臺(tái)積電已穩(wěn)坐全球芯片代工行業(yè)老大的地位20多年，如今在先進(jìn)工藝制程上取得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，在芯片代工行業(yè)的地位更趨穩(wěn)固，似乎唯一可挑戰(zhàn)它的就只剩下三星，而三星能在芯片代工業(yè)務(wù)上持續(xù)投入與它在存儲(chǔ)芯片行業(yè)所擁有的優(yōu)勢(shì)市場(chǎng)地位有很大關(guān)系。
2018-09-19 08:43:40
4491 ）技術(shù)。 三星的創(chuàng)新被認(rèn)為是大規(guī)模生產(chǎn)高性能芯片的最具挑戰(zhàn)性的封裝技術(shù)之一，因?yàn)樗枰_的精度才能通過(guò)具有60,000多個(gè)TSV孔的三維配置垂直互連12個(gè)DRAM芯片。 封裝的厚度（720um）與當(dāng)前的8層高帶寬存儲(chǔ)器（HBM2）產(chǎn)品相同，這在組件設(shè)計(jì)上是一項(xiàng)重大進(jìn)步。這將
2019-10-08 16:32:236863 2020年2月，固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)(JEDEC)對(duì)外發(fā)布了第三版HBM2存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:282441 三星最近打破了目前市場(chǎng)上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲(chǔ)芯片。
2012-09-21 10:14:521228 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子，要是三星擴(kuò)產(chǎn)，好景恐怕無(wú)法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤(rùn)誘人，傳出決定擴(kuò)產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15876 三星電子宣布推出了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存。它是第二代Aquabolt的后繼產(chǎn)品，具有16GB的兩倍容量和3.2Gbps的更高穩(wěn)定傳輸速度。
2020-02-05 13:40:231654 記者從三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司獲悉，地處西安高新區(qū)的三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片一期項(xiàng)目一、二月份實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)生產(chǎn)，二期項(xiàng)目正按計(jì)劃推進(jìn)。 據(jù)三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司副總裁池賢基介紹，受疫情影響，2月份公司曾
2020-03-10 08:30:005835 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）新型存儲(chǔ)HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來(lái)越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來(lái)看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244378 
凈利潤(rùn)下滑。 在全球智能手機(jī)市場(chǎng)，三星是手機(jī)市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)品牌，也是存儲(chǔ)芯片大廠。但是在AI服務(wù)器的HBM市場(chǎng)，三星落后于韓國(guó)SK海力士和美光科技。 Futurum統(tǒng)計(jì)，全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">HBM的需求中，英偉達(dá)占比高達(dá)七成，三星遲遲沒(méi)有拿到英偉達(dá)的認(rèn)證，對(duì)近期的財(cái)報(bào)不利。
2025-07-09 00:19:007638 `這幾年以來(lái)，國(guó)內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動(dòng)DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點(diǎn)。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴(kuò)張
2018-10-12 14:46:09
三星在第三個(gè)國(guó)家建設(shè)相關(guān)工廠。對(duì)在中國(guó)設(shè)立生產(chǎn)基地的原因，三星方面稱，“中國(guó)IT領(lǐng)域非?；钴S，全世界V-NAND芯片有一半銷量在中國(guó)消化。在西安投產(chǎn)后，我們將就地供應(yīng)，希望獲得好的成績(jī)”。 雖然韓國(guó)
2014-05-14 15:27:09
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士，更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過(guò)手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
的話，英特爾預(yù)計(jì)在2017年二季度將實(shí)現(xiàn)144億美元的銷售額，而三星電子的銷售額預(yù)計(jì)將達(dá)到146億美元。因此如果存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)價(jià)格在二季度及余下時(shí)間里都能持續(xù)增長(zhǎng)，三星電子將會(huì)取代英特爾成為全球最大
2019-04-24 17:17:53
的IDE接口被SATA取代，主板上的PCI被PCIE取代，打印機(jī)的并口被USB取代。于是這2年里，三星提出了新一代的存儲(chǔ)芯片UFS以取代EMMC。其本質(zhì)仍然是micro controller
2016-08-16 16:30:57
公司店鋪鏈接https://shenzlu.cn.china.cn/?from=tui 公司QQ1784094773主要熱門現(xiàn)貨有 鎂光 三星 海力士 各類存儲(chǔ)芯片 歡迎廣大終端客戶前來(lái)咨詢問(wèn)價(jià)
2019-01-10 14:40:29
原裝海力士三星存儲(chǔ)芯片，香港出貨，原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2
2020-02-13 14:35:59
對(duì)DRAM芯片的強(qiáng)勁需求將繼續(xù)超過(guò)供應(yīng)，因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會(huì)投產(chǎn)；此外，截至9月NAND閃存的需求則連續(xù)第六季超過(guò)供應(yīng)。供蘋果新手機(jī)使用的有機(jī)發(fā)光二極體（OLED）面板的銷售增長(zhǎng)，也支撐了第四季獲利創(chuàng)紀(jì)錄新高的預(yù)期。
2017-10-13 16:56:04
, Parallel
XIP：指代碼可以直接在芯片上執(zhí)行，無(wú)需先加載到RAM。
5. 行業(yè)現(xiàn)狀與趨勢(shì)
市場(chǎng)格局：
DRAM：高度集中，被 三星、SK海力士、美光 三大巨頭壟斷。
NAND Flash
2025-06-24 09:09:39
歐電子長(zhǎng)期全國(guó)回收品原裝存儲(chǔ)芯片：三星samsung，海力士SK hynix，現(xiàn)代hyniy，展訊SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎？
2019-08-05 22:52:59
UltraScale+芯片將配備8GB HBM 2顯存，帶寬460GB/s，號(hào)稱是DDR4內(nèi)存帶寬的20倍，不過(guò)該芯片本身還是配有DDR4內(nèi)存，頻率2666Mbps?！ ≈档米⒁獾氖?，雖然賽靈思沒(méi)有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22
三星2010存儲(chǔ)芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國(guó)三星電子周三表示，該公司目標(biāo)要在三年內(nèi)將半導(dǎo)體業(yè)
2009-11-02 16:09:22830 三星電子推出40納米級(jí)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)芯片
據(jù)韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》報(bào)道，世界著名存儲(chǔ)芯片企業(yè)三星電子在全球率先推出40納米級(jí)32GB DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記
2010-04-07 12:36:051148 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，消息人士周五透露，三星電子將不會(huì)向蘋果第一批發(fā)貨的新一代iPhone手機(jī)提供存儲(chǔ)芯片，原因是蘋果對(duì)三星電子的存儲(chǔ)芯片售價(jià)不滿。另有消息人士透露，蘋果將于下
2012-09-08 09:19:41713 云端的存儲(chǔ)解決方案并不是適用于所有的移動(dòng)平臺(tái)用戶。最近，三星打破了目前市場(chǎng)上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲(chǔ)芯片。
2012-09-21 10:11:251273 19日，據(jù)外媒報(bào)，三星移動(dòng)業(yè)務(wù)部表示，三星將考慮從競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士購(gòu)入移動(dòng)存儲(chǔ)芯片，以確保Galaxy S系列重要機(jī)型芯片供應(yīng)。而從移動(dòng)芯片穩(wěn)步增長(zhǎng)趨勢(shì)，反映DRAM供應(yīng)市場(chǎng)緊俏前景。
2013-04-22 09:58:481060 7月28日消息，三星上周五表示，公司已量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲(chǔ)產(chǎn)品。這將是全球速度最快的嵌入式存儲(chǔ)芯片。三星將提供16GB、32GB、64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2013-07-29 09:56:171224 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子本周二發(fā)布消息稱，公司將在韓國(guó)投資至少21.4萬(wàn)億韓元（約合人民幣1266億元），以鞏固自己在存儲(chǔ)芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。三星電子是目前世界上最大的存儲(chǔ)芯片制造商，今年第一季度，三星占據(jù)了全球存儲(chǔ)芯片營(yíng)收的40.4%。
2017-07-04 16:07:381016 作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的世界領(lǐng)導(dǎo)者（三星官方用語(yǔ)），三星電子在2017年7月18日宣布，它正在增加其8G版的高帶寬Memory-2（HBM2）的產(chǎn)量來(lái)滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，為人工智能、HPC（高性能計(jì)算）、更先進(jìn)的圖形處理、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和企業(yè)服務(wù)器等應(yīng)用層面提供支持。
2017-07-23 04:47:281018 前不久我們?cè)鴪?bào)道，市面上目前幾乎所有的HBM2顯存顯卡（NVIDIA Tesla P100、AMD MI25、Vega FE等）采用的都是三星的顆粒，而非SK海力士。
2017-08-05 11:24:272175 2018年，全球范圍內(nèi)對(duì)DRAM存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求將繼續(xù)超過(guò)供應(yīng)能力。三星，以及第二大廠商SK海力士的新工廠預(yù)計(jì)要到2019年才會(huì)投入運(yùn)營(yíng)。此外截止上月，NAND閃存芯片的需求已連續(xù)6個(gè)季度超過(guò)供應(yīng)量。
2017-10-14 09:08:004550 日前三星宣布第五代HBM 2顯存已經(jīng)著手生產(chǎn)了，將會(huì)進(jìn)一步加快HBM 2顯存研發(fā)，新一代的“Aquabolt”采用了TSV硅穿孔方式，垂直堆疊了8塊1GB的HBM 2 Die，速度明顯提升至了2.4GHz水平。據(jù)悉，這是目前全球速度最快的HBM 2顯存。
2018-01-12 15:18:172383 三星將這款產(chǎn)品命名為Aquabolt，號(hào)稱目前最快的DRAM，其對(duì)應(yīng)的目標(biāo)客戶是超級(jí)計(jì)算機(jī)、人工智能以及顯卡。
2018-01-13 16:19:011436 HBM2是使用在SoC設(shè)計(jì)上的下一代內(nèi)存協(xié)定，可達(dá)到2Gb/s單一針腳帶寬、最高1024支針腳(PIN)，總帶寬256GB/s (Giga Byte per second)。1024針腳的HBM2
2018-01-23 14:40:2031219 據(jù)市場(chǎng)分析，GPU業(yè)者對(duì)繪圖DRAM需求料將有增無(wú)減，2018年繪圖DRAM銷量會(huì)持續(xù)上揚(yáng)，三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2，價(jià)格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531952 當(dāng)然中國(guó)的存儲(chǔ)芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲(chǔ)芯片企業(yè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)當(dāng)下準(zhǔn)備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國(guó)三星去年就開始大規(guī)模投產(chǎn)64層NAND flash，長(zhǎng)江存儲(chǔ)希望在未來(lái)兩三年實(shí)現(xiàn)64層NAND flash的技術(shù)突破，將技術(shù)差距縮短到兩年內(nèi)。
2018-04-17 09:37:1944620 。
存儲(chǔ)芯片主要有NAND flash、DRAM，在全球NAND flash市場(chǎng)份額前五名分別為三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士，市場(chǎng)份額分別為38.0%、17.1%、16.1%、11.5
2018-04-18 09:12:376932 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道，三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天公開業(yè)界第一款異構(gòu)系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP，System-in-Package）器件，集成了來(lái)自SK Hynix的堆疊寬帶存儲(chǔ)器（HBM2）以及高性能
2018-08-16 11:15:001622 近日臺(tái)積電新任董事長(zhǎng)劉德音接受采訪的時(shí)候暗示有意進(jìn)入存儲(chǔ)芯片行業(yè)，甚至表示“不排除收購(gòu)一家內(nèi)存芯片公司”，這意味著它將與存儲(chǔ)芯片的老大三星形成更激烈的競(jìng)爭(zhēng)，對(duì)于三星來(lái)說(shuō)它在存儲(chǔ)芯片行業(yè)正逐漸面臨眾狼圍攻的局面。
2018-09-20 16:38:001877 當(dāng)前全球存儲(chǔ)芯片主要是DRAM和NAND Flash，三星占有DRAM約45%的市場(chǎng)份額，在NAND Flash市場(chǎng)則占有近四成的市場(chǎng)份額，并且其在技術(shù)方面也具有優(yōu)勢(shì)，引領(lǐng)著行業(yè)的技術(shù)發(fā)展。
2018-09-21 15:02:351765 在高通在香港舉行的4G / 5G峰會(huì)上，三星宣布將于2019年起推行UFS 3.0存儲(chǔ)芯片的商用進(jìn)程，2020年推行LPDDR5運(yùn)行內(nèi)存芯片的商用進(jìn)程，以適應(yīng)5G網(wǎng)絡(luò)的普及和發(fā)展。據(jù)悉，三星推出
2018-10-26 10:34:526105 據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，三星在DRAM芯片市場(chǎng)占有46%左右的市場(chǎng)份額，在NAND Flash市場(chǎng)占有近四成的市場(chǎng)份額；而NAND Flash存儲(chǔ)芯片從2016年大漲至去年，DRAM則從2016年漲至今
2018-11-05 16:31:564306 關(guān)鍵詞：三星 , 存儲(chǔ) 來(lái)源：36氪 三星電子剛剛結(jié)束了一個(gè)上升周期。 半導(dǎo)體市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) IC Insights 本周發(fā)布的最新報(bào)告顯示，由于存儲(chǔ)芯片（主要包括DRAM和NAND閃存）市場(chǎng)景氣周期
2019-03-20 00:56:01358 
三星電子在一季報(bào)中預(yù)計(jì)二季度存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)整體疲軟，盡管需求會(huì)有所改善，但價(jià)格很可能延續(xù)當(dāng)前跌勢(shì)。
2019-05-06 09:57:223151 由于存儲(chǔ)芯片的價(jià)格波動(dòng)很大，三星電子正在尋求通過(guò)擴(kuò)大更高附加值，來(lái)減少公司對(duì)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的嚴(yán)重依賴。
2019-05-29 17:06:491176 三星最新宣布，已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲(chǔ)產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲(chǔ)芯片，三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-07-02 11:46:151133 半導(dǎo)體市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) IC Insights 本周發(fā)布的最新報(bào)告顯示，由于存儲(chǔ)芯片（主要包括DRAM和NAND閃存）市場(chǎng)景氣周期結(jié)束，三星電子在2019年的營(yíng)收可能會(huì)下降19.7%。
2019-07-12 16:39:32744 雖然日本限制關(guān)鍵科技原料出口至韓國(guó)，對(duì)業(yè)界投下震撼彈，但三星電子（Samsung Electronics Co.）表明，目前并無(wú)減產(chǎn)DRAM等存儲(chǔ)器芯片的打算，還說(shuō)日本出口限制令的沖擊難以估算，只能盡量把傷害降到最低。
2019-08-03 11:55:384645 三星宣布，已開始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲(chǔ)產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲(chǔ)芯片，三星將提供16GB、32GB和64GB三種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-10-18 14:30:401575 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲(chǔ)芯片。
2020-02-05 13:49:114064 三星近日發(fā)布了代號(hào)為“Flashbolt”的HBM2E存儲(chǔ)芯片，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個(gè)封裝可實(shí)現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:454645 3月10日下午，三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司高端存儲(chǔ)芯片二期第一階段項(xiàng)目產(chǎn)品正式下線上市。據(jù)了解，三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司生產(chǎn)的主要產(chǎn)品為3DV-Nand閃存芯片，目前產(chǎn)品通過(guò)韓國(guó)總部遠(yuǎn)銷歐美
2020-03-12 14:15:122941 據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，三星電子周三預(yù)計(jì)，由于數(shù)據(jù)中心投資增加和新應(yīng)用，5G和數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)芯片需求將增加。
2020-03-18 14:26:322789 電子DRAM芯片產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁指出，隨著以EUV技術(shù)所生產(chǎn)出的新型DRAM芯片量產(chǎn)，展示著三星對(duì)提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶需求的承諾。這項(xiàng)重大進(jìn)展也說(shuō)明了三星將如何透過(guò)即時(shí)開發(fā)高端制程技術(shù)來(lái)生產(chǎn)高端存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的下一代產(chǎn)品，繼續(xù)
2020-04-03 15:47:511320 全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個(gè)16Gb DRAM垂直連接，其容量達(dá)到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。
2020-07-03 08:42:19870 16GB/stack的容量。 HBM2E對(duì)HBM2標(biāo)準(zhǔn)型進(jìn)行了一些更新來(lái)提升性能，作為中代產(chǎn)品，能提供更高的時(shí)鐘速度，更高的密度（12層，最高可達(dá)24GB）。三星是第一個(gè)將16GB/satck
2020-09-10 14:39:012830 市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce預(yù)計(jì)四季度存儲(chǔ)芯片的價(jià)格將下跌10％，這對(duì)于全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)老大三星來(lái)說(shuō)顯然并非好消息，三星的凈利潤(rùn)或因此而出現(xiàn)大幅下跌。
2020-10-09 11:52:302093 和 HBM2 內(nèi)存技術(shù)，而這次的 HBM-PIM 則是在 HBM 芯片上集成了 AI 處理器的功能，這也是業(yè)界第一個(gè)高帶寬內(nèi)存（HBM）集成人工智能（AI）處理能力的芯片。 三星關(guān)于 HBM
2021-02-18 09:12:322714 三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計(jì)算能力，使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:462591 三星存儲(chǔ)芯片需求持續(xù)強(qiáng)勁：近日，三星電子公司正式發(fā)布了第四季度的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)情況，根據(jù)三星公司發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示三星電子第四季度利潤(rùn)有望創(chuàng)紀(jì)錄，三星電子的代工業(yè)務(wù)或?qū)@得未來(lái)2年的訂單。
2022-01-06 15:14:192127 業(yè)界認(rèn)為，三星雖維持資本支出計(jì)劃，但主要是強(qiáng)化DDR5等新世代高階存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)。 隨著三星將焦點(diǎn)聚焦高階新世代產(chǎn)品，并釋出大幅減產(chǎn)信息，意味主流DDR4市況將更健康。
2023-05-24 11:37:23721 有分析師爆料稱三星將成為英偉達(dá)的HBM3存儲(chǔ)芯片關(guān)鍵供應(yīng)商，三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3。
2023-09-01 09:46:5141378 有傳聞稱，三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu，但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉，hbm可以將多個(gè)dram垂直連接起來(lái)，提高數(shù)據(jù)處理速度，因此，現(xiàn)金dram僅用一個(gè)芯片就可以儲(chǔ)存與整個(gè)hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:321571 庫(kù)存，但市場(chǎng)行情是否筑底眾說(shuō)紛紜，整體產(chǎn)業(yè)回暖的跡象亦不明顯。 然而，在生成式AI對(duì)算力需求的帶動(dòng)下，2023年初以來(lái)高帶寬內(nèi)存(HBM)在整個(gè)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)中可謂“這邊風(fēng)景獨(dú)好”。目前，三星、SK海力士、美光等存儲(chǔ)芯片大廠均在布
2023-09-08 10:36:161313 日前有消息稱，存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域正在迎來(lái)一輪明顯的復(fù)蘇，特別是移動(dòng)DRAM芯片銷售行業(yè)。
2023-09-14 10:42:471744 三星電子在此次會(huì)議上表示：“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級(jí)dram，目前正在開發(fā)的11納米級(jí)dram將提供業(yè)界最高密度?！绷硗?，三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架，并計(jì)劃為一個(gè)芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720 美國(guó)消費(fèi)者新聞與商業(yè)頻道分析，這意味存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)可能觸底回升。按這家媒體說(shuō)法，三星電子是全球最大的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片制造商。這家企業(yè)生產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)和電腦等設(shè)備。
2023-11-02 16:57:571597 由于人工智能技術(shù)所需的高端存儲(chǔ)芯片（如DDR5和HBM）的需求持續(xù)增長(zhǎng)，第二季度DRAM產(chǎn)品的出貨量已超出預(yù)期。在第四季度，DS部門將專注于銷售高附加值產(chǎn)品，如HBM3等。
2023-11-02 17:17:321483 據(jù)gartner稱，人工智能芯片市場(chǎng)規(guī)模有望從今年的534億美元增長(zhǎng)到2027年的1194億美元。但在hbm和ddr5 dram等先進(jìn)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上，三星落后于競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)。
2023-11-30 09:42:18875 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購(gòu)；此外，三星和SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進(jìn)一步加大對(duì)DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，由于DRAM、NAND等存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)嚴(yán)重低迷，三星電子和SK海力士這兩家全球主要的存儲(chǔ)芯片制造商已向韓國(guó)的一些存儲(chǔ)半導(dǎo)體零部件供應(yīng)商提出降價(jià)要求。
2024-01-19 14:52:051659 三星電子，全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商，近日宣布在美國(guó)設(shè)立新的研究實(shí)驗(yàn)室，專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個(gè)實(shí)驗(yàn)室將隸屬于總部位于美國(guó)硅谷的Device Solutions America (DSA)，負(fù)責(zé)三星在美國(guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:461306 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583 三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實(shí)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀(jì)錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:421516 三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。
2024-03-08 10:10:511277 英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系，計(jì)劃從后者采購(gòu)高帶寬存儲(chǔ)（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時(shí)，三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士，后者已率先實(shí)現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:041287 據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對(duì)英偉達(dá)的替代，這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091917 在 AI 存儲(chǔ)芯片方面，慶桂顯示三星組建了以DRAM產(chǎn)品與技術(shù)掌門人Hwang Sang-joon為首的HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)素提升團(tuán)隊(duì)，這是今年成立的第二支HBM專業(yè)隊(duì)伍。全力挽救因誤判市場(chǎng)導(dǎo)致業(yè)績(jī)下滑的局面。
2024-04-01 10:34:331300 臺(tái)灣東部花蓮地區(qū)4月3日發(fā)生強(qiáng)烈地震之后，美光、SK海力士、
三星紛紛暫停
存儲(chǔ)芯片報(bào)價(jià)，
三星雖未受直接影響，卻暫時(shí)停止出貨以待上級(jí)指示。據(jù)了解，盡管
三家主要
DRAM供應(yīng)商尚未宣布后續(xù)漲價(jià)安排，不過(guò)
業(yè)界預(yù)期地震后
存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格或?qū)⒋蠓扰噬?/div>
2024-04-10 09:30:411085 全球知名存儲(chǔ)芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判，今年DRAM和高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）價(jià)格將持續(xù)攀升，受益于市場(chǎng)對(duì)于高端芯片，尤其是人工智能相關(guān)芯片的強(qiáng)大需求。
2024-05-15 09:23:52983 近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達(dá)測(cè)試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題未能達(dá)標(biāo)，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108 值得注意的是，早年對(duì)HBM技術(shù)表現(xiàn)出濃厚興趣的三星，與英偉達(dá)共同研發(fā)了HBM及HBM2系列產(chǎn)品，然而銷售初期市場(chǎng)反應(yīng)冷淡，導(dǎo)致持續(xù)虧損。
2024-05-29 15:50:00932 在科技日新月異的今天，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，其技術(shù)革新一直備受矚目。近日，據(jù)業(yè)界權(quán)威消息源透露，韓國(guó)兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士，都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486 在當(dāng)前的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)中，一個(gè)引人注目的趨勢(shì)正在悄然成形。業(yè)界專家紛紛指出，隨著高帶寬存儲(chǔ)（HBM）等先進(jìn)DRAM技術(shù)的投資熱潮，通用型DRAM（Dynamic Random-Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的供應(yīng)可能會(huì)陷入短缺的境地。
2024-06-26 11:46:262041 在全球科技產(chǎn)業(yè)持續(xù)革新的背景下，人工智能（AI）技術(shù)的快速發(fā)展對(duì)存儲(chǔ)芯片行業(yè)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。隨著AI需求激增，存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)一步加劇，而三星電子作為行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，其業(yè)績(jī)預(yù)期也隨之迎來(lái)了積極的變化。
2024-06-27 14:36:051405 在全球人工智能（AI）技術(shù)持續(xù)升溫的背景下，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)芯片巨頭——三星電子與SK海力士正積極調(diào)整生產(chǎn)策略，以應(yīng)對(duì)日益增長(zhǎng)且多樣化的存儲(chǔ)需求。據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道，這兩家公司正分別在其位于平澤和無(wú)錫
2024-07-08 12:54:091248 近日，三星電子宣布了一項(xiàng)重大市場(chǎng)決策，計(jì)劃在第三季度對(duì)其DRAM和NAND閃存存儲(chǔ)芯片進(jìn)行15%-20%的價(jià)格調(diào)整。這一舉措背后，是人工智能領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)芯片需求的急劇攀升，預(yù)示著存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正迎來(lái)新一輪的價(jià)格上漲周期。
2024-07-18 09:50:251233 進(jìn)入八月，市場(chǎng)傳言四起，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子（簡(jiǎn)稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過(guò)英偉達(dá)嚴(yán)格測(cè)試。然而，三星迅速澄清，表示這一報(bào)道與事實(shí)相去甚遠(yuǎn)，強(qiáng)調(diào)目前質(zhì)量測(cè)試
2024-08-23 15:02:561635 近日，存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子宣布了一項(xiàng)重大突破：成功開發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達(dá)到了業(yè)界最高水平，更在速度上實(shí)現(xiàn)了顯著提升，成為下一代AI計(jì)算應(yīng)用的理想解決方案。
2024-10-18 16:58:431425 三星電子正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，特別是在其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域。除了代工業(yè)務(wù)停滯的問(wèn)題，該公司在高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力也引發(fā)了廣泛關(guān)注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，為了提升在HBM領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，三星可能會(huì)著手重新設(shè)計(jì)部分1a DRAM電路。
2024-10-22 14:37:411371 三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb（即3GB）GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片，其超高速度可達(dá)42.5Gbps，專為下一代圖形處理單元（GPU）打造。據(jù)三星介紹，得益于多項(xiàng)改進(jìn)與更新，該芯片相比前代在密度上提升
2024-10-22 15:13:373216 近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問(wèn)題成為了三星電子向英偉達(dá)提供HBM3E量產(chǎn)供應(yīng)的絆腳石。
2024-10-23 17:15:101255 正在積極考慮從三星采購(gòu)8層和12層的HBM3E存儲(chǔ)芯片。這一新型存儲(chǔ)芯片以其卓越的性能和高效的能源利用，備受業(yè)界矚目。英偉達(dá)若能夠成功引入這款芯片，無(wú)疑將為其AI產(chǎn)品提供更為強(qiáng)勁的動(dòng)力。 值得注意的是，目前英偉達(dá)主要從韓國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手
2024-11-26 10:22:171129 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511343 成為了全球存儲(chǔ)芯片巨頭們角逐的焦點(diǎn)。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，一直致力于推動(dòng) HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出，三星電子準(zhǔn)備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合技術(shù)，這一舉措無(wú)疑將在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術(shù)背景：HBM 發(fā)展的必然趨
2025-07-24 17:31:16632 
三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)引發(fā)的存儲(chǔ)芯片荒，雖攪動(dòng)國(guó)內(nèi)芯片市場(chǎng)，但對(duì) PCB 行業(yè)的影響卻遠(yuǎn)小于預(yù)期。這場(chǎng) “無(wú)關(guān)聯(lián)” 的核心，并非 PCB 行業(yè)抗風(fēng)險(xiǎn)能力強(qiáng)，而是 PCB 的需求結(jié)構(gòu)與存儲(chǔ)芯片
2025-11-08 16:17:001012 已全部加載完成
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