向欣電子文章

• 半導(dǎo)體芯片集成電路工藝及可靠性概述2025-03-14 07:20

  

  半導(dǎo)體芯片集成電路（IC）工藝是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心，涉及從硅材料到復(fù)雜電路制造的多個精密步驟。以下是關(guān)鍵工藝的概述：1.晶圓制備材料：高純度單晶硅（純度達99.9999999%），通過直拉法（Czochralski）生長為圓柱形硅錠。切割與拋光：硅錠切割成0.5-1mm厚的晶圓（常見尺寸12英寸/300mm），經(jīng)化學(xué)機械拋光（CMP）達到納米級平整度。2.氧

  半導(dǎo)體芯片 晶圓 集成電路 2132瀏覽量

• 金剛石散熱黑科技 | 氮化鎵器件熱管理新突破2025-03-13 17:31

  

  中科院最新實驗數(shù)據(jù)顯示：一片比指甲蓋還小的納米金剛石膜，能讓氮化鎵器件壽命暴增8倍！華為被曝光的實驗室視頻更震撼：用激光在GaN芯片上‘雕刻’出微米級鉆石散熱網(wǎng)，溫度梯度直降300%...這究竟是材料學(xué)的奇跡，還是散熱革命的終極答案？"01納米金剛石薄膜：從實驗室到量產(chǎn)的突破技術(shù)痛點升級分析傳統(tǒng)CVD工藝的瓶頸不僅在于應(yīng)力控制，更涉及晶粒尺寸-熱導(dǎo)率權(quán)衡：晶

  氮化鎵 熱管理 金剛石 2770瀏覽量

• 石墨膜和銅VC散熱性能和應(yīng)用方面的區(qū)別2025-03-13 17:13

  

  石墨散熱膜與銅VC（均熱板）在散熱性能和應(yīng)用方面的區(qū)別如下：一、散熱性能對比1.導(dǎo)熱機制◎石墨散熱膜：依賴石墨材料在平面方向的高導(dǎo)熱性（1500-2000W/mK），快速橫向擴散熱量?！蜚~VC：利用內(nèi)部工質(zhì)蒸發(fā)-冷凝的相變循環(huán)（面內(nèi)導(dǎo)熱2000-50000W/mK），實現(xiàn)高效均勻散熱。2.效率表現(xiàn)◎石墨：適合短時間內(nèi)平面散熱，但高功率場景下可能不足（如智能手

  熱管理 石墨膜 3250瀏覽量

• 最新議程出爐！ | 2025異質(zhì)異構(gòu)集成封裝產(chǎn)業(yè)大會（HIPC 2025）2025-03-13 09:41

  

  “寧波膜智信息科技有限公司”為勢銀（TrendBank）唯一工商注冊實體及收款賬戶勢銀研究：勢銀產(chǎn)業(yè)研究服務(wù)勢銀數(shù)據(jù)：勢銀數(shù)據(jù)產(chǎn)品服務(wù)勢銀咨詢：勢銀咨詢顧問服務(wù)重要會議：4月29日，2025勢銀異質(zhì)異構(gòu)集成封裝產(chǎn)業(yè)大會（浙江寧波）點此報名添加文末微信，加先進封裝群會議議程會議基本信息會議名稱：2025勢銀異質(zhì)異構(gòu)集成封裝產(chǎn)業(yè)大會指導(dǎo)單位：鎮(zhèn)海區(qū)人民政府（擬）

  異構(gòu) 集成封裝 1430瀏覽量

• 中國科學(xué)院/東華大學(xué)/上海交大/復(fù)旦大學(xué)等單位專家已確認報告-2025PIA+2025-03-11 07:19

  

  舉辦聚酰亞胺會議的初心‌聚酰亞胺論壇的意義在于促進技術(shù)交流、推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展和加強行業(yè)合作‌。聚酰亞胺作為一種高性能材料，在航空航天、電子信息、汽車制造等多個高端領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。聚酰亞胺論壇作為行業(yè)內(nèi)的重要交流平臺，為專家學(xué)者、企業(yè)代表等提供了共同探討聚酰亞胺材料新應(yīng)用、新技術(shù)、市場趨勢等的機會。首先，論壇促進了技術(shù)交流。通過分享聚酰亞胺材料的最新研究成

  電子 聚酰亞胺 970瀏覽量

• IGBT模塊：“我太難了”，老是炸毀？2025-03-09 11:21

  

  前言IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為光伏逆變器的“心臟”，承擔(dān)著直流電向交流電轉(zhuǎn)換的核心任務(wù)。然而，這一關(guān)鍵部件的炸毀問題頻發(fā)，不僅導(dǎo)致高昂的維修成本，還可能引發(fā)電站停機、發(fā)電量損失等連鎖反應(yīng)。據(jù)研究，約34%的光伏電站可靠性問題由IGBT故障引發(fā)。IGBT模塊炸毀的核心原因搜索電氣過載：電壓與電流的“致命沖擊”過壓擊穿：電網(wǎng)電壓波動或線路寄生電感產(chǎn)生的尖

  IGBT 光伏逆變器 晶體管 5409瀏覽量

• 金屬基板 | 全球領(lǐng)先技術(shù)DOH工藝與功率器件IGBT熱管理解決方案2025-03-09 09:31

  

  DOH：DirectonHeatsink,熱沉。DOH工藝提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升，解決孔洞和裂紋問題提升產(chǎn)品良率及使用壽命。金屬基板（MetalCorePrintedCircuitBoard,MCPCB）是一種以金屬材料（如鋁、銅）為基體的特殊印制電路板，其核心設(shè)計目標是通過金屬的高導(dǎo)熱性實現(xiàn)高效散熱，廣泛應(yīng)用于高功率電

  IGBT 功率器件 熱管理 2734瀏覽量

• 汽車散熱器構(gòu)造對汽車散熱效果產(chǎn)生的影響2025-03-06 11:19

  

  散熱器的結(jié)構(gòu)概要，就是它的基本組成元件和工作原理。在車輛的制冷系統(tǒng)中，散熱器是一個非常關(guān)鍵的組成部分，它的作用是將引擎所產(chǎn)生的熱全部釋放出去，保證引擎在一個合適的工作溫度范圍內(nèi)。散熱器由水箱、芯片和風(fēng)扇三部分組成，水箱一般設(shè)置在水箱的頂端，用以盛放冷卻劑（在循環(huán)過程中使用的冷卻劑），冷卻劑在水箱內(nèi)不斷地循環(huán)，將引擎產(chǎn)生的熱能全部吸收，然后再輸送到芯片內(nèi)進行散

  散熱器 汽車 芯片 1604瀏覽量

• DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問題2025-03-01 08:20

  

  引言：隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件對散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱封裝中的關(guān)鍵材料，以其優(yōu)異的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和機械強度，成為承載大功率電子元件的重要選擇。如圖所示為焊接式IGBT功率模塊的橫截面示意圖，主要包含IGBT芯片、芯片焊接層、功率引出腳、陶瓷基板(DBC)、散熱銅基板、鍵合線、灌封材料、塑料外殼等。由于陶瓷材料本身

  IGBT 功率器件 散熱 陶瓷基板 2329瀏覽量

• 氮化鎵（GaN）充電頭安規(guī)問題及解決方案2025-02-27 07:20

  

  什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅

  GaN 充電頭 氮化鎵 5727瀏覽量