派恩杰

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派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司成立于2018年9月，是第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)銷售企業(yè)（Fabless模式），持續(xù)專注于碳化硅和氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)研發(fā)與產(chǎn)品銷售。

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派恩杰資訊

派恩杰深度解讀SiC MOSFET柵氧可靠性問題

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，正在電動(dòng)汽車(EV)、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)一場(chǎng)深刻的革命。其卓越的高電壓、高頻率和高溫性能，使得功率...

2026-01-28 標(biāo)簽：功率器件碳化硅派恩杰 555 0

派恩杰榮獲德業(yè)股份2025年度戰(zhàn)略合作獎(jiǎng)

2025年12月6日，“寧波德業(yè)股份有限公司2026年全球供應(yīng)商大會(huì)在寧波”在寧波北侖隆重舉行。本次大會(huì)以“聚勢(shì)賦能，鏈接未來”為主題，來自全球的客戶、...

2025-12-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅派恩杰 856 0

派恩杰SiC DCM半橋模塊產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)介紹

派恩杰DCM模塊的底層優(yōu)勢(shì)在于芯片設(shè)計(jì)與封裝工藝的深度協(xié)同，作為國(guó)內(nèi)少數(shù)擁有全套“銀燒結(jié)+DTS雙面散熱”技術(shù)的公司，其自主設(shè)計(jì)的超低寄生電感架構(gòu)，將雜...

2025-12-08 標(biāo)簽：SiC 半橋模塊派恩杰 929 0

派恩杰亮相2025中國(guó)電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)

11月10日，為期四天的第四屆中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨展覽會(huì)、中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十八屆學(xué)術(shù)年會(huì)（CPEEC&CPSSC 2025）在深圳國(guó)際會(huì)...

2025-11-12 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體派恩杰 1.4k 0

派恩杰Easy 3B碳化硅模塊的應(yīng)用場(chǎng)景

派恩杰 Easy 3B 碳化硅模塊基于第三代半導(dǎo)體材料特性，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度，在高壓性能、功率密度、散熱效率及兼容性方面表現(xiàn)均衡...

2025-10-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅派恩杰 1.4k 0

派恩杰碳化硅產(chǎn)品斬獲歐洲頭部車企訂單

近日，派恩杰半導(dǎo)體順利斬獲歐洲頭部車企的量產(chǎn)訂單。這一重大跨越標(biāo)志著派恩杰在碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)品質(zhì)量獲得國(guó)際頂尖車企的高度認(rèn)可，...

2025-09-10 標(biāo)簽：功率器件碳化硅派恩杰 1.4k 0

派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)...

2025-09-03 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件派恩杰 1.3k 0

第三代半導(dǎo)體功率器件企業(yè)派恩杰獲“2025尋找寧波最具投資價(jià)值企業(yè)”最具潛力獎(jiǎng)!

近日，寧波創(chuàng)投界一年一度的“尋找寧波最具投資價(jià)值企業(yè)”頒獎(jiǎng)活動(dòng)舉行。本屆活動(dòng)緊扣“科創(chuàng)”主題，錨定“新質(zhì)生產(chǎn)力”，聚焦高端裝備、芯片制造、數(shù)字經(jīng)濟(jì)、新材...

2025-08-19 標(biāo)簽：功率器件第三代半導(dǎo)體派恩杰 1.6k 0

派恩杰第四代碳化硅產(chǎn)品在AI基建的應(yīng)用

在 AI 基建中，碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性，成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸” 矛盾的核心材料。從數(shù)據(jù)中心的電源...

2025-08-18 標(biāo)簽：服務(wù)器 SiC 碳化硅 1.5k 0

派恩杰發(fā)布第四代SiC MOSFET系列產(chǎn)品

近日，派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺(tái)下，5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS...

2025-08-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 派恩杰 1.6k 0

派恩杰半導(dǎo)體SNEC 2025圓滿收官

近日，全球最具影響力的國(guó)際化、專業(yè)化、規(guī)?；夥?huì)“SNEC第十八屆國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)”圓滿閉幕。派恩杰半導(dǎo)體在【6.1H館 A15...

2025-06-17 標(biāo)簽：太陽(yáng)能光伏智慧能源 1.1k 0

派恩杰半導(dǎo)體與戰(zhàn)略合作伙伴座談交流

近日，某全球知名基礎(chǔ)設(shè)施解決方案服務(wù)商專家團(tuán)隊(duì)一行蒞臨我司參觀交流。此次到訪聚焦于關(guān)鍵電源保障、智能制造等方向，雙方圍繞行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)、產(chǎn)品應(yīng)用落地及合作...

2025-05-26 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體派恩杰 923 0

派恩杰半導(dǎo)體亮相PCIM Europe 2025

近日，PNJ(PNJunction)亮相PCIM Europe 2025，在德國(guó)紐倫堡迎來展會(huì)首日盛況。本屆展會(huì)聚焦電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源與能源...

2025-05-09 標(biāo)簽：晶圓碳化硅派恩杰 1k 0

派恩杰亮相2025上海國(guó)際車展

此前，2025年4月23日至5月2日，第二十一屆上海國(guó)際汽車工業(yè)展覽會(huì)（Auto Shanghai 2025）在國(guó)家會(huì)展中心（上海）盛大舉行。本屆車展以...

2025-05-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1k 0

派恩杰推出突破性SiC HPD模塊系列

在新能源汽車高速發(fā)展的浪潮中，主驅(qū)逆變器作為電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心部件，直接影響整車的動(dòng)力性能和能效比。而碳化硅(SiC)功率模塊憑借其高效率、低損耗、高耐溫...

2025-04-17 標(biāo)簽：逆變器 SiC 功率模塊 1.3k 0

3月28日，在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會(huì)——汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)展覽會(huì)圓滿落幕，本次會(huì)上，派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)...

2025-03-29 標(biāo)簽：新能源汽車模塊功率器件 1.9k 0

派恩杰半導(dǎo)體1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性

派恩杰半導(dǎo)體上新；1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊，內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性！

2025-03-24 標(biāo)簽：二極管 SiC 功率模塊 4.8k 0

派恩杰半導(dǎo)體完成近5億元融資

近日，派恩杰半導(dǎo)體（浙江）有限公司連續(xù)完成A2輪、A3輪合計(jì)近5億元融資，主要投資方包含寧波通商基金、寧波勇誠(chéng)資管、上海半導(dǎo)體裝備材料產(chǎn)業(yè)投資基金、南京...

2025-02-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光伏派恩杰 1.7k 0

派恩杰榮獲“中國(guó)SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”

12月12日晚，第三代半導(dǎo)體“2024行家極光獎(jiǎng)”在深圳揭曉，數(shù)百家SiC&GaN企業(yè)代表聯(lián)袂赴宴，經(jīng)過數(shù)月時(shí)間的緊密籌劃，專家組委會(huì)和眾多行業(yè)...

2024-12-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 1.6k 0

派恩杰半導(dǎo)體閃耀SNEC光伏展

6月13日至15日，全球矚目的SNEC第十七屆（2024）國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱“SNEC光伏展”）在上海國(guó)家會(huì)展中心隆重召開。碳化...

2024-06-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件派恩杰 1.1k 0

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