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存儲器未來或?qū)⑾萑氘a(chǎn)能過剩局面,SK海力士未雨綢繆提前布局HBM

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存儲景氣下的未雨綢繆,SK海力士加強晶圓代工策略

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SK海力士韓國M15工廠落成 總投資15萬億韓元

SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先,NAND Flash快閃存儲器因為工業(yè)4.0應(yīng)用而快速成長,而新工廠幫助SK海力士更積極因應(yīng)全球?qū)?D NAND Flash快閃存儲器的需求。
2018-10-12 16:17:005500

傳三星與SK海力士正在研發(fā)EUV技術(shù) 未來有機會藉此生產(chǎn)DRAM的成本降低

存儲器大廠SK海力士(Hynix)也傳出消息,正在研發(fā)EUV技術(shù)來生產(chǎn)DRAM存儲器,未來有機會藉此生產(chǎn)DRAM的成本降低。
2018-10-29 17:03:244026

為滿足NAND Flash市場增加的需求 SK海力士宣布將建新存儲器晶圓廠

SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠,滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建設(shè),2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備,總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。
2018-12-03 08:52:561817

SK海力士無錫二工廠項目竣工 確保中長期競爭力

4月18日,SK海力士半導(dǎo)體(中國)有限公司(下簡稱“SK海力士”)舉行主題為“芯的飛躍、芯的未來”的竣工儀式,宣布SK海力士二工廠項目竣工。
2019-04-19 16:30:373771

受華為事件影響,SK海力士無錫二工廠推遲投產(chǎn)計劃

對于SK海力士而言,無錫工廠承擔(dān)SK海力士存儲半導(dǎo)體生產(chǎn)總量的一半份額。
2019-06-21 08:44:404775

SK海力士2019年第2季凈利較2018年同期大跌88%

韓國存儲器大廠SK海力士25日公布2019年第2季的獲利狀況,因為受到存儲器價格持續(xù)低迷,以及日韓貿(mào)易摩擦等因素的沖擊,凈獲利較2018年同期大降了88%之多,使得SK海力士不得不繼三星傳出要延后平澤P2存儲器產(chǎn)線的投資之后,也宣布該公司的生產(chǎn)調(diào)整計劃。
2019-07-26 16:56:103275

SK海力士宣布將要推出新型HBM2E存儲器

雖然封裝不易,但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲器,而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322

SK海力士存儲器半導(dǎo)體銷售額增長 內(nèi)存卻下降

據(jù)韓國先驅(qū)報報道,SK 海力士周一表示,該公司去年的非存儲器半導(dǎo)體銷售額增長了1.5倍,而內(nèi)存產(chǎn)品的銷售額則同比下降33%。
2020-03-31 15:16:523157

SK海力士向英偉達(dá)系統(tǒng)供應(yīng)HBM3

SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器HBM, High Bandwidth Memory)產(chǎn)品HBM31,公司不僅又一次創(chuàng)造歷史,更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:252219

SK海力士投入753.81億元建設(shè)M15X存儲工廠

SK海力士將在清州市新建NAND M17產(chǎn)線,以提高NAND產(chǎn)品產(chǎn)能SK海力士原計劃在明年年初開始建設(shè),最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30555

ChatGPT帶旺HBM存儲

需要復(fù)雜的生產(chǎn)過程和高度先進(jìn)的技術(shù)。人工智能服務(wù)的擴(kuò)展扭轉(zhuǎn)了局面。一位業(yè)內(nèi)人士表示,“與性能最高的DRAM相比,HBM3的價格上漲了五倍?!?? 據(jù)了解,目前SK海力士HBM市場處于領(lǐng)先地位,約有60%-70%的份額。HBM(高帶寬存儲器)是高價值、高性能存儲器,垂直互連
2023-02-15 15:14:446124

HBM需求高漲 三星、SK海力士投資超2萬億韓元積極擴(kuò)產(chǎn)

據(jù)業(yè)界透露,三星電子、sk海力士存儲半導(dǎo)體企業(yè)正在推進(jìn)hbm生產(chǎn)線的擴(kuò)張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后,利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021508

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ),成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:491808

SK海力士正擴(kuò)充韓國晶圓級封裝部門人才

隨著ai產(chǎn)業(yè)的增長,hbm需求劇增,sk海力士不得不增加人力和生產(chǎn)。hbm存儲器多個dram芯片垂直堆疊起來,因此封裝技術(shù)的防熱性能也是重要因素。
2023-09-01 14:27:551039

SK海力士資本支出大增,HBM是重點

SK海力士明年計劃的設(shè)施投資為10萬億韓元(76.2億美元),超出了市場預(yù)期。證券界最初預(yù)測“SK海力士明年的投資額將與今年類似,約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn),觀察人士預(yù)計嚴(yán)格的管理措施延續(xù)到明年。由于存儲半導(dǎo)體價格大幅下跌,SK海力士預(yù)計今年赤字超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:051540

SK海力士在CES 2024展示未來AI基礎(chǔ)設(shè)施關(guān)鍵技術(shù)

尤其值得關(guān)注的是,HBM3E系目前最具頂級性能的存儲器,由SK海力士于去年8月成功研發(fā)。公司預(yù)計自今明兩年起實現(xiàn)此類產(chǎn)品的大量生產(chǎn),并向廣泛的AI科技企業(yè)供應(yīng)。
2024-01-03 09:36:311126

SK海力士將在CES2024向全世界展示AI存儲器領(lǐng)導(dǎo)力

2024年1月3日,SK海力士宣布,公司參加于1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的世界最大規(guī)模電子、IT展會“國際消費電子產(chǎn)品展覽會(CES 2024)”,屆時展示未來AI基礎(chǔ)設(shè)施中最為關(guān)鍵的超高性能存儲器技術(shù)實力。
2024-01-04 17:12:151445

傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進(jìn)一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

三星加大投資提升HBM產(chǎn)能,與SK海力士競爭加劇

近日,據(jù)報道,三星電子正計劃大規(guī)模擴(kuò)大其HBM(高帶寬內(nèi)存)產(chǎn)能,以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措進(jìn)一步加劇與SK海力士的競爭。
2024-01-26 15:33:091210

傳英偉達(dá)與SK海力士協(xié)調(diào)2025年HBM供應(yīng)

據(jù)可靠消息來源透露,英偉達(dá)與SK海力士已開始就2025年第一季度的高帶寬存儲器HBM)供應(yīng)量進(jìn)行協(xié)調(diào)。這一合作的背后,是雙方對未來技術(shù)趨勢的共同預(yù)見和市場需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:431497

SK海力士擬在美國建廠生產(chǎn)HBM芯片

韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進(jìn)封裝工廠,專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片。這一舉措旨在與英偉達(dá)(NVIDIA)的AI GPU進(jìn)行深度整合,共同推動美國本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:291946

鎧俠向SK海力士提議在日產(chǎn)非易失性存儲器,推動合作達(dá)成

去年,鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置,其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過大。為打破僵局爭取 SK 海力士的支持,鎧俠提出借助其實施的日本產(chǎn) 3D NAND 晶圓廠,提供額外產(chǎn)能SK 海力士擴(kuò)大 3D NAND 存儲器產(chǎn)能。
2024-02-18 16:06:59980

SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲器,領(lǐng)先三星

在嚴(yán)格的9個開發(fā)階段后,當(dāng)前流程全部完成,步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項目完結(jié)正是達(dá)產(chǎn)升能的標(biāo)志,這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達(dá)交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達(dá)對終品質(zhì)量的認(rèn)可,同步啟動大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:051429

SK海力士將于3月量產(chǎn)HBM3E存儲器

在全球存儲半導(dǎo)體市場的激烈競爭中,SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器HBM3E)的開發(fā)工作,并成功通過了Nvidia長達(dá)半年的性能評估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲器產(chǎn)品,并計劃在下個月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:081739

SK海力士宣布HBM內(nèi)存生產(chǎn)配額全部售罄

SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量,以期更好地滿足市場需求,保護(hù)其市場占有率。
2024-02-23 14:12:001306

SK海力士預(yù)計3月量產(chǎn)HBM3E,供貨英偉達(dá)

長達(dá)半年的嚴(yán)格性能評估。據(jù)此,SK海力士計劃在今年3月開始量產(chǎn)這款高頻寬記憶體,以供應(yīng)給英偉達(dá)作為他們下一代Blackwell系列AI芯片旗艦產(chǎn)品B100的首選存儲器。
2024-02-25 11:22:211656

SK海力士擴(kuò)大對芯片投資

SK海力士正積極應(yīng)對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進(jìn)芯片封裝方面的投入。SK海力士負(fù)責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10億美元,以擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:441798

SK海力士HBM3E正式量產(chǎn),鞏固AI存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗,進(jìn)一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:211675

SK海力士重組中國業(yè)務(wù)

SK海力士,作為全球知名的半導(dǎo)體公司,近期在中國業(yè)務(wù)方面進(jìn)行了重大的戰(zhàn)略調(diào)整。據(jù)相關(guān)報道,SK海力士正在全面重組其在中國的業(yè)務(wù)布局,計劃關(guān)閉運營了長達(dá)17年的上海銷售公司,并將其業(yè)務(wù)重心全面轉(zhuǎn)移到無錫。這一決策的背后,反映了SK海力士對于中國市場發(fā)展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:252163

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲器HBM3E

HBM3E的推出,標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破,現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844

剛剛!SK海力士出局!

來源:集成電路前沿,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 3月25日消息,據(jù)報道,由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問題,英偉達(dá)所需的12層HBM3E內(nèi)存,將由三星獨家供貨,SK海力士出局! 據(jù)了解,HBM需要
2024-03-27 09:12:081225

SK海力士聯(lián)手臺積電推出HBM4,引領(lǐng)下一代DRAM創(chuàng)新

SK海力士表示,憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲器發(fā)展的領(lǐng)先地位,以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ),該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合IC設(shè)計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術(shù)資源,SK海力士進(jìn)一步提升存儲器產(chǎn)品性能,實現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:041153

SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4,預(yù)計2026年投產(chǎn)

HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)起,SK海力士HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn);然而,從 HMB4(第六代 HBM 產(chǎn)品)開始,該公司轉(zhuǎn)用臺積電的先進(jìn)邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071374

SK海力士采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191392

SK海力士:預(yù)計其HBM銷售額今年有望超過20億美元!

SK海力士最近透露,預(yù)計其HBM銷售額今年“占其DRAM芯片銷售額的兩位數(shù)百分比”。
2024-04-29 10:50:411195

SK海力士計劃斥資約20萬億韓元新建存儲芯片產(chǎn)能

SK海力士計劃斥資約20萬億韓元(約146億美元)在韓國新建存儲芯片產(chǎn)能,以滿足快速增長的人工智能開發(fā)需求。
2024-04-29 11:19:071375

SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計劃至2025年

SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議,原本預(yù)計HBM4內(nèi)存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:211338

SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927

SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預(yù)計2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士提速研發(fā)進(jìn)程,預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978

三星電子與SK海力士預(yù)測存儲芯片市場需求強烈,HBM產(chǎn)能售罄

全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預(yù)判,今年DRAM和高帶寬存儲器HBM)價格持續(xù)攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關(guān)芯片的強大需求。
2024-05-15 09:23:52983

SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲器

據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計,HBM4E的堆疊層數(shù)增加到16~20層,而SK海力士原本計劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術(shù)以實現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。
2024-05-15 09:45:351030

SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產(chǎn)

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進(jìn)展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484

SK海力士與臺積電攜手量產(chǎn)下一代HBM

近日,SK海力士與臺積電宣布達(dá)成合作,計劃量產(chǎn)下一代HBM(高帶寬內(nèi)存)。在這項合作中,臺積電主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確?;A(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負(fù)責(zé)晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055

SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已達(dá)80%

早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據(jù)此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:301079

SK海力士HBM3E量產(chǎn)時間縮短50%,達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率

據(jù)報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888

中國AI芯片和HBM市場的未來

 然而,全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應(yīng)商,且已于今年3月啟動HBM3E量產(chǎn)。
2024-05-28 09:40:311726

SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高,集成更多功能

SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設(shè)備,意欲打造集計算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲于一身的新型HBM產(chǎn)品,進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:271061

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團(tuán)最新報告指出,SK海力士HBM4芯片預(yù)計從2026年起,每年貢獻(xiàn)6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511

SK海力士調(diào)整HBM供應(yīng)計劃以響應(yīng)AI熱潮

韓國SK海力士公司周四透露,該公司正在重新調(diào)整明年的高容量存儲器HBM)芯片供應(yīng)計劃。這一調(diào)整源于客戶為抓住人工智能(AI)熱潮而提前發(fā)布產(chǎn)品計劃的趨勢。
2024-06-03 09:35:46944

美光HBM市場雄心勃勃,SK海力士加速應(yīng)對挑戰(zhàn)

雄心勃勃的宣言無疑給當(dāng)前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士和三星帶來了不小的競爭壓力,尤其是SK海力士,作為韓國DRAM行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),正嚴(yán)陣以待,積極調(diào)整策略以應(yīng)對美光的挑戰(zhàn)。
2024-07-03 09:28:591061

SK海力士豪擲748億美元加碼存儲器芯片投資,聚焦HBM技術(shù)引領(lǐng)AI未來

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與人工智能(AI)技術(shù)日新月異的今天,SK海力士以其前瞻性的戰(zhàn)略眼光和雄厚的資金實力,再次成為業(yè)界的焦點。據(jù)最新報道,SK海力士計劃在2028年前投資高達(dá)103兆韓元(約合748億美元),用于存儲器芯片的生產(chǎn)與研發(fā),這一舉措無疑是對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來前景的堅定押注。
2024-07-04 10:00:511084

SK海力士加速布局HBM市場,產(chǎn)能擴(kuò)增應(yīng)對爆發(fā)式增長

的一次公開場合中明確指出,隨著ChatGPT等AI應(yīng)用的興起,HBM市場需求呈現(xiàn)出爆炸性增長態(tài)勢,預(yù)計其復(fù)合年增長率(CAGR)高達(dá)70%。這一預(yù)測不僅彰顯了SK海力士HBM市場前景的堅定信心,也預(yù)示著半導(dǎo)體行業(yè)即將迎來一場深刻的變革。
2024-07-08 11:54:491125

三星電子與SK海力士加大DRAM與HBM產(chǎn)能,應(yīng)對AI熱潮下的存儲需求

在全球人工智能(AI)技術(shù)持續(xù)升溫的背景下,韓國兩大存儲芯片巨頭——三星電子與SK海力士正積極調(diào)整生產(chǎn)策略,以應(yīng)對日益增長且多樣化的存儲需求。據(jù)韓國媒體最新報道,這兩家公司正分別在其位于平澤和無錫
2024-07-08 12:54:091248

SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內(nèi)存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產(chǎn)過程中引入混合鍵合技術(shù),這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在封裝技術(shù)上的重大突破,也預(yù)示著全球半導(dǎo)體行業(yè)迎來新一輪的技術(shù)革新。
2024-07-17 09:58:191366

SK海力士探索無焊劑鍵合技術(shù),引領(lǐng)HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)

在半導(dǎo)體存儲技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中,SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正積極探索前沿技術(shù),以推動高帶寬內(nèi)存(HBM)的進(jìn)一步演進(jìn)。據(jù)最新業(yè)界消息,SK海力士正著手評估無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產(chǎn)品的生產(chǎn)中,這一舉措標(biāo)志著公司在追求更高性能、更小尺寸內(nèi)存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:471889

SK海力士與Amkor攜手推進(jìn)硅中介層合作,強化HBM市場競爭力

在半導(dǎo)體行業(yè)日益激烈的競爭中,SK海力士再次展現(xiàn)其前瞻布局與技術(shù)創(chuàng)新的決心。近日,有消息稱SK海力士正與全球知名的封裝測試外包服務(wù)(OSAT)大廠Amkor就硅中介層(Si Interposer
2024-07-18 09:42:511223

SK海力士攜手臺積電,N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,宣布采用臺積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲解決方案領(lǐng)域的持續(xù)深耕,也預(yù)示著HBM內(nèi)存技術(shù)即將邁入一個全新的發(fā)展階段。
2024-07-18 09:47:531328

SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資

據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項重要財務(wù)戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國進(jìn)行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應(yīng)業(yè)務(wù)后成立的獨立美國子公司,承載著SK海力士存儲解決方案領(lǐng)域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332

SK海力士即將亮相FMS 2024,展示AI存儲器技術(shù)新突破

SK海力士即將在8月6日至8日于美國圣克拉拉舉辦的全球半導(dǎo)體存儲器峰會FMS 2024上大放異彩,向全球業(yè)界展示其在存儲器技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展與對人工智能(AI)未來的深邃洞察。此次參展,SK海力士不僅全面呈現(xiàn)其存儲器產(chǎn)品的技術(shù)革新,更將焦點對準(zhǔn)了下一代AI存儲器技術(shù)的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:391110

SK海力士HBM營收暴漲250%

韓國存儲芯片巨頭SK海力士近日發(fā)布了其截至2024年6月30日的2024財年第二季度財務(wù)報告,這份報告展現(xiàn)出了公司在復(fù)雜市場環(huán)境下的強勁韌性與增長潛力。盡管全球股市,尤其是美股科技板塊遭遇劇烈波動,導(dǎo)致SK海力士的股價應(yīng)聲下跌8.87%,但其財務(wù)表現(xiàn)卻創(chuàng)下了多項歷史新高,成為行業(yè)關(guān)注的焦點。
2024-08-05 11:25:151313

標(biāo)普上調(diào)SK海力士評級至BBB,看好其HBM領(lǐng)域主導(dǎo)地位

近日,國際知名評級機構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)普爾全球評級(S&P Global Ratings)宣布了一項重要決策,SK海力士的長期發(fā)行人信用及發(fā)行評級從BBB-提升至BBB,并維持穩(wěn)定的評級展望。此次上調(diào)評級,主要基于SK海力士在高性能內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的顯著“主導(dǎo)地位”以及全球內(nèi)存市場的積極復(fù)蘇趨勢。
2024-08-08 09:48:321042

SK海力士DDR5芯片價格大幅上漲

近日,據(jù)外媒報道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調(diào)15%至20%,這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露,此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張,對DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461516

DDR5內(nèi)存面臨漲價潮,存儲巨頭轉(zhuǎn)向HBM生產(chǎn)

近日,存儲芯片市場傳來重大消息,SK海力士正式通知市場,其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品漲價15%至20%,這一舉動無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價的根源在于,SK海力士、美光、三星等存儲芯片巨頭紛紛調(diào)整
2024-08-15 10:19:212762

SK海力士攜手Waymo提供第三代高帶寬存儲器(HBM2E)技術(shù)

據(jù)最新消息,SK海力士正攜手Waymo,為其標(biāo)志性的自動駕駛汽車項目“谷歌汽車”提供前沿的第三代高帶寬存儲器HBM2E)技術(shù)。這一合作預(yù)示著隨著自動駕駛技術(shù)的日益普及,HBM不僅將在人工智能(AI)服務(wù)領(lǐng)域大放異彩,更將逐漸滲透至汽車芯片市場,成為未來五年的熱門選擇。
2024-08-15 14:54:392040

SK海力士M16晶圓廠擴(kuò)產(chǎn),DRAM產(chǎn)能將增18%

SK 海力士,作為全球知名的半導(dǎo)體巨頭,近期宣布了一項重要的擴(kuò)產(chǎn)計劃,旨在通過擴(kuò)大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模,顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報道,SK 海力士已積極與上游設(shè)備供應(yīng)商合作,訂購了關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備,以加速提升M16晶圓廠在HBM(高帶寬內(nèi)存)及通用DRAM內(nèi)存方面的生產(chǎn)能力。
2024-08-16 17:32:241920

三星、SK海力士及美光正全力推進(jìn)HBM產(chǎn)能擴(kuò)張計劃

近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及美光三大半導(dǎo)體巨頭正全力推進(jìn)高帶寬內(nèi)存(HBM)的產(chǎn)能擴(kuò)張計劃。據(jù)預(yù)測,至2025年,這一領(lǐng)域的新增產(chǎn)量激增至27.6萬個單位,推動年度總產(chǎn)量翻番至54萬個單位,實現(xiàn)驚人的105%年增長率,標(biāo)志著HBM產(chǎn)能的顯著飛躍。
2024-08-29 16:43:251771

SK海力士9月底量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存

9月4日,半導(dǎo)體行業(yè)傳來重要動態(tài),SK海力士社長金柱善(Kim Ju Seon)在備受矚目的SEMICON 大師論壇上發(fā)表演講,分享了公司在高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的最新進(jìn)展與未來展望。金柱善社長
2024-09-05 16:31:361645

SK海力士引領(lǐng)未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術(shù)格局

今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產(chǎn),此舉不僅HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲器市場的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:311987

SK海力士HBM生產(chǎn)效率驚人,引領(lǐng)存儲器市場格局轉(zhuǎn)變

在9月25日(當(dāng)?shù)貢r間)于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導(dǎo)體行業(yè)盛會上,SK海力士發(fā)布的一項關(guān)于其高帶寬內(nèi)存(HBM)的驚人數(shù)據(jù)——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關(guān)注。這一數(shù)據(jù)揭示了SK海力士HBM生產(chǎn)效率上的巨大優(yōu)勢。
2024-10-08 16:19:321679

韓華精密機械向SK海力士提供HBM設(shè)備

 韓華精密機械公司正式宣告,已成功向SK海力士提供了高帶寬存儲器HBM)生產(chǎn)中的核心設(shè)備——TC鍵合測試設(shè)備。   針對10月16日部分媒體所報道的“韓華精密機械與SK海力士HBM TC鍵
2024-10-18 15:51:081445

英偉達(dá)加速推進(jìn)HBM4需求,SK海力士存儲巨頭競爭加劇

韓國大型財團(tuán)SK集團(tuán)的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團(tuán)旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產(chǎn)品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707

英偉達(dá)向SK海力士提出提前供應(yīng)HBM4芯片要求

4。 HBM4作為高帶寬內(nèi)存的最新一代產(chǎn)品,具有出色的數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲能力,對于提升計算機系統(tǒng)的整體性能具有重要意義。因此,英偉達(dá)作為全球領(lǐng)先的圖形處理(GPU)制造商,對于HBM4的需求自然不言而喻。 對于SK海力士而言,黃仁勛的這一要求無
2024-11-05 10:52:481202

英偉達(dá)加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器

日,英偉達(dá)(NVIDIA)的主要高帶寬存儲器HBM)供應(yīng)商南韓SK集團(tuán)會長崔泰源透露,英偉達(dá)執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達(dá)下一代AI芯片平臺Rubin的HBM4存儲芯片。這一消息意味著英偉達(dá)下一代AI芯片平臺的問世時間提前半年。
2024-11-05 14:22:092108

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品

的領(lǐng)先地位,更為未來的高性能計算市場帶來了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示,盡管業(yè)界普遍認(rèn)為16層HBM市場將從HBM4時代開始興起,但SK海力士憑借前瞻性的技術(shù)布局
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士調(diào)整生產(chǎn)策略,聚焦高端存儲技術(shù)

限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線,如人工智能用存儲器及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品,該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達(dá)到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277

SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片

在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189

SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品

在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中,SK hynix(SK海力士)透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉,該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品,這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達(dá)48GB,將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:201364

特斯拉SK海力士、三星采購HBM4芯片

近日,SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存(HBM4)芯片樣品。據(jù)悉,特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應(yīng)商。 與微軟、谷歌、Meta等
2024-11-21 14:22:441524

SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬片

存儲芯片,并將其應(yīng)用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預(yù)計將在明年下半年供應(yīng)該芯片。 ? 由于需要同時向英偉達(dá)和博通供應(yīng) HBM,SK 海力士肯定會調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預(yù)測。這家公司計劃
2024-12-21 15:16:46915

SK海力士考慮提供2.5D后端工藝服務(wù)

與測試)市場,這將標(biāo)志著其在AI芯片產(chǎn)業(yè)鏈上的布局進(jìn)一步向下延伸。此舉不僅有助于SK海力士擴(kuò)大整體利潤規(guī)模,更能在一定程度上緩解下游外部先進(jìn)封裝廠產(chǎn)能瓶頸對其HBM(高帶寬存儲器)銷售的限制。 通過提供2.5D后端工藝服務(wù),SK海力士將能夠更靈活地應(yīng)對
2024-12-25 14:24:56926

SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應(yīng)對AI芯片市場旺盛需求

SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存(HBM)的DRAM產(chǎn)能,目標(biāo)是每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片,這一增幅達(dá)到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達(dá)外,其他領(lǐng)先人工智能(AI)芯片公司需求激增的積極回應(yīng)。
2025-01-07 16:39:091310

SK海力士計劃減產(chǎn)NAND Flash存儲器以應(yīng)對市場下滑

產(chǎn)品價格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉,SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無疑將對市場產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 根據(jù)機構(gòu)先前發(fā)布的報告,SK海力士在NAND Flash存儲器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:551096

SK海力士關(guān)閉CIS圖像傳感部門 轉(zhuǎn)向AI存儲器領(lǐng)域

3 月 6 日消息,綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報道,SK 海力士今日在內(nèi)部宣布關(guān)閉其 CIS(CMOS 圖像傳感)部門, 該團(tuán)隊的員工轉(zhuǎn)崗至 AI 存儲器領(lǐng)域 。SK
2025-03-06 18:26:161080

SK海力士強化HBM業(yè)務(wù)實力的戰(zhàn)略規(guī)劃

隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展,作為其核心支撐技術(shù)的高帶寬存儲器(以下簡稱HBM)實現(xiàn)了顯著的增長,為SK海力士在去年實創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績做出了不可或缺的重要貢獻(xiàn)。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為,SK海力士的成長不僅體現(xiàn)在銷售額的大幅提升上,更彰顯了其在引領(lǐng)AI時代技術(shù)變革方面所發(fā)揮的重要作用。
2025-04-18 09:25:59993

SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領(lǐng)跑者

近年來,SK海力士屢獲創(chuàng)新成果,這些成就皆得益于“一個團(tuán)隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品,還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應(yīng)商,這些
2025-05-23 13:54:361015

SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史

SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團(tuán)隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

SK海力士宣布量產(chǎn)HBM4芯片,引領(lǐng)AI存儲新變革

在人工智能(AI)技術(shù)迅猛發(fā)展的當(dāng)下,數(shù)據(jù)處理與存儲能力成為制約其進(jìn)一步飛躍的關(guān)鍵因素。2025 年 9 月 12 日,韓國半導(dǎo)體巨頭 SK 海力士宣布,已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產(chǎn)品
2025-09-16 17:31:141373

英偉達(dá)、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產(chǎn)設(shè)備廠迎機遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品,SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695

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