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DOH工藝 | 助力中國電動(dòng)汽車保持領(lǐng)先優(yōu)勢2024-12-31 07:40
DOH:DirectonHeatsink,熱沉。助力提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問題提升產(chǎn)品良率及使用壽命。為綜合評(píng)估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果,設(shè)計(jì)了串聯(lián)、并聯(lián)與串并聯(lián)三種冷板流道結(jié)構(gòu),從器件溫升、系統(tǒng)能效、散熱性能三個(gè)方面共計(jì)10項(xiàng)指標(biāo)評(píng)估了冷板性能,基于ICEPAK仿真分析了液冷系統(tǒng)流場與溫度場的穩(wěn) -
“國產(chǎn)替代”新材料 16 種2024-12-26 06:19
我國高端新材料技術(shù)和生產(chǎn)偏弱,近年來產(chǎn)能雖有顯著提高,但未能滿足國內(nèi)高端產(chǎn)品需求,材料強(qiáng)國之路任重而道遠(yuǎn)。根據(jù)工信部報(bào)告顯示,我國新材料產(chǎn)業(yè)還有32%的關(guān)鍵材料處于空白狀態(tài),需要進(jìn)口關(guān)鍵新材料達(dá)52%,進(jìn)口依賴度高,尤其是智能終端處理器、制造及檢測設(shè)備、高端專用芯片領(lǐng)域,進(jìn)口依賴度分別達(dá)70%,95%,95%,存在巨大的國產(chǎn)化空間?!?ldquo;十四五”規(guī)劃》為新材料 -
DOH新材料工藝封裝技術(shù)解決功率器件散熱問題2024-12-24 06:41
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導(dǎo)熱硅脂 | 如何選擇導(dǎo)熱散熱材料?2024-12-19 07:32
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國家發(fā)改委和工信部聯(lián)合印發(fā) | 新材料中試平臺(tái)建設(shè)指南(2024-2027年)2024-12-17 07:36
10月11日,國家發(fā)改委和工信部聯(lián)合印發(fā)了《新材料中試平臺(tái)建設(shè)指南(2024—2027年)》。圖源:工信部文件指出,到2027年,面向新材料產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域,以支撐科技成果轉(zhuǎn)化形成產(chǎn)業(yè)化能力為目標(biāo),支持地方開展中試平臺(tái)建設(shè)和能力提升,力爭建成300個(gè)左右地方新材料中試平臺(tái),擇優(yōu)培育20個(gè)左右高水平新材料中試平臺(tái),打造專業(yè)化建設(shè)、市場化運(yùn)營、開放式服務(wù)的中試平臺(tái)體 -
耐高溫1200C隔熱材料中國發(fā)明專利產(chǎn)品2024-12-16 11:19
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芯片散熱產(chǎn)業(yè)鏈分析報(bào)告2024-12-15 19:40
01芯片散熱概覽▌芯片散熱起源:電子設(shè)備發(fā)熱的本質(zhì)是工作能量轉(zhuǎn)成熱能電子設(shè)備發(fā)熱的本質(zhì)原因就是工作能量轉(zhuǎn)化為熱能的過程。芯片作為電子設(shè)備的核心部件,其基本工作原理是將電信號(hào)轉(zhuǎn)化為各種功能信號(hào),實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)處理、存儲(chǔ)和傳輸?shù)裙δ?。而芯片在完成這些功能的過程中,會(huì)產(chǎn)生大量熱量,這是因?yàn)殡娮有盘?hào)的傳輸會(huì)伴隨電阻、電容、電感等能量損耗,這些損耗會(huì)被轉(zhuǎn)化為熱能。溫度過高會(huì) -
儲(chǔ)能系統(tǒng)熱管理 | 耐高溫導(dǎo)熱絕緣氮化硼墊片2024-12-15 19:30
什么是儲(chǔ)能系統(tǒng)熱管理?儲(chǔ)能系統(tǒng)熱管理是確保儲(chǔ)能系統(tǒng)高效運(yùn)行和延長其使用壽命的關(guān)鍵。熱管理旨在防止儲(chǔ)能系統(tǒng)過熱,并確保其工作在適宜的溫度范圍內(nèi)。儲(chǔ)能系統(tǒng)在充電和放電過程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱量,如果這些熱量沒有得到有效的管理,會(huì)導(dǎo)致儲(chǔ)能系統(tǒng)過熱,不僅會(huì)影響其工作效率,還會(huì)縮短其使用壽命。此外,過高的溫度還會(huì)導(dǎo)致儲(chǔ)能系統(tǒng)中化學(xué)反應(yīng)速率的增加,從而加劇電池的衰老。因此, -
國產(chǎn)替代材料 | 導(dǎo)電硅膠泡棉SMT GASKET2024-12-14 06:34