多年以來，在純邏輯制程方面，英特爾都可以理直氣壯地聲稱其工藝領先所有競爭對手。2007年英特爾在45nm節(jié)點導入HKMG工藝（High-K絕緣層+金屬柵極），直到2010年左右，HKMG才在整個半導體業(yè)界普及。2011年英特爾在22nm節(jié)點引入FinFET工藝，直到2014年大部分競爭對手才實現(xiàn)了FinFET工藝。從22nm推進到14nm，英特爾理應比其他廠商更順利一些，因為英特爾只需要縮小工藝尺寸，而其他廠商既要導入FinFET工藝，又要縮減尺寸，但是英特爾在14nm上卻栽了大跟頭。

　　英特爾在2007、2009和2011年分別進入45nm、32nm和22nm工藝節(jié)點，14nm工藝按計劃應該在2013年推出，但是英特爾直到2014年才推出14nm工藝，比計劃晚了好幾個季度。

　　三星則跳過了20nm，在2014年底直接進入14nm工藝，只比英特爾晚了一點點。三星最早的14nm工藝被稱為“14LPE”，在“14LPE”之后，三星將推出提升性能的“14LPP”工藝。三星也將14nm工藝授權給GlobalFoundries，從而使IC設計公司有更多的14nm工藝選擇。

　　臺積電對抗14nm工藝的制程被其稱為“16FF”，這種16nm FinFET工藝在2014年末引入，2015年量產(chǎn)。2015年下半年臺積電還將量產(chǎn)一款提高性能的“16FF+”工藝。

　　有兩點需要說明一下。英特爾公布的工藝導入日期是英特爾處理器導入新工藝的時間，而晶圓代工廠公布的工藝導入日期是系統(tǒng)級芯片（SoC）導入新工藝的時間。由于系統(tǒng)級芯片比處理器要支持更多的設備，所以系統(tǒng)級芯片所采用的工藝一般比處理器更復雜。相同的工藝節(jié)點，英特爾的系統(tǒng)級芯片工藝導入時間一般比處理器工藝導入時間晚一年。第二點，晶圓代工廠的14nm工藝指只縮減了前道工藝的尺寸，后道工藝還是20nm工藝的水平，英特爾的前道工藝與后道工藝都進行了縮減，因此英特爾的工藝尺寸比其他晶圓廠都要小。 顯然晶圓代工廠在14nm工藝的遷移比英特爾更順利，這種狀況對于這些晶圓代工廠意味著什么呢？

　　28nm

　　28nm時臺積電是晶圓代工廠的領頭羊，蘋果因此把應用處理器的訂單從三星轉移到了臺積電。14nm/16nm節(jié)點上，蘋果的業(yè)務仍然是臺積電最大的收入來源，但是蘋果把代工業(yè)務分給了三星和臺積電，而且三星的訂單更早一些。高通也把部分訂單從臺積電挪到三星。顯而易見，三星14nm的順利量產(chǎn)使得它從臺積電那里搶了不少生意。

　　14nm

　　14nm工藝推遲對于英特爾的影響難以判斷，英特爾僅有很少的代工業(yè)務，因此至少現(xiàn)在代工方面對于英特爾沒有實質影響。英特爾最主要的業(yè)務是PC處理器，在這個市場和AMD歷經(jīng)多年拼殺，終于憑借先進的工藝和制造優(yōu)勢迫使AMD賣掉了晶圓廠。現(xiàn)在英特爾在PC處理器市場近乎壟斷地位，從現(xiàn)在的市場來看，14nm工藝推遲對于英特爾的PC業(yè)務不會有實質性影響。工藝延緩或許對財務會造成不利影響，但是英特爾整個2014年的毛利仍然很高，所以這方面的影響也可以忽略。

　　10nm

　　本來根據(jù)英特爾的計劃，10nm工藝應該在2015年推出，但是現(xiàn)在至少要推遲到2016年下半年或者2017年上半年。與14nm類似，英特爾在10nm跳票嚴重。

　　三星已經(jīng)展示了10nm的晶圓，并表示他們將在2017年量產(chǎn)10nm工藝。

　　臺積電也在緊攻10nm工藝，宣稱將在2016年第二季度試產(chǎn)10nm工藝，并在2016年末正式開始量產(chǎn)?；旧线@三家公司在10nm工藝進度上是前后腳的關系。 三星和臺積電誰能夠在10nm工藝競賽中領先，誰就能夠得到更多蘋果的代工業(yè)務?，F(xiàn)在三星和臺積電在10nm工藝開發(fā)上進展都非常好，不過GlobalFoundries的10nm工藝進展則是一個謎，GlobalFoundries最近把IBM的半導體業(yè)務買了下來，通過IBM的資源，GlobalFoundries現(xiàn)在開始開發(fā)自己的10nm工藝。

　　英特爾的10nm工藝何時量產(chǎn)難以預測。英特爾剛剛收購了Altera，10nm工藝對于生產(chǎn)Altera的產(chǎn)品很重要。工藝推遲肯定會影響到英特爾的財務狀況，但是對于英特爾PC處理器的影響很難看清楚。

聯(lián)發(fā)科刷存在感

與高通驍龍820、三星Exynos 8890還有蘋果A10 Fusion相比，今年的聯(lián)發(fā)科似乎少了些存在感。不過按照計劃聯(lián)發(fā)科將在明年上半年祭出HelioX30和Helio X35兩款重量級產(chǎn)品，而現(xiàn)在的最新消息是二者會采用臺積電的10nm工藝，性能方面相比之前應該有較大提升。

據(jù)了解，HelioX30曾準備使用16nm工藝，或許是為了增強競爭力聯(lián)發(fā)科才調整為10nm工藝。這顆旗艦級芯片將為10核心設計，集成兩顆主頻為2.8GHz的Cortex-A73高性能核心，四顆2.2GHz Cortex-A53核心與四顆2.0GHz Cortex-A35核心，兼顧了高性能與節(jié)能需要。而在其他方面，HelioX30將支持最高8GB LPDDR4內(nèi)存以及Cat.12網(wǎng)絡，GPU則從之前的ARM Mali系列改用兼容谷歌Daydream VR的Imagination PowerVR系列。

至于Helio X35應該定位要低于HelioX30，二者架構方面基本一致，但Helio X35的核心主頻要低一些，主要面向中高端設備。按照計劃，HelioX30和Helio X35的量產(chǎn)工作將在今年年末至明年年初啟動，搭載這兩款處理器的設備則會稍晚一點到來。