產(chǎn)品
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FLM5964-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-09 15:05
產(chǎn)品型號(hào)：FLM5964-4F 廠家： Sumitomo Electric Device Inno 型號(hào)：FLM5964-4F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
FLM3135-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-09 14:58
產(chǎn)品型號(hào)：FLM3135-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM3135-18F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
FLM1314-8F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 20:54
產(chǎn)品型號(hào)：FLM1314-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1314-8F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA -
FLM3135-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 20:45
產(chǎn)品型號(hào)：FLM3135-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM3135-4F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB -
FLM3135-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 20:37
產(chǎn)品型號(hào)：FLM3135-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)： FLM3135-8F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB -
FLM5972-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 20:31
產(chǎn)品型號(hào)：FLM5972-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5972-12F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK -
FLM5972-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 20:25
產(chǎn)品型號(hào)：FLM5972-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5972-4F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IB -
FLM5053-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 20:19
產(chǎn)品型號(hào)：FLM5053-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)： FLM5053-4F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IB -
FLM5053-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 20:09
產(chǎn)品型號(hào)：FLM5053-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5053-8F 名稱(chēng)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK -
SGNL015Z2K-RT1 DC–3.8GHz 高功率 GaN HEMT2023-12-08 20:03
產(chǎn)品型號(hào)：SGNL015Z2K-RT1 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGNL015Z2K-RT1 名稱(chēng)：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝： DFN