立年電子科技產(chǎn)品

• FLM5053-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 19:55

  

  產(chǎn)品型號：FLM5053-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5053-18F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM5053-25F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 19:44

  

  產(chǎn)品型號：FLM5053-25F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5053-25F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM4450-45F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 18:47

  

  產(chǎn)品型號：FLM4450-45F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM4450-45F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM7785-45F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 18:39

  

  產(chǎn)品型號：FLM7785-45F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7785-45F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM5359-35F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 18:32

  

  產(chǎn)品型號：FLM5359-35F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5359-35F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM5964-45F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:44

  

  產(chǎn)品型號：FLM5964-45F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5964-45F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM5359-45F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:37

  

  產(chǎn)品型號：FLM5359-45F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5359-45F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM1314-18F Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:19

  

  產(chǎn)品型號：FLM1314-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM1314-18F 名稱：日本 產(chǎn)地：日本 封裝：IB

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• FLM5053-35F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:11

  

  產(chǎn)品型號：FLM5053-35F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5053-35F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• ELM1314-9F Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 11:02

  

  產(chǎn)品型號：ELM1314-9F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM1314-9F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

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