動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2026-02-09 06:20
固態(tài)變壓器SST面臨的導(dǎo)熱散熱問(wèn)題挑戰(zhàn)
OCP全球算力大會(huì)上，英偉達(dá)甩出一份劃時(shí)代白皮書(shū)《800VDCArchitectureforNext-GenerationAIInfrastructure》，直接給AI數(shù)據(jù)中心（AIDC）供電劃下終極標(biāo)準(zhǔn)答案——800V高壓直流供電+固態(tài)變壓器（SST），一舉終結(jié)UPS、HVDC、巴拿馬電源長(zhǎng)達(dá)十年的路線之爭(zhēng)！固態(tài)變壓器（SST）絕非傳統(tǒng)工頻變壓器的迭代，而802瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2026-02-08 21:20
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發(fā)布了文章 2026-02-07 07:03
一文讀懂電氣間隙與爬電距離 · 來(lái)龍去脈：設(shè)計(jì)指南、影響因素、計(jì)算方法、案例說(shuō)明
-關(guān)于《電氣間隙與爬電距離的全面解析與設(shè)計(jì)指南》的解析-文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：TI、IEC、IPC、GB、網(wǎng)絡(luò)-「SysPro|電動(dòng)汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)解讀」專欄內(nèi)容，全文13700字-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布，詳細(xì)分布見(jiàn)目錄頁(yè)導(dǎo)語(yǔ)：在高壓設(shè)備的設(shè)計(jì)與制造過(guò)程中，確保電氣安全和系統(tǒng)可靠性是至關(guān)重要的。其中，爬電距離(Creepage,CPG）和電氣間隙（Cle -
發(fā)布了文章 2026-02-06 15:20
TIM材料測(cè)試方法 | 軸向熱流法、瞬態(tài)法與激光閃射法
在電子設(shè)備日益精密的今天，散熱性能已成為決定產(chǎn)品可靠性的關(guān)鍵因素。據(jù)統(tǒng)計(jì)，電子設(shè)備失效案例中超過(guò)55%與過(guò)熱有關(guān)。而作為散熱橋梁的導(dǎo)熱材料，其性能測(cè)試的準(zhǔn)確性直接關(guān)系到整個(gè)熱管理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)成敗。為什么導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試如此重要？想象一下，你花大價(jià)錢(qián)購(gòu)買(mǎi)了號(hào)稱“高效散熱”的導(dǎo)熱硅脂，卻發(fā)現(xiàn)實(shí)際效果遠(yuǎn)不如宣傳。問(wèn)題很可能就出在測(cè)試方法上——不同的測(cè)試方法可能得出截然不 -
發(fā)布了文章 2026-02-06 10:42
面向AI/數(shù)據(jù)中心與EV驅(qū)動(dòng)的芯片嵌入式面板級(jí)封裝技術(shù)路線的深度解析
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-面向AI與汽車(chē)的芯片嵌入式面板級(jí)功率封裝技術(shù)路線深度解析-「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球節(jié)選，非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載-文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：AOI,APEC,ECT,IMAPS-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語(yǔ)：這個(gè)系列我會(huì)把AI/數(shù)據(jù)中心和車(chē)端牽引逆變器/DC-DC放一起來(lái)聊聊，原984瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2026-02-05 09:41
熱設(shè)計(jì)培訓(xùn)教材（部分）
熱設(shè)計(jì)培訓(xùn)教材（部分）1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2026-02-04 07:21
功率芯片PCB嵌入式封裝技術(shù) · 從晶圓到系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用的全路徑解析
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《功率芯片PCB嵌入式封裝：從實(shí)驗(yàn)室到量產(chǎn)的全鏈路解析》三部曲-文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：Infieon、芯華睿、Semikron等-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)、交流-2000+最新全球前瞻技術(shù)方案深度解析已在知識(shí)星球發(fā)布導(dǎo)語(yǔ)：在2025年，汽車(chē)半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來(lái)了一場(chǎng)革新，芯片內(nèi)嵌式PCB封裝技 -
發(fā)布了文章 2026-02-01 12:19
未來(lái)高頻市場(chǎng)低介電材料介紹 | TPI熱塑性聚酰亞胺
高頻市場(chǎng)低介電材料以低Dk、低Df、頻率穩(wěn)定性為核心，主流包括PTFE、LCP、PPO/PPE、碳?xì)錁?shù)脂、BCB、改性PI與特種玻璃等，適配5G/6G、毫米波雷達(dá)、高速服務(wù)器、先進(jìn)封裝等場(chǎng)景。核心材料速覽（@10GHz，典型值）聚四氟乙烯（PTFE/特氟龍）：Dk≈2.1-2.2，Df≈0.0002-0.001，耐高溫260℃，化學(xué)穩(wěn)定；可陶瓷/玻纖填充改性317瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2026-01-31 08:15
IGBT死區(qū)時(shí)間設(shè)定指南：死區(qū)計(jì)算方法、對(duì)逆變器的影響、死區(qū)優(yōu)化策略 v2.0
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-關(guān)于IGBT死區(qū)時(shí)間的定義和應(yīng)用解讀-文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：Infineon等廠商-在保證原文內(nèi)容邏輯的基礎(chǔ)上，對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了調(diào)整、進(jìn)行了補(bǔ)充說(shuō)明，便于理解與應(yīng)用-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語(yǔ)：電機(jī)控制器標(biāo)定中，功率開(kāi)關(guān)死區(qū)時(shí)間的設(shè)定至關(guān)重要。死區(qū)存在的第一任務(wù)：防止因信號(hào)產(chǎn)生干擾， -
發(fā)布了文章 2026-01-31 07:00
中國(guó)算力芯片的拐點(diǎn)時(shí)刻
作者|Taylor出品|芯片技術(shù)與工藝當(dāng)OpenAI的GPT-5在得克薩斯州的機(jī)房中晝夜轟鳴，當(dāng)Nvdia的H200芯片被炒至數(shù)十萬(wàn)美元仍一卡難求，中國(guó)的算力芯片產(chǎn)業(yè)正站在一個(gè)歷史性拐點(diǎn)——這不是一場(chǎng)勻速追趕的馬拉松，而是一場(chǎng)從"生存"到"反超"的懸崖攀登。#01產(chǎn)業(yè)裂變：靜悄悄的"算力革命"與結(jié)構(gòu)性突破2025年的中國(guó)AI芯片市場(chǎng)，正在上演一場(chǎng)"結(jié)構(gòu)性質(zhì)變
