近年來，在人工智能（AI）、5G等推動下，以MRAM（磁阻式隨機存取存儲器）、鐵電隨機存取存儲器（FRAM）、相變隨機存取存儲器（PRAM），以及可變電阻式隨機存取存儲器（RRAM）為代表的新興存儲技術逐漸成為市場熱點。這些新技術吸引各大晶圓廠不斷投入，最具代表性的廠商包括臺積電、英特爾、三星和格芯（Globalfoundries）。

　　那么，這些新興存儲技術為什么會如此受期待呢？主要原因在于：隨著半導體制造技術持續(xù)朝更小的技術節(jié)點邁進，傳統(tǒng)的DRAM和NANDFlash面臨越來越嚴峻的微縮挑戰(zhàn)，DRAM已接近微縮極限，而NANDFlash則朝3D方向轉(zhuǎn)型。

　　此外，傳統(tǒng)存儲技術在高速運算上也遭遇阻礙，處理器與存儲器之間的“墻”成為了提升運算速度和效率的最大障礙。特別是AI的發(fā)展，數(shù)據(jù)需求量暴增，“墻”的負面效應愈加突出，越來越多的半導體廠商正在加大對新興存儲技術的研發(fā)和投資力度，尋求成本更佳、速度更快、效能更好的存儲方案。

　　從目前來看，最受期待的就是MRAM，各大廠商在它上面投入的力度也最大。MRAM屬于非易失性存儲技術，是利用具有高敏感度的磁電阻材料制造的存儲器，斷電時，MRAM儲存的數(shù)據(jù)不會丟失，且耗能較低，讀寫速度快，可媲美SRAM，比Flash速度快百倍，在存儲容量方面能替代DRAM，且數(shù)據(jù)保存時間長，適合高性能應用。

　　MRAM的基本結構是磁性隧道結，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場驅(qū)動，后者則采用自旋極化電流驅(qū)動。

　　另外，相較于DRAM、SRAM和NANDFlash等技術面臨的微縮困境，MRAM可滿足制程進一步微縮需求。目前，DRAM制程工藝節(jié)點為1Xnm，已接近極限，而Flash走到20nm以下后，就朝3D制程轉(zhuǎn)型了。MRAM制程則可推進至10nm以下。

　　諸神爭霸

　　在過去幾年里，包括臺積電、英特爾、三星、格芯等晶圓代工廠和IDM，相繼大力投入MRAM研發(fā)，而且主要著眼于STT-MRAM，也有越來越多的嵌入式解決方案誕生，用以取代Flash、EEPROM和SRAM。

　　臺積電

　　早在2002年，臺積電就與中國臺灣地區(qū)工研院簽訂了MRAM合作發(fā)展計劃。近些年，該公司一直在開發(fā)22nm制程的嵌入式STT-MRAM，采用超低漏電CMOS技術。

　　2018年，臺積電進行了eMRAM芯片的“風險生產(chǎn)”，2019年生產(chǎn)采用22nm制程的eReRAM芯片。

　　2019年，臺積電在嵌入式非易失性存儲器技術領域達成數(shù)項重要的里程碑：在40nm制程方面，該公司已成功量產(chǎn)Split-Gate（NOR）技術，支持消費類電子產(chǎn)品應用，如物聯(lián)網(wǎng)、智慧卡和MCU，以及各種車用電子產(chǎn)品。在28nm制程方面，該公司的嵌入式快閃存儲器支持高能效移動計算和低漏電制程平臺。

　　在ISSCC2020上，臺積電發(fā)布了基于ULL22nmCMOS工藝的32Mb嵌入式STT-MRAM。該技術基于臺積電的22nmULL（Ultra-Low-Leakage）CMOS工藝，具有10ns的極高讀取速度，讀取功率為0.8mA/MHz/bit。對于32Mb數(shù)據(jù)，它具有100K個循環(huán)的寫入耐久性，對于1Mb數(shù)據(jù)，具有1M個循環(huán)的耐久性。它支持在260°C下進行90s的IR回流焊，在150°C下10年的數(shù)據(jù)保存能力。它以1T1R架構實現(xiàn)單元面積僅為0.046平方微米，25°C下的32Mb陣列的漏電流僅為55mA。

　　目前，臺積電已經(jīng)完成22nm嵌入式STT-MRAM技術驗證，進入量產(chǎn)階段。在此基礎上，該公司還在推進16nm制程的STT-MRAM研發(fā)工作。

　　除了MRAM，臺積電也在進行著ReRAM的研發(fā)工作，并發(fā)表過多篇基于金屬氧化物結構的ReRAM論文。

　　本周，臺灣地區(qū)工研院電光所所長吳志毅表示，由于新興存儲技術將需要整合邏輯制程技術，因此現(xiàn)有存儲器廠商要卡位進入新市場，門檻相對較高，而臺積電在這方面具有先天優(yōu)勢，因為該公司擁有很強的邏輯制程生產(chǎn)能力，因此，臺積電跨入新興存儲市場會具有競爭優(yōu)勢。

　　據(jù)悉，臺灣地區(qū)工研院在新興存儲技術領域研發(fā)投入已超過10年，通過元件創(chuàng)新、材料突破、電路優(yōu)化等方式，開發(fā)出了更快、更耐久、更穩(wěn)定、更低功耗的新一代存儲技術，目前，正在與臺積電在這方面進行合作。未來，臺積電在新興存儲器發(fā)展方面，工研院將會有所貢獻，但具體內(nèi)容并未透露。

　　三星

　　三星在MRAM研發(fā)方面算是起步較早的廠商，2002年就開始了這項工作，并于2005年開始進行STT-MRAM的研發(fā)，之后不斷演進，到了2014年，生產(chǎn)出了8Mb的eMRAM。

　　三星Foundry業(yè)務部門的發(fā)展路徑主要分為兩條，從28nm節(jié)點開始，一條是按照摩爾定律繼續(xù)向下發(fā)展，不斷提升FinFET的工藝節(jié)點，從14nm到目前的7nm，進而轉(zhuǎn)向下一步的5nm。

　　另一條線路就是FD-SOI工藝，該公司還利用其在存儲器制造方面的技術和規(guī)模優(yōu)勢，著力打造eMRAM，以滿足未來市場的需求。這方面主要采用28nm制程。

　　三星28nm制程FD-SOI（28FDS）嵌入式NVM分兩個階段。第一個是2017年底之前的電子貨幣風險生產(chǎn)，第二個2018年底之前的eMRAM風險生產(chǎn)。并同時提供eFlash和eMRAM（STT-MRAM）選項。

　　該公司于2017年研制出了業(yè)界第一款采用28FDS工藝的eMRAM測試芯片。

　　2018年，三星開始在28nm平臺上批量生產(chǎn)eMRAM。2019年3月，該公司推出首款商用eMRAM產(chǎn)品。據(jù)悉，eMRAM模塊可以通過添加三個額外的掩膜集成到芯片制造工藝的后端，因此，該模塊不必要依賴于所使用的前端制造技術，允許插入使用bulk、FinFET或FD-SOI制造工藝生產(chǎn)的芯片中。三星表示，由于其eMRAM在寫入數(shù)據(jù)之前不需要擦除周期，因此，它比eFlash快1000倍。與eFlash相比，它還使用了較低的電壓，因此在寫入過程中的功耗極低。

　　2018年，Arm發(fā)布了基于三星28FDS工藝技術的eMRAM編譯器IP，包括一個支持18FDS（18nmFD-SOI工藝）的eMRAM編譯器。這一平臺有助于推動在5G、AI、汽車、物聯(lián)網(wǎng)和其它細分市場的功耗敏感應用領域的前沿設計發(fā)展。

　　2019年，三星發(fā)布了采用28FDS工藝技術的1Gb嵌入STT-MRAM?；诟叨瓤煽康膃MRAM技術，在滿足令人滿意的讀取，寫入功能和10年保存時間的情況下，可以實現(xiàn)90％以上的良率。并且具備高達1E10周期的耐久性，這些對于擴展eMRAM應用有很大幫助。

　　2019年底，Mentor宣布將為基于Arm的eMRAM編譯器IP提供IC測試解決方案，該方案基于三星的28FDS工藝技術。據(jù)悉，該測試方案利用了Mentor的TessentMemoryBIST，為SRAM和eMRAM提供了一套統(tǒng)一的存儲器測試和修復IP。

　　Globalfoundries

　　2017年，時任Globalfoundries首席技術官的GaryPatton稱，Globalfoundries已經(jīng)在其22FDX（22nm制程的FD-SOI工藝技術）制程中提供了MRAM，同時也在研究另一種存儲技術。

　　由于Globalfoundries重點發(fā)展FD-SOI技術，特別是22nm制程的FD-SOI，已經(jīng)很成熟，所以該公司的新興存儲技術，特別是MRAM，都是基于具有低功耗特性的FD-SOI技術展開的。

　　今年年初，Globalfoundries宣布基于22nmFD-SOI平臺的eMRAM投入生產(chǎn)。該eMRAM技術平臺可以實現(xiàn)將數(shù)據(jù)保持在-40°C至+125°C的溫度范圍內(nèi)，壽命周期可以達到100，000，可以將數(shù)據(jù)保留10年。該公司表示，正在與多個客戶合作，計劃在2020年安排多次流片。

　　據(jù)悉，該公司的eMRAM旨在替代NOR閃存，可以定期通過更新或日志記錄進行重寫。由于是基于磁阻原理，在寫入所需數(shù)據(jù)之前不需要擦除周期，大大提高了寫入速度，宏容量從4-48Mb不等。

　　英特爾

　　英特爾也是MRAM技術的主要推動者，該公司采用的是基于FinFET技術的22nm制程。

　　2018年底，英特爾首次公開介紹了其MRAM的研究成果，推出了一款基于22nmFinFET制程的STT-MRAM，當時，該公司稱，這是首款基于FinFET的MRAM產(chǎn)品，并表示已經(jīng)具備該技術產(chǎn)品的量產(chǎn)能力。