2025 年半導體市場在AI需求爆發(fā)與全產(chǎn)業(yè)鏈復蘇的雙重推動下，呈現(xiàn)出強勁的增長態(tài)勢。以EDA/IP先進方法學、先進工藝、算力芯片、端側(cè)AI、精準控制、高端模擬、高速互聯(lián)、新型存儲、先進封裝等為代表的技術(shù)創(chuàng)新，和以AI數(shù)據(jù)中心、具身智能、新能源汽車、工業(yè)智能、衛(wèi)星通信、AI眼鏡等為代表的新興應用，開啟新一輪的技術(shù)和應用革命。過去的一年，半導體助力夯實數(shù)字經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展的全新底座，新的一年，半導體行業(yè)又將如何推動端云協(xié)同、普惠智能的普及之路呢。

最近，由電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃的“2026半導體產(chǎn)業(yè)展望”專題正式發(fā)布。電子發(fā)燒友網(wǎng)已經(jīng)連續(xù)數(shù)年策劃并推出“半導體產(chǎn)業(yè)展望”系列專題，每次一經(jīng)上線都反響熱烈、好評如潮。這里匯聚了半導體高管們對往年發(fā)展的回顧與總結(jié)，以及對新年市場機會和形勢的前瞻預測。他們的睿智和洞察給了產(chǎn)業(yè)界莫大的參考和啟發(fā)。

今年來自國內(nèi)外的半導體創(chuàng)新領袖企業(yè)高管們又帶來哪些前瞻觀點？此次，電子發(fā)燒友網(wǎng)特別采訪了東芯半導體副總經(jīng)理潘惠忠，以下是他對2026年半導體產(chǎn)業(yè)的分析與展望。

受AI技術(shù)浪潮、市場需求變化及產(chǎn)業(yè)鏈自主化等多重因素驅(qū)動，存儲行業(yè)進入超級周期，東芯半導體發(fā)現(xiàn)目前整個存儲行業(yè)在逐步向好的階段。

布局利基性存儲市場，東芯半導體四大產(chǎn)品線構(gòu)建平臺優(yōu)勢

隨著大數(shù)據(jù)時代的向前推進，元宇宙、自動駕駛、人工智能等數(shù)據(jù)密集型應用技術(shù)不斷涌現(xiàn)，勢必將引發(fā)數(shù)據(jù)存儲的浪潮。隨著未來市場景氣度的持續(xù)提振、市場供求關系的變化、需求的逐漸恢復以及國產(chǎn)替代的巨大需求，從全球范圍來看，中國市場仍有較大機會。

聚焦利基型存儲，堅持深耕存儲技術(shù)布局，東芯半導體是目前大陸為數(shù)不多能同時提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存儲芯片完整解決方案的公司，設計研發(fā)的1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash 均為我國領先的閃存芯片工藝制程，實現(xiàn)了國內(nèi)閃存芯片的技術(shù)突破。

一、SLC NAND Flash 方面，“1xnm閃存產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目”已實現(xiàn)量產(chǎn)，并已實現(xiàn)產(chǎn)品銷售。2xnm 制程產(chǎn)品系列研發(fā)持續(xù)推進,進一步提升了可靠性指標,并持續(xù)擴充產(chǎn)品料號。

二、NOR Flash 方面,持續(xù)推進 48nm、55nm 制程下 64Mb-2Gb 中高容量的 NOR Flash 產(chǎn)品的研發(fā)，不斷豐富NOR Flash 產(chǎn)品矩陣，進一步強化了在高可靠性場景下的解決方案能力。

三、DRAM 產(chǎn)品方面，在已量產(chǎn)的產(chǎn)品基礎上，繼續(xù)在 DRAM 領域進行新產(chǎn)品的研發(fā)設計，持續(xù)拓寬 DRAM 產(chǎn)品線，完善產(chǎn)品布局，把握市場份額增長機遇。

四、MCP 產(chǎn)品方面，目前已可以向客戶提供4Gb+2Gb、4Gb+4Gb、8Gb+8Gb、16Gb+16Gb 等多種組合的 MCP產(chǎn)品，持續(xù)拓展多容量配置,依托自主研發(fā) SLC NAND Flash 與 DRAM 組合,打造具備成本優(yōu)勢與穩(wěn)定性能的 MCP解決方案，持續(xù)豐富產(chǎn)品線，全面滿足客戶的多樣化需求。

同時，公司持續(xù)推進“存、算、聯(lián)”一體化戰(zhàn)略布局，通過技術(shù)創(chuàng)新、生態(tài)協(xié)同與產(chǎn)業(yè)鏈延伸，逐步構(gòu)建起以存儲芯片為核心，覆蓋計算、通信領域的多元化技術(shù)生態(tài)體系，旨在建立一體化的生態(tài)發(fā)展體系，為未來增長注入新動能。

值得關注的是，東芯還在擴充發(fā)展空間。在聯(lián)接芯片領域，公司建立子公司，持續(xù)推進 W-Fi7無線通信芯片的研發(fā)設計工作。首款無線傳輸芯片定位于高帶寬、低延遲應用場景，可滿足智能終端領域?qū)Ω咚贌o線連接的技術(shù)需求。目前該產(chǎn)品研發(fā)項目進展符合預期。

在計算芯片領域，公司于 2024 年通過自有資金2億元人民幣戰(zhàn)略投資上海礪算，布局高性能GPU 賽道。目前上海礪算完成首款自研 GPU芯片“7G100”的首次流片、品圓制造及芯片封裝，對產(chǎn)品的測試結(jié)果符合預期，目前正按計劃進行客戶送樣以及量產(chǎn)工作。

端側(cè)AI需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，公司產(chǎn)品向多場景終端布局

AI浪潮正從算力、存力、能效及封裝等多維度驅(qū)動半導體技術(shù)創(chuàng)新， 但目前AI終端的需求還在初級發(fā)展的階段，未來隨著端側(cè)的發(fā)展，需求將呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。

目前東芯涉及的AI終端的產(chǎn)品主要包括耳機、手環(huán)、手表等。未來在AI眼鏡、智能機器人、AIPC等領域?qū)Ω邘捁δ苣K的持續(xù)增長需求，公司也在積極布局此類終端應用。

隨著新能源汽車的不斷發(fā)展，存儲芯片在通信及遠程控制系統(tǒng)、ADAS 系統(tǒng)、座艙預控系統(tǒng)等環(huán)節(jié)被廣泛使用。未來，隨著汽車電子化、智能化和網(wǎng)聯(lián)化的進一步推動，存儲芯片在汽車中的應用場景也將更加廣泛，市場需求將持續(xù)擴大。

東芯持續(xù)推進車規(guī)級存儲產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化進度，著力構(gòu)建高附加值的車規(guī)產(chǎn)品矩陣。目前，公司 SLC NAND Flash、NOR Flash 以及 MCP 產(chǎn)品陸續(xù)有更多料號通過 AEC-Q100 的驗證，具備滿足嚴苛車規(guī)級應用環(huán)境的能力。同時公司也在穩(wěn)步推動車規(guī)客戶的導入與銷售，完成多家境內(nèi)外一級汽車供應商（Tier1）的供應商資質(zhì)導入，并已向包括境外知名的一級汽車供應商（Tier1）等進行車規(guī)產(chǎn)品的銷售。

2026年展望

展望2026年，半導體行業(yè)從周期修復走向結(jié)構(gòu)性分化的一年。雖然在地緣政治、供應短缺漲價等因素影響下仍然會存在波動，但AI、汽車新能源等新興領域或?qū)⒗^續(xù)支持行業(yè)需求繼續(xù)增長，因此我們認為2026年仍是機遇與挑戰(zhàn)共存的一年。

一方面，新技術(shù)和新應用帶來市場增長的機遇。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，存儲芯片領域可能會在NAND、DRAM等技術(shù)上取得新的突破，實現(xiàn)更高的存儲密度、更快的讀寫速度和更低的功耗，滿足不同應用場景的需求。同時，新興應用帶來需求增長機遇，人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)量激增，會對存儲芯片產(chǎn)生持續(xù)增長的需求。

人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)量激增，會對存儲芯片產(chǎn)生持續(xù)增長的需求。利好的政策支持加速產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化的同時加速了產(chǎn)業(yè)生態(tài)完善與合作，存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)之間的合作可能會更加緊密，推動產(chǎn)業(yè)生態(tài)的不斷完善。這種合作有助于加快技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品上市速度，降低成本，提高產(chǎn)業(yè)的整體競爭力。

另一方面，挑戰(zhàn)來自于市場競爭加劇和國際貿(mào)易政策變化。存儲芯片市場是一個競爭激烈的市場，隨著存儲芯片技術(shù)逐漸提升，進一步提高存儲密度、性能和降低成本的研發(fā)難度也逐漸變大。同時國際貿(mào)易政策的變化也可能隨時會對存儲芯片產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生重大影響，貿(mào)易保護主義措施、關稅調(diào)整、出口管制等政策可能會影響存儲芯片的供應鏈和市場格局。

總結(jié)來說，展望2026年的存儲芯片行業(yè)，愿技術(shù)的星辰照亮創(chuàng)新之路，機遇如繁花般在前行途中處處綻放，突破層層難關，讓芯片性能節(jié)節(jié)攀升，在激烈競爭中攜手共進，化解挑戰(zhàn)！