半導(dǎo)體封裝是一套非常復(fù)雜的流程，支撐起了全球龐大的產(chǎn)業(yè)鏈條，這個鏈條上的每一環(huán)都有著細致的分工和嚴苛的要求，封裝形式和封裝技術(shù)也非常多，且在不斷迭代當中。

籠統(tǒng)來講，封裝技術(shù)就是將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。

而集成電路則是將具有一定功能的電路所需的半導(dǎo)體、電阻、電容等元件及布線全部集成在一小塊硅片上，再封裝在一個管殼內(nèi)所形成的微型結(jié)構(gòu)。 當今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的都是基于硅（Si）和鍺（Ge）的集成電路，硅（Si）和鍺（Ge）也就是我們所說的第一代半導(dǎo)體材料。

隨著終端市場需求的不斷升級，如今半導(dǎo)體材料已經(jīng)發(fā)展到了第三代，第四代也已在研究當中，雖然現(xiàn)在還未得到廣泛應(yīng)用，但對下游產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展有著積極的導(dǎo)向作用。

第三代半導(dǎo)體材料的特性及應(yīng)用

第一代半導(dǎo)體材料中的硅（Si）目前依然是市場上最主流的半導(dǎo)體材料，制程技術(shù)最為成熟，成本也最低；第二代半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用在射頻、通訊及照明產(chǎn)業(yè)，市場份額相對較小。

第三代半導(dǎo)體材料具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高發(fā)光效率、高電子密度、高遷移率、高飽和電子速度等特性。SiC的擊穿電場強度高于Si一個數(shù)量級，飽和電子漂移速度是Si的2.5倍。

所以，第三代半導(dǎo)體材料更適用于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在5G基站、快充、智能電網(wǎng)、新能源汽車、半導(dǎo)體激光器等領(lǐng)域大有可為。

第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用難點

1.成本高SiC成本高昂，同等規(guī)格的SiC器件比硅器件單個管芯的價格要高3-5倍。盡管SiC在晶圓上的尺寸可以做到很小，平均下來可降低一定的成本，但總體來說還是更貴。

由于GaN可在6寸、甚至8寸的Si襯底上實現(xiàn)工藝，成本相對更低，所以目前第三代半導(dǎo)體的主流材料還是GaN。

2.易碎

SiC是一種天然超晶格，十分易碎，制備難度相對較大。雖然目前SiC襯底制造技術(shù)已經(jīng)達到8英寸水平，但要突破更大尺寸的生產(chǎn)，提高生產(chǎn)良率，依然是個難題。

在芯片制程中，材料易碎稱為“破片“， 主要由制程不穩(wěn)定、材料不合格、制造用具不良等原因造成。第三代半導(dǎo)體材料本身的易碎性我們無從改變，唯有提高技術(shù)水平和設(shè)備的柔性化程度，才能更好地避免“破片“、提高生產(chǎn)良率，推動第三代半導(dǎo)體材料的廣泛應(yīng)用。

高精軟著陸，提升設(shè)備柔性化程度

高度集成

85mm*130mm*20mm高度集成設(shè)計，大大降低機身體積及重量，為高速穩(wěn)定貼片保駕護航，生產(chǎn)效率大幅提升！

高精力控

+/- 3g以內(nèi)力控穩(wěn)定精度，力控分辨率優(yōu)于0.01N，軟著陸功能以較輕的力量接觸，使得機器不會損壞芯片或在芯片上留下痕跡，提高產(chǎn)能！

微米級位置反饋

重復(fù)定位精度達+/- 2μm，徑向偏擺小于10μm，編碼器分辨率標準1μm，確保精密貼合、高速持續(xù)動作！

雙向線性致動器和軟著陸能夠精準地控制力量，更輕柔地觸碰材料表面，進行準確的真空取放，為半導(dǎo)體封測設(shè)備提供最佳ZR軸解決方案，量身定制高精度直線旋轉(zhuǎn)電機。（+v：goalsemiconductor）

責任編輯：tzh