱三星內(nèi)部計(jì)劃減產(chǎn)持續(xù)至明年,在半導(dǎo)體市場(chǎng)重回供需平衡之前,公司避免擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片。Omdia預(yù)計(jì),明年下半年三星DRAM月產(chǎn)量保持在60萬片,較目前水平進(jìn)一步減少。
2023-07-06 15:57:361181

HBM市場(chǎng)前景樂觀,推動(dòng)三星等半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的進(jìn)一步增長(zhǎng)

 在人工智能(ai)時(shí)代引領(lǐng)世界市場(chǎng)三星等公司hbm應(yīng)用在dram上,因此hbm備受關(guān)注。hbm是多個(gè)dram芯片垂直堆積,可以適用于為ai處理而特別設(shè)計(jì)的圖像處理裝置(gpu)等機(jī)器的高性能產(chǎn)品。
2023-08-03 09:42:501218

三星開發(fā)新一代“緩存DRAM”:能效提升60%,速度延遲降低50%

有傳聞稱,三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu,但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉,hbm可以多個(gè)dram垂直連接起來,提高數(shù)據(jù)處理速度,因此,現(xiàn)金dram僅用個(gè)芯片就可以儲(chǔ)存與整個(gè)hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:321571

三星削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之。據(jù)報(bào)道,三星原計(jì)劃p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個(gè)dram和3萬個(gè)nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個(gè)dram和1萬個(gè)nand芯片
2023-10-08 11:45:571540

芯片超過 100Gb,三星表示挑戰(zhàn)業(yè)界最高密度 DRAM 芯片

三星電子在此次會(huì)議上表示:“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級(jí)dram,目前正在開發(fā)的11納米級(jí)dram提供業(yè)界最高密度。”另外,三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架,并計(jì)劃為個(gè)芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720

三星電子擴(kuò)大尖端DRAM/NAND產(chǎn)量

Kim Jae-jun補(bǔ)充道:“三星電子通過維持投資來進(jìn)一步鞏固其在尖端存儲(chǔ)器市場(chǎng)的地位,以確保其中長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力?!?b class="flag-6" style="color: red">三星電子負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的DS部門計(jì)劃每年投資47.5萬億韓元的資本支出。
2023-11-03 16:17:571753

三星將于明年量產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片

三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計(jì)劃等。當(dāng)投資者詢問三星今后開發(fā)的技術(shù)時(shí),管理人員公開了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

三星攜手紅帽進(jìn)一步擴(kuò)大CXL存儲(chǔ)生態(tài)系統(tǒng)

2023年12月27日——三星宣布,與開源軟件提供商紅帽(Red Hat)攜手,首次成功在真實(shí)用戶環(huán)境中驗(yàn)證了Compute Express Link(CXL)內(nèi)存技術(shù)的運(yùn)行,這將進(jìn)一步擴(kuò)大三星的 CXL生態(tài)系統(tǒng)。
2023-12-27 10:34:181372

三星/SK海力士已開始訂購(gòu)DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購(gòu);此外,三星和SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進(jìn)一步加大對(duì)DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

DRAM合約價(jià)季度漲幅預(yù)計(jì)13~18%,移動(dòng)設(shè)備DRAM引領(lǐng)市場(chǎng)

據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示,PC DRAM方面,DDR5訂單需求未得到充分滿足,買方預(yù)期DDR4價(jià)格進(jìn)一步上漲,這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型,但對(duì)于DDR4采購(gòu)量增幅不定。預(yù)計(jì)PC DRAM季度合約價(jià)變化幅度將在10~15%之間,其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:261082

三星在硅谷建立3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室

三星電子,全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商,近日宣布在美國(guó)設(shè)立新的研究實(shí)驗(yàn)室,專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個(gè)實(shí)驗(yàn)室隸屬于總部位于美國(guó)硅谷的Device Solutions America (DSA),負(fù)責(zé)三星在美國(guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:461306

三星電子在硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室

近日,三星電子宣布在硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室,以加強(qiáng)其在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。該實(shí)驗(yàn)室的成立專注于開發(fā)具有更高性能和更低功耗的3D DRAM,以滿足不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。
2024-01-31 11:42:011285

三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”!

近期,科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了個(gè)引人注目的決策:將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141890

三星與海力士引領(lǐng)DRAM革新:新一代HBM采用混合鍵合技術(shù)

在科技日新月異的今天,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,其技術(shù)革新直備受矚目。近日,據(jù)業(yè)界權(quán)威消息源透露,韓國(guó)兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士,都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486

三星積極研發(fā)LLW DRAM內(nèi)存,劍指蘋果下一代XR設(shè)備市場(chǎng)

近日,韓媒ZDNet Korea報(bào)道,三星電子正全力投入到低延遲寬I/O(LLW DRAM)內(nèi)存的研發(fā)中,旨在為未來蘋果Vision Pro之后的下一代頭戴式顯示器(XR設(shè)備)訂單做好充分準(zhǔn)備。這舉措標(biāo)志著三星在高端智能設(shè)備內(nèi)存領(lǐng)域的雄心壯志,以及其對(duì)市場(chǎng)格局重塑的堅(jiān)定決心。
2024-07-18 15:19:241453

三星開始量產(chǎn)其最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品,助力端側(cè)AI應(yīng)用

深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日,三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級(jí)LPDDR5X DRAM(內(nèi)存)開始量產(chǎn),支持12GB和16GB容量。這將進(jìn)一步鞏固三星
2024-08-06 08:32:461003

三星高通聯(lián)手開發(fā)XR芯片,劍指蘋果市場(chǎng)

三星電子與高通公司攜手,共同推進(jìn)XR(擴(kuò)展現(xiàn)實(shí))技術(shù)的邊界,宣布開發(fā)專用于XR設(shè)備的高性能芯片。這戰(zhàn)略舉措標(biāo)志著三星在XR市場(chǎng)邁出了重要一步,同時(shí)也預(yù)示著與蘋果在該領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)一步加劇。
2024-08-09 14:42:451256

三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

據(jù)DigiTimes報(bào)道,三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五10nm級(jí)DRAM(1b DRAM)的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報(bào)道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計(jì)報(bào)道

據(jù)報(bào)道,三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其重新設(shè)計(jì)第五10nm級(jí)DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新輪關(guān)注。 此前有報(bào)道指出,三星電子為應(yīng)對(duì)其12nm級(jí)
2025-01-23 15:05:11923

已全部加載完成