鍵合玻璃載板（Glass Carrier/Substrate）是一種用于半導(dǎo)體封裝工藝的臨時(shí)性硬質(zhì)支撐材料，通過鍵合技術(shù)與硅晶圓或芯片臨時(shí)固定在一起，在特定工序（如減薄、RDL布線）完成后通過紫外光
2026-01-05 09:23:37
536 扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）的概念最早由德國(guó)英飛凌提出，自2016 年以來(lái)，業(yè)界一直致力于FOWLP 技術(shù)的發(fā)展。
2026-01-04 14:40:30174 
關(guān)鍵詞： 常溫鍵合；第三代半導(dǎo)體；異質(zhì)集成；半導(dǎo)體設(shè)備；青禾晶元；半導(dǎo)體技術(shù)突破；碳化硅(SiC)；氮化鎵(GaN)；超高真空鍵合；先進(jìn)封裝；摩爾定律 隨著5G/6G通信、新能源汽車與人工智能對(duì)芯片
2025-12-29 11:24:17133 
（SiGe BiCMOS）工藝領(lǐng)域，正式推出支持光電共封裝（CPO）的新型代工技術(shù)。 ? 這項(xiàng)技術(shù)依托多年堆疊式背照式（BSI）圖像傳感器量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)異構(gòu) 3D-IC 集成，并獲得 Cadence
2025-11-21 08:46:004242 在現(xiàn)代微電子封裝領(lǐng)域，集成電路（IC）的可靠性與穩(wěn)定性是決定產(chǎn)品品質(zhì)的關(guān)鍵。其中，鍵合點(diǎn)的機(jī)械強(qiáng)度直接影響到芯片在后續(xù)加工、運(yùn)輸及使用過程中的性能表現(xiàn)。IC鋁帶作為一種重要的內(nèi)引線材料，其與芯片焊盤
2025-11-09 17:41:451162 
摘要：本文研究白光干涉儀在晶圓深腐蝕溝槽 3D 輪廓測(cè)量中的應(yīng)用，分析其工作原理及適配深腐蝕溝槽特征的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，通過實(shí)際案例驗(yàn)證測(cè)量精度，為晶圓深腐蝕工藝的質(zhì)量控制與器件性能優(yōu)化提供技術(shù)
2025-10-30 14:22:51225 
電子元器件封裝中的引線鍵合工藝，是實(shí)現(xiàn)芯片與外部世界連接的關(guān)鍵技術(shù)。其中，金鋁鍵合因其應(yīng)用廣泛、工藝簡(jiǎn)單和成本低廉等優(yōu)勢(shì)，成為集成電路產(chǎn)品中常見的鍵合形式。金鋁鍵合失效這種現(xiàn)象雖不為人所熟知，卻是
2025-10-24 12:20:57444 
微電子技術(shù)的演進(jìn)始終圍繞微型化、高效性、集成度與低成本四大核心驅(qū)動(dòng)力展開，封裝技術(shù)亦隨之從傳統(tǒng)TSOP、CSP、WLP逐步邁向系統(tǒng)級(jí)集成的PoP、SiP及3D IC方向，最終目標(biāo)是在最小面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)功能的最大化。
2025-10-21 17:38:281749 
在半導(dǎo)體封裝工藝中，芯片鍵合（Die Bonding）是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法：傳統(tǒng)方法包括芯片鍵合（Die Bonding）和引線鍵合（Wire
2025-10-21 17:36:162052 
在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進(jìn)。
2025-10-21 17:24:133873 
摘要：本文研究白光干涉儀在肖特基二極管晶圓深溝槽 3D 輪廓測(cè)量中的應(yīng)用，分析其工作原理及適配深溝槽結(jié)構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，通過實(shí)際案例驗(yàn)證其測(cè)量精度，為肖特基二極管晶圓深溝槽制造的質(zhì)量控制與性能優(yōu)化提供
2025-10-20 11:13:27279 
一、引言
12 英寸及以上的大尺寸玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、顯示面板、微機(jī)電系統(tǒng)等領(lǐng)域扮演著關(guān)鍵角色 ?？偤穸绕睿═TV）的均勻性直接影響晶圓后續(xù)光刻、鍵合、封裝等工藝的精度與良率 。然而，隨著晶圓
2025-10-17 13:40:01399 
3D封裝架構(gòu)主要分為芯片對(duì)芯片集成、封裝對(duì)封裝集成和異構(gòu)集成三大類，分別采用TSV、TCB和混合鍵合等先進(jìn)工藝實(shí)現(xiàn)高密度互連。
2025-10-16 16:23:321548 
一、引言
隨著半導(dǎo)體技術(shù)向小型化、高性能化發(fā)展，3D 集成封裝技術(shù)憑借其能有效提高芯片集成度、縮短信號(hào)傳輸距離等優(yōu)勢(shì)，成為行業(yè)發(fā)展的重要方向 。玻璃晶圓因其良好的光學(xué)透明性、化學(xué)穩(wěn)定性及機(jī)械強(qiáng)度
2025-10-14 15:24:56316 硅通孔（TSV）技術(shù)借助硅晶圓內(nèi)部的垂直金屬通孔，達(dá)成芯片間的直接電互連。相較于傳統(tǒng)引線鍵合等互連方案，TSV 技術(shù)的核心優(yōu)勢(shì)在于顯著縮短互連路徑（較引線鍵合縮短 60%~90%）與提升互連密度
2025-10-14 08:30:006439 
上市周期，以滿足 AI 和 HPC 客戶的應(yīng)用需求。Cadence 與臺(tái)積公司在 AI 驅(qū)動(dòng)的 EDA、3D-IC、IP 及光子學(xué)等領(lǐng)域展開了緊密合作，推出全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體產(chǎn)品。
2025-10-13 13:37:592087 我將從超薄玻璃晶圓 TTV 厚度測(cè)量面臨的問題出發(fā)，結(jié)合其自身特性與測(cè)量要求，分析材料、設(shè)備和環(huán)境等方面的技術(shù)瓶頸，并針對(duì)性提出突破方向和措施。
超薄玻璃晶圓（
2025-09-28 14:33:22337 
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品高性能、輕薄化發(fā)展，封裝技術(shù)作為連接芯片與外界環(huán)境的橋梁，其重要性日益凸顯。在眾多封裝技術(shù)中，熱壓鍵合（Thermal Compression Bonding）工藝技術(shù)以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)
2025-09-25 17:33:09908 
在先進(jìn)封裝中， Hybrid bonding( 混合鍵合)不僅可以增加I/O密度，提高信號(hào)完整性，還可以實(shí)現(xiàn)低功耗、高帶寬的異構(gòu)集成。它是主要3D封裝平臺(tái)（如臺(tái)積電的SoIC、三星的X-Cube
2025-09-17 16:05:361467 
全新EVG?40 D2W套刻精度計(jì)量系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)每顆芯片100%測(cè)量，吞吐量達(dá)行業(yè)基準(zhǔn)15倍 2025年9月8日，奧地利圣弗洛里安 ——全球領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體工藝解決方案與技術(shù)提供商EV 集團(tuán)（EVG
2025-09-11 15:22:57708 。然而，當(dāng)系統(tǒng)級(jí)集成需求把 3D 封裝/3D IC 技術(shù)推向 WLCSP 時(shí)，傳統(tǒng)方案——引線鍵合堆疊、PoP、TSV 硅通孔——因工藝窗口、CTE 失配及成本敏感性而顯著受限。
2025-08-28 13:46:342892 
在晶圓加工流程中，早期檢測(cè)宏觀缺陷是提升良率與推動(dòng)工藝改進(jìn)的核心環(huán)節(jié)，這一需求正驅(qū)動(dòng)檢測(cè)技術(shù)與晶圓測(cè)試圖分析領(lǐng)域的創(chuàng)新。宏觀缺陷早期檢測(cè)的重要性與挑戰(zhàn)在晶圓層面，一個(gè)宏觀缺陷可能影響多個(gè)芯片，甚至在
2025-08-19 13:48:231116 
隨著半導(dǎo)體器件向更精密的封裝方案持續(xù)演進(jìn)，傳統(tǒng)光學(xué)檢測(cè)技術(shù)正逐漸觸及物理與計(jì)算的雙重邊界。對(duì)2.5D/3D集成、混合鍵合及晶圓級(jí)工藝的依賴日益加深，使得缺陷檢測(cè)的一致性與時(shí)效性面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)——若無(wú)
2025-08-19 13:47:10816 2.5D/3D封裝技術(shù)作為當(dāng)前前沿的先進(jìn)封裝工藝，實(shí)現(xiàn)方案豐富多樣，會(huì)根據(jù)不同應(yīng)用需求和技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)調(diào)整，涵蓋芯片減薄、芯片鍵合、引線鍵合、倒裝鍵合、TSV、塑封、基板、引線框架、載帶、晶圓級(jí)薄膜
2025-08-05 15:03:082805 
摘要
本文圍繞半導(dǎo)體晶圓研磨工藝，深入剖析聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化關(guān)系，探究其退化機(jī)理，并提出相應(yīng)的預(yù)警方法，為保障晶圓研磨質(zhì)量、優(yōu)化研磨工藝提供理論與技術(shù)支持。
引言
在
2025-08-05 10:16:02685 ?融合）與中間層鍵合（如高分子、金屬）兩類，其溫度控制、對(duì)準(zhǔn)精度等參數(shù)直接影響芯片堆疊、光電集成等應(yīng)用的性能與可靠性，本質(zhì)是通過突破納米級(jí)原子間距實(shí)現(xiàn)微觀到宏觀的穩(wěn)固連接。
2025-08-01 09:25:591760 
我將圍繞超薄晶圓切割液性能優(yōu)化與 TTV 均勻性保障技術(shù)展開，從切割液對(duì) TTV 影響、現(xiàn)有問題及優(yōu)化技術(shù)等方面撰寫論文。
超薄晶圓（
2025-07-30 10:29:56326 一萬(wàn)億晶體管”目標(biāo)的關(guān)鍵跳板。當(dāng)前先進(jìn)封裝雖提高了I/O密度，但愈發(fā)復(fù)雜的異構(gòu)設(shè)計(jì)與Chiplet架構(gòu)對(duì)I/O數(shù)量、延遲提出了更高要求，以滿足AI、5G和高性能計(jì)算等應(yīng)用?；旌?b class="flag-6" style="color: red">鍵合互連技術(shù)正成為關(guān)鍵突破口，它可顯著降低能耗、擴(kuò)大帶寬、優(yōu)化熱管理，從而助力摩爾定律繼續(xù)前行。 Cou
2025-07-28 16:32:54381 晶圓清洗機(jī)中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計(jì)原理、技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)方式： 1. 夾持方式分類 根據(jù)晶圓尺寸（如2英寸到12英寸）和工藝需求，夾持
2025-07-23 14:25:43928 厚度不均勻 。切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)通過實(shí)時(shí)調(diào)整切割深度，為提升晶圓 TTV 厚度均勻性提供了有效手段，深入研究其提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化方法具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。
二、
2025-07-17 09:28:18404 超薄晶圓厚度極薄，切割時(shí) TTV 均勻性控制難度大。我將從闡述研究背景入手，分析淺切多道切割在超薄晶圓 TTV 均勻性控制中的優(yōu)勢(shì)，再深入探討具體控制技術(shù)，完成文章創(chuàng)作。
超薄晶圓（
2025-07-16 09:31:02469 我將從超薄晶圓淺切多道切割技術(shù)的原理、TTV 均勻性控制的重要性出發(fā)，結(jié)合相關(guān)研究案例，闡述該技術(shù)的關(guān)鍵要點(diǎn)與應(yīng)用前景。
超薄晶圓（
2025-07-15 09:36:03486 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()Silicon PIN 二極管、封裝和可鍵合芯片相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有Silicon PIN 二極管、封裝和可鍵合芯片的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料
2025-07-14 18:32:06
一、引言
在半導(dǎo)體制造中，晶圓總厚度變化（TTV）均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素，而切割過程產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致晶圓變形，進(jìn)一步惡化 TTV 均勻性。淺切多道工藝作為一種先進(jìn)的晶圓切割技術(shù)，在
2025-07-14 13:57:45465 所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合鍵合工藝，來(lái)實(shí)現(xiàn)三維集成，在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用
2025-07-10 11:12:172714 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()硅限幅器二極管、封裝和可鍵合芯片相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有硅限幅器二極管、封裝和可鍵合芯片的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，硅限幅器二極管、封裝和可鍵合芯片真值表，硅限幅器二極管、封裝和可鍵合芯片管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-09 18:32:29
超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時(shí)對(duì)振動(dòng)更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動(dòng)對(duì)超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對(duì)性的振動(dòng)控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。
超薄晶圓（
2025-07-09 09:52:03580 晶圓級(jí)封裝中，錫膏是實(shí)現(xiàn)電氣連接與機(jī)械固定的核心材料，廣泛應(yīng)用于凸點(diǎn)制作、植球工藝及芯片 - 基板互連等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。主流采用 SAC 系、Sn-Cu 系、Sn-Bi 系等無(wú)鉛錫膏，需滿足高精度印刷、優(yōu)異潤(rùn)濕性、高可靠性及低殘留等嚴(yán)苛要求。
2025-07-02 11:16:521059 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 半導(dǎo)體封裝技術(shù)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)平面架構(gòu)向三維立體集成的革命性躍遷，其中銅 - 銅混合鍵合技術(shù)以其在互連密度、能效優(yōu)化與異構(gòu)集成方面的突破，成為推動(dòng) 3D 封裝發(fā)展的核心
2025-06-29 22:05:131519 的工藝參數(shù)?！緫?yīng)用范圍】物理氣相沉積 (PVD)、原子層沉積 (ALD)、化學(xué)氣相沉積 (CVD)、退火爐、去膠設(shè)備、晶圓臨時(shí)鍵合、涂膠
2025-06-27 10:16:41
晶圓級(jí)扇出封裝（FO-WLP）通過環(huán)氧樹脂模塑料（EMC）擴(kuò)展芯片有效面積，突破了扇入型封裝的I/O密度限制，但其技術(shù)復(fù)雜度呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。
2025-06-05 16:25:572143 
在微電子行業(yè)飛速發(fā)展的背景下，封裝技術(shù)已成為連接芯片創(chuàng)新與系統(tǒng)應(yīng)用的核心紐帶。其核心價(jià)值不僅體現(xiàn)于物理防護(hù)與電氣/光學(xué)互聯(lián)等基礎(chǔ)功能，更在于應(yīng)對(duì)多元化市場(chǎng)需求的適應(yīng)性突破，本文著力介紹晶圓級(jí)扇入封裝，分述如下。
2025-06-03 18:22:201054 
所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合鍵合工藝，來(lái)實(shí)現(xiàn)三維集成，在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用
2025-06-03 11:35:242031 
屬直接鍵合的先進(jìn)封裝技術(shù)，其核心目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)芯片間高密度、低電阻的垂直互聯(lián)。 ? 在工藝過程中，需要經(jīng)過對(duì)準(zhǔn)和鍵合、后鍵合處理等幾個(gè)流程。在對(duì)晶圓表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）和清洗之后，通過光學(xué)或電子束對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)（通常 ?
2025-06-03 09:02:182691 通過退火優(yōu)化和應(yīng)力平衡技術(shù)控制。
3、彎曲度（Bow） 源于材料與工藝的對(duì)稱性缺陷，對(duì)多層堆疊和封裝尤為敏感，需在晶體生長(zhǎng)和鍍膜工藝中嚴(yán)格調(diào)控。
在先進(jìn)制程中，三者共同決定了晶圓的幾何完整性，是良率提升
2025-05-28 16:12:46
鴻合智遠(yuǎn)｜興威帆電子：內(nèi)置晶振、小封裝的實(shí)時(shí)時(shí)鐘IC-SD
2025-05-28 10:01:36670 
WD4000系列Wafer晶圓厚度量測(cè)系統(tǒng)采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測(cè)量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像，實(shí)現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化
2025-05-27 13:54:33
關(guān)鍵詞：鍵合晶圓；TTV 質(zhì)量；晶圓預(yù)處理；鍵合工藝；檢測(cè)機(jī)制 一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，鍵合晶圓技術(shù)廣泛應(yīng)用于三維集成、傳感器制造等領(lǐng)域。然而，鍵合過程中諸多因素會(huì)導(dǎo)致晶圓總厚度偏差（TTV
2025-05-26 09:24:36850 
電池的集成。這一里程碑為封裝內(nèi)儲(chǔ)能解決方案鋪平了道路，助力實(shí)現(xiàn)更高效、緊湊且可靠的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)設(shè)計(jì)。 革新儲(chǔ)能與先進(jìn)封裝 這一突破性創(chuàng)新標(biāo)志著SiP技術(shù)的重大飛躍。通過在晶圓層面嵌入ITEN的高性能固態(tài)電池，ITEN與A*STAR IME成功展示了利用先進(jìn)封裝直接集成非易失
2025-05-22 13:08:59560 使用直接晶圓到晶圓鍵合來(lái)垂直堆疊芯片，可以將信號(hào)延遲降到可忽略的水平，從而實(shí)現(xiàn)更小、更薄的封裝，同時(shí)有助于提高內(nèi)存/處理器的速度并降低功耗。目前，晶圓堆疊和芯片到晶圓混合鍵合的實(shí)施競(jìng)爭(zhēng)異常激烈，這被
2025-05-22 11:24:181405 
常規(guī)IC封裝需經(jīng)過將晶圓與IC封裝基板焊接，再將IC基板焊接至普通PCB的復(fù)雜過程。與之不同，WLP基于IC晶圓，借助PCB制造技術(shù)，在晶圓上構(gòu)建類似IC封裝基板的結(jié)構(gòu)，塑封后可直接安裝在普通PCB
2025-05-14 11:08:162420 
多芯片封裝在現(xiàn)代半導(dǎo)體領(lǐng)域至關(guān)重要，主要分為平面多芯片封裝和多芯片堆疊封裝。多芯片堆疊封裝又細(xì)分為多芯片3D堆疊引線鍵合封裝、3D堆疊引線鍵合和倒裝異質(zhì)封裝、3DTSV堆疊倒裝封裝等。
2025-05-14 10:39:541846 
我們看下一個(gè)先進(jìn)封裝的關(guān)鍵概念——晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Package，WLP）。
2025-05-14 10:32:301532 
英寸晶圓厚度約為670微米，8英寸晶圓厚度約為725微米，12英寸晶圓厚度約為775微米。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍，但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行。直至芯片前制程完成后，晶圓才會(huì)進(jìn)入封裝環(huán)節(jié)進(jìn)行減薄處理。
2025-05-09 13:55:511975 圓片級(jí)封裝（WLP），也稱為晶圓級(jí)封裝，是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測(cè)試程序，再進(jìn)行切割制成單顆組件的先進(jìn)封裝技術(shù) 。WLP自2000年左右問世以來(lái)，已逐漸成為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的主流技術(shù)，深刻改變了傳統(tǒng)封裝的流程與模式。
2025-05-08 15:09:362067 
隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升，可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性（Wafer Level Reliability, WLR）技術(shù)通過直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21
Entegris 先進(jìn)技術(shù)應(yīng)用資深處長(zhǎng)陳柏嘉在SEMICON China 2025期間舉辦的先進(jìn)材料論壇，發(fā)表了題為《整合式微污染控制在半導(dǎo)體制程中的關(guān)鍵角色》的主題演講。
2025-04-30 16:35:54847 在微組裝工藝中，化學(xué)鍍鎳鈀金（ENEPIG）工藝因其優(yōu)異的抗“金脆”和“黑焊盤”性能，成為高可靠性電子封裝的關(guān)鍵技術(shù)。然而，其鍵合強(qiáng)度的長(zhǎng)期可靠性仍需系統(tǒng)驗(yàn)證。本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將基于Alpha
2025-04-29 10:40:25945 
客戶對(duì)HBM的要求為增加帶寬、提高功率效率、提高集成度。混合鍵合就是可以滿足此類需求的技術(shù)。 ? 混合鍵合技術(shù)預(yù)計(jì)不僅可應(yīng)用于HBM，還可應(yīng)用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副總裁姜志浩（音譯）表示，“目前的做法是分別創(chuàng)建DRAM單元區(qū)域和外圍區(qū)域，
2025-04-17 00:05:001060 芯片封裝作為半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié)，承擔(dān)著物理保護(hù)、電氣互連和散熱等關(guān)鍵功能。其中，鍵合技術(shù)作為連接裸芯片與外部材料的橋梁，直接影響芯片的性能與可靠性。當(dāng)前，芯片封裝領(lǐng)域存在引線鍵合、倒裝芯片、載帶
2025-04-11 14:02:252627 
在摩爾定律逼近物理極限的當(dāng)下，先進(jìn)封裝技術(shù)正成為半導(dǎo)體行業(yè)突破性能瓶頸的關(guān)鍵路徑。以系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）、晶圓級(jí)封裝（WLP）、3D堆疊、Chiplet異構(gòu)集成為代表的顛覆性方案，正重新定義芯片性能
2025-04-10 14:36:311188 
芯片封裝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，承擔(dān)著為芯片提供物理保護(hù)、電氣互連和散熱的功能，這其中的鍵合技術(shù)（Bonding）就是將晶圓芯片固定于基板上。
2025-04-10 10:15:382838 
近日，NVIDIA 宣布了 NVIDIA RTX 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)渲染技術(shù)的突破性增強(qiáng)功能。NVIDIA 與微軟合作，將在 4 月的 Microsoft DirectX 預(yù)覽版中增加神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)著色技術(shù)，讓開
2025-04-07 11:33:36971 在芯片裸片制造完成后，芯片制造廠需要把其上不滿了裸片的晶圓送到芯片封測(cè)廠進(jìn)行切割和封裝，并對(duì)芯片進(jìn)行功能、性能和可靠性測(cè)試，最后在芯片封裝殼上打印公司商標(biāo)、芯片型號(hào)等。至此，芯片的生產(chǎn)過程才算全部
2025-04-04 16:01:02
此前，2025年3月26日至28日，作為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要參與者，太極半導(dǎo)體(蘇州)有限公司(以下簡(jiǎn)稱：太極半導(dǎo)體)攜最新封測(cè)技術(shù)亮相SEMICON China 2025，以“聚勢(shì)啟新章、共鑄芯紀(jì)元”為主題，與全球伙伴共探行業(yè)新機(jī)遇。
2025-04-02 17:16:501343 此前，3月26日至28日，全球半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)SEMICON/FPD China 2025在上海隆重舉辦。開幕式上，長(zhǎng)電科技董事、首席執(zhí)行長(zhǎng)，SEMI全球董事鄭力發(fā)表主題演講《開放協(xié)同，共建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新生態(tài)》。
2025-04-02 10:16:421183 近日，為期三天的半導(dǎo)體盛會(huì)——SEMICON China 2025在上海新國(guó)際博覽中心圓滿落幕。廣立微全面展示了其在EDA軟件、測(cè)試設(shè)備及良率提升的綜合創(chuàng)新能力，贏得了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注與贊譽(yù)。
2025-04-01 10:46:181302 
集成與電能管理四大技術(shù)板塊精彩亮相。通過全系列封裝設(shè)備矩陣及行業(yè)首發(fā)解決方案，奧芯明向全球展示了在封裝領(lǐng)域的突破性進(jìn)展和本土化成果，彰顯了公司以創(chuàng)新提質(zhì)、助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的堅(jiān)定承諾與信心。 四大技術(shù)矩陣驚艷亮相 本屆展
2025-03-31 15:34:53889 
全球規(guī)模最大、規(guī)格最高、最具影響力及最新技術(shù)熱點(diǎn)全覆蓋的半導(dǎo)體“嘉年華”—SEMICON China 2025于近日在上海正式拉開帷幕，同期舉辦20多場(chǎng)會(huì)議和活動(dòng)，匯聚全球芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、設(shè)備、材料、光伏、顯示等全產(chǎn)業(yè)鏈芯力量。
2025-03-31 11:30:09953 近日，全球矚目的半導(dǎo)體“嘉年華”——SEMICON/FPD China 2025在上海開幕。長(zhǎng)電科技董事、首席執(zhí)行長(zhǎng)，SEMI全球董事鄭力出席開幕式并發(fā)表主題演講“開放協(xié)同，共建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新生態(tài)”。
2025-03-31 10:25:371016 隨著輕型可穿戴設(shè)備和先進(jìn)數(shù)字終端設(shè)備的需求不斷增長(zhǎng)，傳統(tǒng)晶圓逐漸無(wú)法滿足多層先進(jìn)封裝（2.5D/3D堆疊）的需求。它們體積較大、重量重、且在高溫和大功率環(huán)境下表現(xiàn)欠佳，難以適應(yīng)行業(yè)的快速發(fā)展。如今
2025-03-28 20:13:59790 在SEMICON China 2025展會(huì)期間，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微公司”，股票代碼“688012.SH”）宣布其自主研發(fā)的12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo
2025-03-28 09:21:191192 隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升，可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性（Wafer Level Reliability, WLR）技術(shù)通過直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)快速、低成本的可靠性評(píng)估，成為工藝開發(fā)的關(guān)鍵工具。
2025-03-26 09:50:161548 
每年一度的SEMICON China將于2025年3月26-28日在上海新國(guó)際博覽中心舉辦。同時(shí)，中國(guó)規(guī)模最大、最全面的年度半導(dǎo)體技術(shù)盛會(huì)——集成電路科學(xué)技術(shù)大會(huì)（CSTIC）2025也將于3月24-25日在上海國(guó)際會(huì)議中心召開。
2025-03-24 09:35:111340 芯片封裝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，承擔(dān)著為芯片提供物理保護(hù)、電氣互連和散熱的功能，這其中的鍵合技術(shù)就是將裸芯片與外部材料連接起來(lái)的方法。鍵合可以通俗的理解為接合，對(duì)應(yīng)的英語(yǔ)表達(dá)是Bonding，音譯
2025-03-22 09:45:315448 
環(huán)球儀器與母公司臺(tái)達(dá)電子將在3月26-28日于上海舉行的SEMICON China 2025展會(huì)上，展示五大半導(dǎo)體自動(dòng)化解決方案，提高生產(chǎn)效率。
2025-03-21 10:06:13941 全新強(qiáng)力鍵合腔室設(shè)計(jì),賦能更大尺寸晶圓高均勻性鍵合與量產(chǎn)良率提升 2025年3月18日,奧地利圣弗洛里安 —全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體創(chuàng)新工藝解決方案和專業(yè)知識(shí)提供商,為前沿和未來(lái)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和芯片集成
2025-03-20 09:07:58889 
SEMICON China 2025 將于3月26-28日在 上海新國(guó)際博覽中心隆重登場(chǎng)。作為全球半導(dǎo)體行業(yè)的頂尖盛會(huì)，展會(huì)匯聚超過1000家全球知名企業(yè)，覆蓋芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試、設(shè)備、材料等全產(chǎn)業(yè)鏈，展覽面積達(dá)90000平方米，同期舉辦20多場(chǎng)高質(zhì)量論壇和活動(dòng)。
2025-03-13 11:37:451099 金絲鍵合主要依靠熱超聲鍵合技術(shù)來(lái)達(dá)成。熱超聲鍵合融合了熱壓鍵合與超聲鍵合兩者的長(zhǎng)處。通常情況下，熱壓鍵合所需溫度在300℃以上，而在引入超聲作用后，熱超聲鍵合所需溫度可降至200℃以下。如此一來(lái)
2025-03-12 15:28:383656 
2025年3月11日，香港——中國(guó)半導(dǎo)體鍵合集成技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)青禾晶元半導(dǎo)體科技（集團(tuán)）有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱“青禾晶元”）宣布，正式推出全球首臺(tái)C2WW2W雙模式混合鍵合設(shè)備SAB8210CWW上
2025-03-12 13:43:561036 
3月26-28日，2025 SEMICON China即將在上海新國(guó)際博覽中心隆重開幕。屆時(shí)，概倫電子將攜應(yīng)用驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試平臺(tái)和解決方案亮相，現(xiàn)場(chǎng)還將全新發(fā)布先進(jìn)寬帶噪聲分析儀9812HF，刷新半導(dǎo)體測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。誠(chéng)邀您蒞臨概倫展臺(tái)，共同見證半導(dǎo)體量測(cè)技術(shù)的突破創(chuàng)新。
2025-03-11 15:58:28821 鍵合技術(shù)主要分為直接鍵合和帶有中間層的鍵合。直接鍵合如硅硅鍵合，陽(yáng)極鍵合等鍵合條件高，如高溫、高壓等。而帶有中間層的鍵合，所需的溫度更低，壓力也更小。帶金屬的中間層鍵合技術(shù)主要包括共晶鍵合、焊料鍵合、熱壓鍵合和反應(yīng)鍵合等。本文主要對(duì)共晶鍵合進(jìn)行介紹。
2025-03-04 17:10:522627 
金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng)，在較低溫度下通過低溫相變而實(shí)現(xiàn)的鍵合，鍵合后的金屬化合物熔點(diǎn)高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。
2025-03-04 14:14:411921 
經(jīng)過半年的測(cè)試，普萊信智能和某頂級(jí)封裝廠就其巨量轉(zhuǎn)移式板級(jí)封裝設(shè)備（FOPLP）設(shè)備XBonder Pro達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議，這將是巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)在IC封裝領(lǐng)域第一次規(guī)模化的應(yīng)用，將掀起晶圓級(jí)封裝和板級(jí)
2025-03-04 11:28:051186 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，晶圓級(jí)封裝（WLP）作為先進(jìn)封裝技術(shù)的重要組成部分，正逐漸成為集成電路封裝的主流趨勢(shì)。在晶圓級(jí)封裝過程中，Bump工藝扮演著至關(guān)重要的角色。Bump，即凸塊，是晶圓級(jí)封裝中
2025-03-04 10:52:574978 
銅引線鍵合由于在價(jià)格、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等方面的優(yōu)勢(shì)有望取代傳統(tǒng)的金引線鍵合, 然而 Cu/Al 引線鍵合界面的金屬間化合物 (intermetallic compounds, IMC) 的過量生長(zhǎng)將增大接觸電阻和降低鍵合強(qiáng)度, 從而影響器件的性能和可靠性。
2025-03-01 15:00:092398 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒報(bào)道，三星近日與長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署了3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，從第10代V-NAND開始，將使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)，特別是在“混合鍵合”技術(shù)方面。 ? W2W技術(shù)是指
2025-02-27 01:56:001037 
3D-IC通過采用TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了不同層芯片之間的垂直互連。這種設(shè)計(jì)顯著提升了系統(tǒng)集成度，同時(shí)有效地縮短了互連線的長(zhǎng)度。這樣的改進(jìn)不僅降低了信號(hào)傳輸?shù)难訒r(shí)，還減少了功耗，從而全面提升了系統(tǒng)的整體性能。
2025-02-21 15:57:022460 
(InFO) 封裝這樣的 3D 扇出封裝方法，則更側(cè)重于手機(jī)等大規(guī)模消費(fèi)應(yīng)用。此外，所有主流設(shè)計(jì)公司、晶圓代工廠和封測(cè)代工廠 (OSAT) 都在投資新一代技術(shù)——使用硅通孔 (TSV) 和混合鍵合的真正裸片堆疊。
2025-02-20 11:36:561271 
的關(guān)鍵技術(shù)之一，它不僅能夠保護(hù)MEMS器件免受外部環(huán)境的影響，還能提高器件的性能和可靠性。Au-Sn共晶鍵合技術(shù)作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，在MEMS氣密性封裝中展現(xiàn)出
2025-01-23 10:30:522886 
扇出型晶圓級(jí)中介層封裝（ FOWLP）以及封裝堆疊（Package-on-Package, PoP）設(shè)計(jì)在移動(dòng)應(yīng)用中具有許多優(yōu)勢(shì)，例如低功耗、短信號(hào)路徑、小外形尺寸以及多功能的異構(gòu)集成。此外，它還
2025-01-22 14:57:524507 
突破性CPO架構(gòu)為人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入新的活力，也促使我們深入探究CPO技術(shù)給互連產(chǎn)品究竟會(huì)帶來(lái)怎樣的影響。 1 月 6 日，美國(guó)芯片大廠Marvell宣布重大突破，將共封裝光學(xué)架構(gòu)(CPO
2025-01-17 15:00:121348 
。 2.5D封裝將die拉近，并通過硅中介連接。3D封裝實(shí)際上采用2.5D封裝，進(jìn)一步垂直堆疊die，使die之間的連接更短。通過這種方式直接集成IC，IC間通信接口通?？梢詼p少或完全消除。這既可以提高性能，又可以減輕重量和功耗。 這種封裝的復(fù)雜性需要新穎的封裝和測(cè)試技術(shù)。 了解2.5D封裝與3
2025-01-14 10:41:332902 
???? 本文主要介紹功率器件晶圓測(cè)試及封裝成品測(cè)試。?????? ? 晶圓測(cè)試（CP）???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測(cè)試的系統(tǒng)，主要由三部分組成，左邊為電學(xué)檢測(cè)探針臺(tái)阿波羅
2025-01-14 09:29:132358 
混合鍵合技術(shù)（下） 先進(jìn)封裝技術(shù)（Semiconductor Advanced Packaging） - 3 Chiplet 異構(gòu)集成（上） 先進(jìn)封裝技術(shù)（Semiconductor
2025-01-08 11:17:013031 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Packaging, WLP）作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，正逐漸在集成電路封裝領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。晶圓級(jí)封裝技術(shù)以其高密度、高可靠性、小尺寸
2025-01-07 11:21:593190 
生電子共享或原子的相互擴(kuò)散，從而使兩種金屬間實(shí)現(xiàn)原子量級(jí)上的鍵合。圖1在IC封裝中，芯片和引線框架（基板）的連接為電源和信號(hào)的分配提供了電路連接。有三種方式實(shí)現(xiàn)內(nèi)部連
2025-01-06 12:24:101964 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論