高速差分線(xiàn)路驅(qū)動(dòng)器SN75LVDS31與SN75LVDS9638的技術(shù)剖析
在高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)念I(lǐng)域中,差分線(xiàn)路驅(qū)動(dòng)器扮演著至關(guān)重要的角色。今天,我們就來(lái)深入探討德州儀器(TI)推出的兩款高速差分線(xiàn)路驅(qū)動(dòng)器:SN75LVDS31和SN75LVDS9638。
文件下載:SN75LVDS31D.pdf
產(chǎn)品概述
SN75LVDS31和SN75LVDS9638是實(shí)現(xiàn)低壓差分信號(hào)(LVDS)電氣特性的差分線(xiàn)路驅(qū)動(dòng)器。LVDS技術(shù)將傳統(tǒng)5V差分標(biāo)準(zhǔn)電平(如TIA/EIA - 422B)的輸出電壓降低,從而降低了功耗,提高了開(kāi)關(guān)速度,并且能夠在3.3V電源軌下工作。這兩款驅(qū)動(dòng)器在使能時(shí),四個(gè)電流模式驅(qū)動(dòng)器中的任何一個(gè)都能在100Ω負(fù)載下提供最小247mV的差分輸出電壓幅值。
產(chǎn)品特性
電氣特性
- 輸出電壓:典型輸出電壓為350mV(100Ω負(fù)載),差分輸出電壓幅值在247 - 454mV之間。
- 信號(hào)速率:信號(hào)速率高達(dá)155Mbps,能夠滿(mǎn)足大多數(shù)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟆?/li>
- 電源要求:?jiǎn)?.3V電源供電,在禁用或VCC = 0時(shí),驅(qū)動(dòng)器處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。
- 輸入邏輯:采用低電壓TTL(LVTTL)邏輯輸入電平,工作溫度范圍為0°C - 70°C。
開(kāi)關(guān)特性
- 傳播延遲:低到高電平和高到低電平的傳播延遲時(shí)間典型值均為6ns。
- 上升/下降時(shí)間:差分輸出信號(hào)的上升和下降時(shí)間(20% - 80%)典型值為0.5 - 1.2ns。
- 脈沖和通道偏斜:脈沖偏斜(tsk(p))和通道到通道輸出偏斜(tsk(o))最大為0.6ns,器件間偏斜(tsk(pp))最大為1ps。
功能表
SN75LVDS31
| INPUT A | ENABLES | OUTPUTS |
|---|---|---|
| G | G | Y, Z |
| H | H | X, H, L |
| L | H | X, L, H |
| Open | H | X, L, H |
SN75LVDS9638
| INPUT A | OUTPUTS |
|---|---|
| Y | Z |
| H | H, L |
| L | L, H |
| OPEN | L, H |
通過(guò)功能表,我們可以清晰地了解驅(qū)動(dòng)器在不同輸入狀態(tài)下的輸出情況,這對(duì)于電路設(shè)計(jì)和調(diào)試非常有幫助。
絕對(duì)最大額定值和推薦工作條件
絕對(duì)最大額定值
- 電源電壓范圍:Vcc為 - 0.5V到4V。
- 輸入電壓范圍:輸入為 - 0.5V到Vcc + 0.5V,Y或Z為 - 0.5V到4V。
- 連續(xù)總功耗:根據(jù)不同封裝有所不同,具體可參考功耗評(píng)級(jí)表。
- 引腳溫度:離外殼1.6mm(1/16英寸)處10秒內(nèi)最高260°C。
推薦工作條件
- 電源電壓:3 - 3.6V,典型值為3.3V。
- 高電平輸入電壓:≥2V。
- 低電平輸入電壓:≤0.8V。
- 工作溫度:0 - 70°C。
在設(shè)計(jì)電路時(shí),我們必須嚴(yán)格遵守這些額定值和條件,以確保驅(qū)動(dòng)器的正常工作和可靠性。
應(yīng)用信息
典型應(yīng)用電路
在典型應(yīng)用電路中,需要在VCC和接地平面之間放置一個(gè)0.1μF和一個(gè)0.01μF的陶瓷、云母或聚苯乙烯介質(zhì)的0805尺寸片式電容器,并且這些電容器應(yīng)盡可能靠近器件引腳。未使用的使能輸入應(yīng)根據(jù)需要連接到VCC或GND。
100Mbps IEEE1394收發(fā)器
在100Mbps IEEE1394收發(fā)器應(yīng)用中,使用的電阻為無(wú)鉛厚膜(0603),公差為5%。雖然圖中未顯示去耦電容,但建議添加。VCC電壓范圍為3 - 3.6V,’LVDS31的差分輸出電壓可能會(huì)超過(guò)IEEE1394規(guī)定的值。
5V電源工作
當(dāng)使用5V電源時(shí),需要在VCC和接地平面之間放置一個(gè)0.1μF的Z5U陶瓷、云母或聚苯乙烯介質(zhì)的0805尺寸片式電容器,并且該電容器應(yīng)盡可能靠近器件引腳。
相關(guān)信息
對(duì)于這款器件,提供了IBIS建模。如果需要更多信息,可以聯(lián)系當(dāng)?shù)氐腡I銷(xiāo)售辦事處或訪(fǎng)問(wèn)TI網(wǎng)站(www.ti.com)。此外,還可以參考以下文檔獲取更多應(yīng)用指南:
- 《Low - Voltage Differential Signalling Design Notes》(TI文獻(xiàn)編號(hào)SLLA014)
- 《Interface Circuits for TIA/EIA - 644 (LVDS)》(TI文獻(xiàn)編號(hào)SLLA038)
- 《Reducing EMI With LVDS》(TI文獻(xiàn)編號(hào)SLLA030)
- 《Slew Rate Control of LVDS Circuits》(TI文獻(xiàn)編號(hào)SLLA034)
- 《Using an LVDS Receiver With RS - 422 Data》(TI文獻(xiàn)編號(hào)SLLA031)
- 《Evaluating the LVDS EVM》(TI文獻(xiàn)編號(hào)SLLA033)
總結(jié)
SN75LVDS31和SN75LVDS9638憑借其高速、低功耗和良好的電氣特性,在高速數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。作為電子工程師,在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí),我們需要充分了解它們的特性和應(yīng)用要求,合理選擇和使用這些驅(qū)動(dòng)器,以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計(jì)。大家在實(shí)際應(yīng)用中有沒(méi)有遇到過(guò)什么問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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