動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-01-07 18:03

  橢偏儀在MEMS的應(yīng)用：Er/Sc-AlN薄膜的厚度和光學(xué)常數(shù)精確表征

  

  隨著5G通信技術(shù)的快速發(fā)展，智能手機(jī)對(duì)射頻前端濾波器的需求急劇增加，聲表面波（SAW）濾波器因其高聲速、高機(jī)電耦合系數(shù)和低溫漂特性成為研究熱點(diǎn)。傳統(tǒng)LiTaO?等單晶材料存在成本高、聲速低、溫漂大等問題，而基于AlN的壓電薄膜SAW濾波器具有成本低、易于集成、性能可調(diào)等優(yōu)勢(shì)，逐漸成為主流選擇。然而，純AlN薄膜的壓電常數(shù)（d33）和機(jī)電耦合系數(shù)（kt）較低，

  mems 光學(xué) 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-01-05 18:05

  臺(tái)階儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|精確測(cè)量刻蝕深度和表面圖案化

  

  摩擦納米發(fā)電機(jī)作為一種環(huán)境機(jī)械能收集技術(shù)，在材料選擇、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及表面工程等方面持續(xù)優(yōu)化。表面改性通過調(diào)控粗糙度與表面電荷，已成為提升摩擦電輸出的重要手段。目前，激光輻照、等離子體刻蝕等方法已在聚合物材料中取得成效，但在金屬-半導(dǎo)體體系，尤其是半導(dǎo)體表面圖案化方面的研究仍較有限。GaN作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體，具備優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性與高電子遷移率，適用于摩擦電層。

  半導(dǎo)體 測(cè)量

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• 發(fā)布了文章 2025-12-31 18:04

  橢偏儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|不同厚度m-AlN與GaN薄膜的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)

  

  Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體是紫外至可見光發(fā)光器件的關(guān)鍵材料。傳統(tǒng)c面取向材料因極化電場(chǎng)導(dǎo)致量子限制斯塔克效應(yīng)，降低發(fā)光效率。采用半極性（如m面）生長(zhǎng)可有效抑制該效應(yīng)，尤其(11-22)取向在實(shí)現(xiàn)高銦摻入InGaN量子阱方面優(yōu)勢(shì)顯著。然而，半極性薄膜在異質(zhì)外延中面臨晶體質(zhì)量差、應(yīng)力各向異性等挑戰(zhàn)。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對(duì)薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣

  GaN 半導(dǎo)體 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-12-29 18:03

  臺(tái)階儀在光電材料中的應(yīng)用：基于AZO薄膜厚度均勻性表征的AACVD工藝優(yōu)化

  

  鋁摻雜氧化鋅（AZO）作為一種高性能透明導(dǎo)電氧化物，在光電子和能源器件中具有廣泛應(yīng)用前景。目前，基于氣溶膠輔助化學(xué)氣相沉積（AACVD）技術(shù)制備AZO薄膜的研究多采用氮?dú)獾榷栊詺怏w作為載氣，而對(duì)具有氧化活性的氧氣作為載氣的系統(tǒng)性研究明顯缺乏，這限制了對(duì)沉積氣氛與薄膜性能間關(guān)聯(lián)機(jī)制的深入理解。Flexfilm探針式臺(tái)階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)

  光電材料 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-12-26 18:02

  橢偏儀在半導(dǎo)體的應(yīng)用|不同厚度c-AlN外延薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)

  

  隨著半導(dǎo)體器件向高溫、高頻、高功率方向發(fā)展，氮化鋁（AlN）等寬禁帶半導(dǎo)體材料的外延質(zhì)量至關(guān)重要。薄膜的厚度、界面粗糙度、光學(xué)常數(shù)及帶隙溫度依賴性直接影響器件性能。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對(duì)薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導(dǎo)體和表面科學(xué)等領(lǐng)域。本文基于光譜橢偏技術(shù)，結(jié)合X射線衍射、拉曼光譜等方法，系統(tǒng)研究了c面藍(lán)寶石襯底上

  半導(dǎo)體 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-12-24 18:04

  晶圓多層膜的階高標(biāo)準(zhǔn)：實(shí)現(xiàn)20–500nm無金屬、亞納米級(jí)臺(tái)階精度

  

  在集成電路檢測(cè)中，高光學(xué)對(duì)比度的晶圓級(jí)階高標(biāo)準(zhǔn)對(duì)提升自動(dòng)圖像識(shí)別的精度至關(guān)重要。傳統(tǒng)基于單層Si-SiO?薄膜的階高標(biāo)準(zhǔn)在低臺(tái)階高度下對(duì)比度不足，通常需借助金屬鍍層增強(qiáng)信號(hào)，但這會(huì)引入污染風(fēng)險(xiǎn)。Flexfilm探針式臺(tái)階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測(cè)量，精確測(cè)定樣品的表面臺(tái)階高度與膜厚，為材料質(zhì)量把控和生產(chǎn)效率提升提供數(shù)據(jù)支撐。本研究提出

  晶圓 測(cè)量

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• 發(fā)布了文章 2025-12-22 18:04

  光學(xué)膜厚測(cè)量技術(shù)對(duì)比：光譜反射法vs橢偏法

  

  在現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)如半導(dǎo)體和新能源領(lǐng)域，厚度低于一微米的薄膜被廣泛應(yīng)用，其厚度精確測(cè)量是確保器件性能和質(zhì)量控制的核心挑戰(zhàn)。面對(duì)超薄、多層、高精度和非破壞性的測(cè)量需求，傳統(tǒng)的接觸式或破壞性方法已難以勝任。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對(duì)薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導(dǎo)體和表面科學(xué)等領(lǐng)域。為解決這一難題，以光譜反射法(SR)和光譜橢

  光學(xué) 光譜 測(cè)量

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• 發(fā)布了文章 2025-12-19 18:04

  表面粗糙度測(cè)量技術(shù)選型：臺(tái)階儀與光學(xué)輪廓儀對(duì)比分析

  

  表面粗糙度作為材料表面的微觀幾何特征，深刻影響著摩擦、密封、熱傳遞、腐蝕及生物相容性等重要功能性能，其精確評(píng)估是實(shí)現(xiàn)工業(yè)質(zhì)量控制和性能優(yōu)化的基礎(chǔ)。然而，現(xiàn)有的測(cè)量技術(shù)體系面臨著兩難選擇：傳統(tǒng)的接觸式方法（如觸針輪廓術(shù)）雖被廣泛采用，但存在劃傷樣品、無法用于軟質(zhì)材料的風(fēng)險(xiǎn)；而各種非接觸光學(xué)等方法雖避免了損傷，卻往往受限于設(shè)備成本高、操作復(fù)雜或?qū)μ囟ū砻鏃l件敏感

  測(cè)量 表面輪廓儀

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• 發(fā)布了文章 2025-12-17 18:02

  橢偏儀微區(qū)成像光譜測(cè)量：精準(zhǔn)表征二維ReS?/ReSe?面內(nèi)雙折射率Δn≈0.22

  

  二維過渡金屬硫族化合物ReS?和ReSe?因其晶體結(jié)構(gòu)中的“錸鏈”而具備顯著的面內(nèi)光學(xué)各向異性，在偏振敏感光電器件中展現(xiàn)出重要潛力。然而，其微米級(jí)樣品在可見光波段沿不同晶軸的關(guān)鍵光學(xué)參數(shù)（如折射率、消光系數(shù)）尚缺乏系統(tǒng)的定量表征，傳統(tǒng)光譜橢偏儀因空間分辨率不足而難以實(shí)現(xiàn)微區(qū)精確測(cè)量。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對(duì)薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛

  測(cè)量 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-12-15 18:03

  臺(tái)階儀在刻蝕工藝RIE中的應(yīng)用：關(guān)鍵參數(shù)精確調(diào)控與表面粗糙度控制

  

  InP-on-Si（IMOS）作為一種新興的光子集成平臺(tái)，因其能夠?qū)⒏咝阅苡性磁c無源光子器件異質(zhì)集成在硅基電路之上而備受關(guān)注。然而，隨著波導(dǎo)尺寸的急劇縮小，光場(chǎng)與波導(dǎo)表面的相互作用顯著增強(qiáng)，導(dǎo)致刻蝕工藝引入的側(cè)壁與底面粗糙度成為制約傳播損耗的主要因素。同時(shí)，為實(shí)現(xiàn)緊湊的光路設(shè)計(jì)與低偏振串?dāng)_，要求刻蝕剖面具有近乎垂直的側(cè)壁形貌。同時(shí)，為實(shí)現(xiàn)緊湊的光路設(shè)計(jì)與低偏

  刻蝕工藝 測(cè)量?jī)x器

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