電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）2025年，2nm制程正式開啟全球半導(dǎo)體“諸神之戰(zhàn)”。就在近期，MediaTek（聯(lián)發(fā)科）宣布，首款采用臺積電 2 納米制程的旗艦系統(tǒng)單芯片（SoC）已成功完成設(shè)計流片
2025-09-19 09:40:20
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）繼SK海力士、三星之后，南京臺積電也被撤銷了豁免？ ? 9月2日消息，美國商務(wù)部官員在近期通知臺積電，決定終止臺積電南京廠的所謂“經(jīng)過驗證的最終用戶”(VEU)地位，即
2025-09-04 07:32:009572 
實現(xiàn)0.2nm工藝節(jié)點。 ? 而隨著芯片工藝節(jié)點的推進(jìn)，芯片供電面臨越來越多問題，所以近年英特爾、臺積電、三星等廠商相繼推出背面供電技術(shù)，旨在解決工藝節(jié)點不斷推進(jìn)下，芯片面臨的供電困境。 ? 正面供電面臨物理極限 ? 在半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的歷程中
2026-01-03 05:58:003948 媒體采訪時表示，人工智能的崛起正引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)迎來新一輪爆發(fā)式增長，為滿足 AI 應(yīng)用的多元化需求，臺積電在云、管、端三大領(lǐng)域同步開啟技術(shù)競技與創(chuàng)新布局。 ? 圖：臺積電(中國)總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球 ? 在云端，技術(shù)突破聚焦于先進(jìn)工藝與先進(jìn)封裝兩大方向。工藝層
2025-12-22 09:29:404041 
在電子電路設(shè)計中，晶體管的合理選擇和應(yīng)用對于電路性能起著關(guān)鍵作用。今天，我們就來深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數(shù)字晶體管。
2025-12-02 15:46:03252 
安森美NST856MTWFT PNP晶體管設(shè)計用于通用放大器應(yīng)用。這些晶體管采用緊湊型DFN1010-3封裝，帶可濕性側(cè)翼，適用于汽車行業(yè)。NST856MTWFT晶體管 無鉛、無鹵/無BFR,符合
2025-11-26 13:45:33426 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最新消息顯示，臺積電正加速推進(jìn)其全球2納米制程產(chǎn)能布局，計劃在臺灣南部科學(xué)園區(qū)周邊增建三座2納米晶圓廠，以應(yīng)對全球AI芯片需求激增的市場態(tài)勢。此次新增投資總額約9000億元
2025-11-26 08:33:007668 最近扒了扒國產(chǎn)芯片的進(jìn)展，發(fā)現(xiàn)中芯國際（官網(wǎng)鏈接：https://www.smics.com）的 14nm FinFET 制程已經(jīng)不是 “實驗室技術(shù)” 了 —— 從消費電子的中端處理器，到汽車電子
2025-11-25 21:03:40
安森美 (onsemi) NSVT5551M雙極晶體管通過了AEC-Q101認(rèn)證，是一款NPN通用型低V~CE(sat)~ 放大器。這款NPN雙極晶體管具有匹配的芯片，存放溫度范圍為-55°C至
2025-11-25 10:50:45363 
onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個晶體管和一個單片偏置網(wǎng)絡(luò)，單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個電阻器組成，一個是串聯(lián)基極電阻器，另一個是基極-發(fā)射極
2025-11-24 16:27:15579 
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：
當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時，三極管Q
2025-11-17 07:42:37
與現(xiàn)行的3nm工藝相比，臺積電在2nm制程上首次采用了GAA（Gate-All-Around，環(huán)繞柵極）晶體管架構(gòu)。這種全新的結(jié)構(gòu)能夠讓晶體管電流控制更加精確，減少漏電問題，大幅提升芯片整體效能
2025-10-29 16:19:00546 晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓和信號調(diào)制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調(diào)節(jié)輸出電流，實現(xiàn)信號放大或電路開關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
2025-10-24 12:20:23349 
39.1%，凈利潤創(chuàng)下紀(jì)錄新高，臺積電在上年同期凈利潤為3252.58億新臺幣。 每股盈余為新臺幣17.44元，同比增加39.0%。 目前臺積電的市值已達(dá)1.2萬億美元，是韓國三星電子的三倍。 據(jù)悉，在2025年第三季臺積電的3納米先進(jìn)制程出貨量占總晶圓收入的23%；5納米制程出貨量占37%；7納米制
2025-10-16 16:57:252544 又近了一大步。 ? ? 這一歷史性節(jié)點不僅意味著制程技術(shù)的再度跨越，也預(yù)示著未來AI、通信與汽車等核心領(lǐng)域即將迎來一場深刻的“芯革命”。 1、技術(shù)再突破 與現(xiàn)行的3nm工藝相比，臺積電在2nm制程上首次采用了GAA（Gate-All-Around，環(huán)繞柵極）晶體
2025-10-16 15:48:271089 本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場效應(yīng)晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:002980 
給大家分享兩個熱點消息： 臺積電2納米N2制程吸引超15家客戶 此前有媒體爆出蘋果公司已經(jīng)鎖定了臺積電2026年一半以上的2nm產(chǎn)能；而高通和聯(lián)發(fā)科等其他客戶難以獲得足夠多的臺積電2nm制程的產(chǎn)能
2025-09-23 16:47:06747 滲透到人們衣食住行的各個領(lǐng)域。本章將圍繞集成電路的核心器件 —— 晶體管展開，闡述其如何憑借優(yōu)異性能與不斷演進(jìn)的結(jié)構(gòu)，成為信息時代不可或缺的重要推動力。
2025-09-22 10:53:481310 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
MediaTek 今日宣布，MediaTek 首款采用臺積電 2 納米制程的旗艦系統(tǒng)單芯片（SoC）已成功完成設(shè)計流片（Tape out），成為首批采用該技術(shù)的公司之一，并預(yù)計明年底進(jìn)入量產(chǎn)。雙方
2025-09-16 16:40:31978 Pro的R2，也有望全面跟進(jìn)2nm。 ? 半導(dǎo)體廠商認(rèn)為，品牌大廠通過掌控核心芯片實現(xiàn)產(chǎn)品差異化，同時推動生態(tài)系連結(jié)，將會是未來趨勢。 ? 先進(jìn)制程成蘋果芯片性能躍升的關(guān)鍵推手。明年iPhone 18將采用A20芯片，由臺積電最新2nm制程打造，并搭配WMCM先進(jìn)封裝，供應(yīng)鏈透露，用于筆記本電腦產(chǎn)
2025-09-16 10:41:051349 多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運算的需要，設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管?？刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-09-15 15:31:09
。
叉行片：連接并集成兩個晶體管NFET和PFET，它們之間同時被放置一層不到10nm的絕緣膜，放置缺陷的發(fā)生。
CFET：屬于下一代晶體管結(jié)構(gòu)，采用3D堆疊式GAAFET，面積可縮小至原來的50
2025-09-15 14:50:58
。那該如何延續(xù)摩爾神話呢？
工藝創(chuàng)新將是其途徑之一，芯片中的晶體管結(jié)構(gòu)正沿著摩爾定律指出的方向一代代演進(jìn)，本段加速半導(dǎo)體的微型化和進(jìn)一步集成，以滿足AI技術(shù)及高性能計算飛速發(fā)展的需求。
CMOS工藝從
2025-09-06 10:37:21
美國已撤銷臺積電（TSMC）向其位于中國大陸的主要芯片制造基地自由運送關(guān)鍵設(shè)備的授權(quán)，這可能會削弱其老一代晶圓代工廠的生產(chǎn)能力。 美國官員最近通知臺積電，他們決定終止臺積電南京工廠所謂的“驗證
2025-09-03 19:11:521637 ，臺積電2nm生產(chǎn)線將于今年投入量產(chǎn)。生產(chǎn)線計劃首先在中國臺灣新竹市投產(chǎn)，隨后在中國臺灣南部高雄市投產(chǎn)。臺積電還在美國亞利桑那州建設(shè)第三家工廠，最終將生產(chǎn)此類芯片。 三位知情人士透露，這一決定受到美國一項潛在法規(guī)的影響，該
2025-08-26 10:00:592404 科技有限公司深耕電子元器件領(lǐng)域多年，對 S8050 晶體管有著深入的研究與豐富的應(yīng)用經(jīng)驗，下面將為您帶來 S8050 晶體管全系列封裝與功能的詳細(xì)解讀。 一、S8050 晶體管基礎(chǔ)認(rèn)知 S8050 屬于 NPN 型硅晶體管，這意味著其內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由兩層 N 型半導(dǎo)體中
2025-08-06 16:27:321172 據(jù)媒體報道，臺積電爆出工程師涉嫌盜取2納米制程技術(shù)機密，臺灣檢方經(jīng)調(diào)查后，向法院申請羈押禁見3名涉案人員獲準(zhǔn)。 據(jù)悉，由于臺“科學(xué)及技術(shù)委員會”已將14納米以下制程的IC制造技術(shù)納入臺灣核心關(guān)鍵技術(shù)
2025-08-06 15:26:441393 眾多大型科技公司的訂單。根據(jù)韓國媒體ChosunBiz的報道，臺積電的2納米制程技術(shù)將率先應(yīng)用于蘋果計劃推出的下一代iPhone系列的應(yīng)用處理器(AP)生產(chǎn)。這一決
2025-07-21 10:02:16756 
電在第二季度毛利率達(dá)到58.6％；營業(yè)利潤率為49.6%，凈利率為42.7%。 在2025年第二季度，臺積電3納米制程出貨占晶圓總收入的24%；5納米制程占36%；7納米制程占14%。先進(jìn)制程（臺積電定義先進(jìn)制程為7納米及更先進(jìn)制程）合計占晶圓總收入的74%。 業(yè)界分析認(rèn)為臺積電業(yè)績超
2025-07-17 15:27:151553 帶動主要晶圓代工伙伴臺積電在今天股市高開，股價沖到237.71美元。明天臺積電將召開法說會，展望全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走向，2nm先進(jìn)制程的進(jìn)展也是頗受關(guān)注。 圖：臺積電 電子發(fā)燒友拍攝 2nm先進(jìn)制程到底有哪些先進(jìn)技術(shù)？客戶情況如何？三大晶圓代工龍頭企業(yè)的
2025-07-17 00:33:004401 
兩座先進(jìn)的封裝工廠將分別用于導(dǎo)入?3D 垂直集成的SoIC工藝和 CoPoS?面板級大規(guī)模 2.5D 集成技術(shù)。 據(jù)悉臺積電的這兩座先進(jìn)封裝廠的選址位于亞利桑那州，緊鄰具備 N2 / A16 節(jié)點產(chǎn)能的第三座晶圓廠。 博通十億美元半導(dǎo)體工廠談判破裂 據(jù)西班牙
2025-07-15 11:38:361644 在電子世界的晶體管家族中，NMOS（N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）與 PMOS（P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）如同一對默契的 “電子開關(guān)”，掌控著電路中電流的流動
2025-07-14 17:05:2223272 
芯片制程從微米級進(jìn)入2納米時代，晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢？
2025-07-08 16:28:022045 
近日，全球半導(dǎo)體制造巨頭臺積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)計在未來兩年內(nèi)完成這一過渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，尤其是在當(dāng)前競爭激烈的半導(dǎo)體市場環(huán)境中。據(jù)供應(yīng)鏈
2025-07-07 10:33:223474 
的工藝節(jié)點，從而在性能、能效、集成度以及成本方面實現(xiàn)全面優(yōu)化。 ? 納微半導(dǎo)體將通過力積電生產(chǎn)其100V至650V的氮化鎵產(chǎn)品組合，以應(yīng)對超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心和電動汽車等48V基礎(chǔ)設(shè)施對氮化鎵技術(shù)日益增長的需求。根據(jù)公告，首批由力積電制造的器件預(yù)計
2025-07-07 07:00:002925 
，考慮到市場條件和長期業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，決定在未來2年內(nèi)逐步退出GaN業(yè)務(wù)。臺積電強調(diào)，這一決定不會影響先前公布的財務(wù)目標(biāo)。 據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺積電決定退出第三類半導(dǎo)體之一的氮化鎵市場，其位于竹科的晶圓廠相關(guān)產(chǎn)線已停止生產(chǎn)。臺積電已向DIGITIMES證實這一消息，并表示
2025-07-04 16:12:10659 力旺電子宣布，其一次性可編程內(nèi)存（One-Time Programmable, OTP）NeoFuse已于臺積電N3P制程完成可靠度驗證。N3P制程為臺積電3奈米技術(shù)平臺中，針對功耗、效能與密度進(jìn)行
2025-07-01 11:38:04875 晶體管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件，用于實現(xiàn)電路之間的電氣隔離，同時傳遞信號或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和半導(dǎo)體
2025-06-20 15:15:49730 
在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到2nm，1nm甚至0.7nm等節(jié)點以后，晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進(jìn)？2017年，imec推出了叉片晶體管（forksheet），作為環(huán)柵（GAA）晶體管的自然延伸。不過，產(chǎn)業(yè)對其可制造
2025-06-20 10:40:07
現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來的幾年里，隨著CMOS制造技術(shù)的進(jìn)步，器件的溝道長度將小于 10nm。在這么短的距離內(nèi)，為使器件能夠工作，將采用非常高的摻雜濃度梯度。
2025-06-18 11:43:221011 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SC5200音頻配對功率管PNP型晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SC5200是一款PNP型晶體管，2SA1943的補充型。
擊穿電壓：250V (集射極電壓 Vceo) min
2025-06-05 10:24:29
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SA1943 大功率功放管PNP型高壓晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SA1943是一款PNP型高壓晶體管，專為低頻或音頻放大，直流轉(zhuǎn)直流轉(zhuǎn)換器，其他高功率電路，其電壓-集電極
2025-06-05 10:18:15
當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時，臺積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門檻！據(jù)《經(jīng)濟(jì)日報》報道，臺積電2nm芯片良品率已突破 90%，實現(xiàn)重大技術(shù)飛躍！
2025-06-04 15:20:211051 近期，臺積電(TSMC)執(zhí)行副總經(jīng)理暨共同營運長秦永沛在一次公開活動中表示，公司的2納米制程研發(fā)進(jìn)展順利，未來將進(jìn)一步推動技術(shù)創(chuàng)新與市場需求的匹配。為了實現(xiàn)這一目標(biāo)，臺積電計劃對位于高雄的晶圓22廠
2025-05-27 11:18:06854 
導(dǎo)語薄膜晶體管（TFT）作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動元件，通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化，實現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術(shù)與前沿發(fā)展。
2025-05-27 09:51:412508 
據(jù)知情人士透露，臺積電2nm工藝晶圓的價格將較此前上漲10%，去年300mm晶圓的預(yù)估價格為3萬美元，而新定價將達(dá)到3.3萬美元左右。此外，這家全球晶圓代工廠將把其4納米制造節(jié)點的價格提高10
2025-05-22 01:09:001189 當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié)，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
晶體管（Transistor）是一種?半導(dǎo)體器件?，用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，幾乎所有電子設(shè)備（從手機到超級計算機）都依賴晶體管實現(xiàn)功能。以下
2025-05-16 10:02:183876 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）在半導(dǎo)體行業(yè)邁向3nm及以下節(jié)點的今天，光刻工藝的精度與效率已成為決定芯片性能與成本的核心要素。光刻掩模作為光刻技術(shù)的“底片”，其設(shè)計質(zhì)量直接決定了晶體管結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)度
2025-05-16 09:36:475598 
我的理解晶體管的cb be都是有固定壓降的，加在發(fā)射極上那么大電壓還不連電阻。
2025-05-15 09:20:48
結(jié)型場效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在同一塊 N型半導(dǎo)體上制作兩個高摻雜的P區(qū)，并將它們連接在一起，所引出的電極稱為柵極（G），N型半導(dǎo)體兩端分別引出兩個電極，分別稱為漏極（D）和源極（S），如圖 1.11所示。
2025-05-14 17:19:202620 
西門子和臺積電在現(xiàn)有 N3P 設(shè)計解決方案的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步推進(jìn)針對臺積電 N3C 技術(shù)的工具認(rèn)證。雙方同時就臺積電新的 A14 技術(shù)的設(shè)計支持展開合作，為下一代設(shè)計奠定基礎(chǔ)。
2025-05-07 11:37:061415 基于臺積電先進(jìn)2nm（N2）制程技術(shù)的高性能計算產(chǎn)品。這彰顯了AMD與臺積電在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的合作優(yōu)勢，即利用領(lǐng)先的制程技術(shù)共同優(yōu)化新的設(shè)計架構(gòu)。這也標(biāo)志著AMD在執(zhí)行數(shù)據(jù)中心CPU路線圖上邁出了重要
2025-05-06 14:46:20635 
在半導(dǎo)體制造中，清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程，并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)節(jié)點。
2025-04-24 14:27:32715 根據(jù)臺積電公布的2024年股東會年報數(shù)據(jù)顯示，臺積電在大陸的南京廠在2024年盈利新臺幣近260億（換算下來約58億元人民幣） 相比于在中國大陸的南京廠大放異彩，臺積電在美國亞利桑那州的新廠則是大幅
2025-04-22 14:47:57947 對電壓的選擇呢？本文將介紹一種電場型多值電壓選擇晶體管，之所以叫電壓型，是因為通過調(diào)控晶體管內(nèi)建電場大小來實現(xiàn)對電壓的選擇，原理是PN結(jié)有內(nèi)建電場，通過外加電場來增大或減小內(nèi)建電場來控制晶體管對電壓的選擇性通
2025-04-16 16:42:26
2 多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運算的需要，設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-04-15 10:24:55
晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計，源極跟隨器電路設(shè)計，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計，電流反饋型OP放大器的設(shè)計與制作，進(jìn)晶體管
2025-04-14 17:24:55
萬顆AI芯片，但臺積電未及時發(fā)現(xiàn)。那臺積電就間接違反了美國出口管制政策。臺積電因間接違規(guī)代工中企AI芯片違反出口管制政策，臺積電或將面臨超10億美元的罰款。 此外特朗普政府的關(guān)稅威脅也一直存在，路透社透露稱：特朗普政府要求臺
2025-04-10 10:55:222722 TB2000已正式通過廠內(nèi)驗證，將于SEMICON 2025展會天準(zhǔn)展臺（T0-117）現(xiàn)場正式發(fā)布。 這標(biāo)志著公司半導(dǎo)體檢測裝備已具備14nm及以下先進(jìn)制程的規(guī)?；慨a(chǎn)檢測能力。這是繼TB1500突破40nm節(jié)點后，天準(zhǔn)在高端檢測裝備國產(chǎn)化進(jìn)程中的又一里程碑。 核心技術(shù)自主研發(fā) TB2000采用全自主研
2025-03-26 14:40:33682 隨著科技的不斷進(jìn)步，全球芯片產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)入一個全新的競爭階段，2納米制程技術(shù)的研發(fā)和量產(chǎn)成為了各大芯片制造商的主要目標(biāo)。近期，臺積電、三星、英特爾以及日本的Rapidus等公司紛紛加快了在2納米技術(shù)
2025-03-25 11:25:481285 
，較三個月前技術(shù)驗證階段實現(xiàn)顯著提升（此前驗證階段的良率已經(jīng)可以到60%），預(yù)計年內(nèi)即可達(dá)成量產(chǎn)準(zhǔn)備。 值得關(guān)注的是，蘋果作為臺積電戰(zhàn)略合作伙伴，或將率先采用這一尖端制程。盡管廣發(fā)證券分析師Jeff Pu曾預(yù)測iPhone 18系列搭載的A20處理器仍將延續(xù)3nm工藝，但其最
2025-03-24 18:25:091240 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，2nm工藝制程的手機處理器已有多家手機處理器廠商密切規(guī)劃中，無論是臺積電還是三星都在積極布局，或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋果A19 或A20 芯片采用臺
2025-03-14 00:14:002486 柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開關(guān)”，通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如，在MOS管中，柵極電壓的變化會在半導(dǎo)體表面形成導(dǎo)電溝道，從而調(diào)節(jié)電流的導(dǎo)通與截止。
2025-03-12 17:33:202746 
本書主要介紹了晶體管，F(xiàn)ET和Ic，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計，源極跟隨電路的設(shè)計，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計和制作，柵極接地放大電路的設(shè)計，電流反饋行型op放大器的設(shè)計與制作
2025-03-07 13:55:19
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1541SIJ P溝道增強型場效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2025-03-07 11:33:071 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1756SJ N溝道增強型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-05 17:29:160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1729SI P溝道增強型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 18:05:040 這本書介紹了晶體管的基本特性，單管電路的設(shè)計與制作， 雙管電路的設(shè)計與制作，3~5管電路的設(shè)計與制作，6管以上電路的設(shè)計與制作。書中具體內(nèi)容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，單管反相放大器，雙管反相放大器，厄利效應(yīng)，雙管射極跟隨器等內(nèi)容。
2025-02-26 19:55:46
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個陣列由位于公共單片襯底上的五個介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 17:19:09953 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個陣列由位于公共單片襯底上的五個介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:15:33859 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個陣列由位于公共單片襯底上的五個介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:05:09826 
FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維結(jié)構(gòu)來減少短溝道效應(yīng)，從而允許更小、更快且功耗更低的晶體管。本文將從硅底材開始介紹FinFET制造工藝流程，直到鰭片(Fin)的制作完成。
2025-02-17 14:15:022600 
TechInsights分析，臺積電N2工藝在晶體管密度方面表現(xiàn)突出，其高密度(HD)標(biāo)準(zhǔn)單元的晶體管密度高達(dá)313MTr/mm2，遠(yuǎn)超英特爾Intel 18A的238MTr/mm2和三星SF2/SF3P
2025-02-17 13:52:021086 近日，臺積電在美國舉行了首季董事會，并對外透露了其在美國的擴產(chǎn)計劃。臺積電董事長魏哲家在會上表示，公司將正式啟動第三廠的建廠行動，這標(biāo)志著臺積電在美國的布局將進(jìn)一步加強。 據(jù)了解，臺積電在先進(jìn)制程
2025-02-14 09:58:01933 了重大投入。公司核準(zhǔn)了約171.4140億美元的資本預(yù)算，主要用于建置及升級先進(jìn)制程產(chǎn)能、先進(jìn)封裝、成熟及/或特殊制程產(chǎn)能，以及廠房興建及廠務(wù)設(shè)施工程。這一舉措將進(jìn)一步提升臺積電的技術(shù)實力和產(chǎn)能規(guī)模，為其在全球半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位
2025-02-13 09:49:54696 據(jù)最新消息，臺積電正計劃加大對美國亞利桑那州工廠的投資力度，旨在推廣“美國制造”理念并擴展其生產(chǎn)計劃。據(jù)悉，此次投資將著重于擴大生產(chǎn)線規(guī)模，為未來的3nm和2nm等先進(jìn)工藝做準(zhǔn)備。
2025-02-12 17:04:04995 據(jù)外媒最新報道，臺積電正考慮增強其在美國亞利桑那州工廠的生產(chǎn)服務(wù)，可能涉及提升該廠三座晶圓廠的生產(chǎn)能力，進(jìn)一步增加晶圓產(chǎn)量。這一舉措顯示出臺積電對全球半導(dǎo)體市場的持續(xù)承諾與擴張戰(zhàn)略。 據(jù)悉，臺積電
2025-02-12 10:36:33787 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMBTA14 NPN達(dá)林頓晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-08 15:12:200 近期，美國特朗普總統(tǒng)宣布將對芯片、石油、天然氣等行業(yè)征收特定關(guān)稅，此舉引發(fā)了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的廣泛關(guān)注。作為代工巨頭，臺積電也受到了這一政策的影響。
2025-02-08 14:40:01813 據(jù)業(yè)內(nèi)傳聞，臺積電計劃在臺南沙侖建設(shè)其最先進(jìn)的1nm制程晶圓廠，并規(guī)劃打造一座超大型晶圓廠（Giga-Fab），可容納六座12英寸生產(chǎn)線。這一舉措旨在放大現(xiàn)有南科先進(jìn)制程的生產(chǎn)集群效應(yīng)。
2025-02-06 17:56:291098 近日，據(jù)報道，蘋果已經(jīng)正式啟動了M5系列芯片的量產(chǎn)工作。這款備受期待的芯片預(yù)計將在今年下半年面世，并有望由iPad Pro首發(fā)搭載。 蘋果M5系列芯片的一大亮點在于其采用了臺積電最新一代的3nm制程
2025-02-06 14:17:461310 知名分析師郭明錤發(fā)布最新報告，指出臺積電在先進(jìn)封裝技術(shù)方面取得顯著進(jìn)展。報告顯示，臺積電的COUPE（緊湊型通用光子引擎）技術(shù)供應(yīng)鏈能見度大幅提升，奇景光電（Himax）已被確定為第一與第二代COUPE微透鏡陣列的獨家供應(yīng)商。
2025-01-24 14:09:081275 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PUMH14-Q NPN/NPN電阻晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-01-24 13:35:130 近日，臺灣半導(dǎo)體制造業(yè)巨頭臺積電遭遇了一次突發(fā)事件。據(jù)臺灣媒體報道，臺積電位于臺南的Fab14和Fab18工廠在近期發(fā)生的地震中受損，初步估計將有1至2萬片晶圓報廢。本月21日零時17分，臺灣嘉義縣
2025-01-24 11:27:29944 , Gate-all-Around）全環(huán)繞柵極晶體管(GAAFET)等先進(jìn)結(jié)構(gòu)，在減少漏電、降低功耗方面雖然取得了顯著成就，但進(jìn)一步微縮的挑戰(zhàn)日益顯現(xiàn)。為了延續(xù)摩爾定律的發(fā)展趨勢，并滿足未來高性能計算的需求，業(yè)界正積極研發(fā)下一代晶體管架構(gòu)——互補場效應(yīng)晶體管（Complementary FET, CFET）。
2025-01-24 10:03:514436 
近期，臺灣臺南市發(fā)生了一場震源深度達(dá)14公里的6.2級地震，全島范圍內(nèi)震感強烈。面對這一突發(fā)自然災(zāi)害，半導(dǎo)體制造巨頭臺積電迅速作出反應(yīng)，確保了各廠區(qū)的安全與正常運營。 據(jù)臺積電1月21日中午發(fā)布
2025-01-23 10:37:51777 )三期建設(shè)兩座新的工廠。 針對這一傳言，臺積電在1月20日正式作出回應(yīng)。公司表示，鑒于市場對先進(jìn)封裝技術(shù)的巨大需求，臺積電計劃在臺灣地區(qū)的多個地點擴大其先進(jìn)封裝設(shè)施的生產(chǎn)規(guī)模。其中，南科園區(qū)作為臺積電的重要生產(chǎn)基地之一，也將納入此次擴產(chǎn)計劃之中。 臺積電強調(diào)，此
2025-01-23 10:18:36930 近日，野村證券在報告中指出，英偉達(dá)因多項產(chǎn)品需求放緩，將大砍在臺積電、聯(lián)電等CoWoS-S訂單量高達(dá)80%，預(yù)計將導(dǎo)致臺積電營收減少1%至2%。 野村半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師鄭明宗指出，英偉達(dá)Hopper
2025-01-22 14:59:23872 近日，臺灣臺南市發(fā)生了一場6.2級的地震，震源深度達(dá)到14公里。此次地震給臺灣全島帶來了強烈的震感，引發(fā)了廣泛關(guān)注和擔(dān)憂。 面對這場突如其來的自然災(zāi)害，臺積電迅速做出了反應(yīng)。在地震發(fā)生后不久，臺積電
2025-01-22 10:38:06817 新臺幣的總營收。營收結(jié)構(gòu)上，由于AI的快速發(fā)展，HPC(高性能計算)得到持續(xù)提升，仍然是臺積電最核心的業(yè)務(wù)，其第四季度貢獻(xiàn)了近1.53萬億新臺幣的收入，AI以及7nm以下先進(jìn)制程市場為臺積電持續(xù)賦力。 01|毛利率59%，臺積電整體收益超預(yù)期 圖源：臺積電 拆分臺積電營收的具體財務(wù)數(shù)據(jù)
2025-01-21 14:36:211086 
近日，據(jù)外媒報道，臺積電已確認(rèn)其位于美國亞利桑那州的Fab 21晶圓廠將在2024年第四季度正式進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段，主要生產(chǎn)4nm工藝(N4P)芯片。 然而，與臺積電在臺灣地區(qū)的晶圓廠相比，F(xiàn)ab
2025-01-20 14:49:411129 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）根據(jù)相關(guān)媒體報道，臺積電拒絕為三星Exynos處理器提供代工服務(wù)，理由是臺積電害怕通過最先進(jìn)的工藝代工三星Exynos處理器可能會導(dǎo)致泄密，讓三星了解如何提升最先進(jìn)制程
2025-01-20 08:44:003449 
近日有消息報道，臺積電(TSMC)在美國投資生產(chǎn)下一代2納米(nm)芯片將不再受到任何限制。這一決定標(biāo)志著臺灣當(dāng)局在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)策略上的重要調(diào)整。 此前，為了維護(hù)中國臺灣在芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位
2025-01-15 15:21:521017 來源：半導(dǎo)體前線 臺積電在美國廠的4nm芯片已經(jīng)開始量產(chǎn)，而中國臺灣也有意不再對臺積電先進(jìn)制程赴美設(shè)限，因此中國臺灣有評論認(rèn)為，臺積電不僅在“去臺化”，也有是否會變成“美積電”的疑慮。 中國臺灣不再
2025-01-14 10:53:09994 率和質(zhì)量可媲美臺灣產(chǎn)區(qū)。 此外；臺積電還將在亞利桑那州二廠生產(chǎn)領(lǐng)先全球的2納米制程技術(shù)，預(yù)計生產(chǎn)時間是2028年。 臺積電4nm芯片量產(chǎn)標(biāo)志著臺積電在美國市場的進(jìn)一步拓展，也預(yù)示著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的深刻變化。 ?
2025-01-13 15:18:141453 1月8日消息，日本豐田合成株式會社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （GaN）單晶晶圓。 據(jù)介紹，與使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221356
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