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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • ELM5964-16F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 10:42

    產(chǎn)品型號(hào)：ELM5964-16F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：ELM5964-16F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • ELM7785-10F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 10:33

    產(chǎn)品型號(hào)：ELM7785-10F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：ELM7785-10F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • ELM1414-30F/001 Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 10:22

    產(chǎn)品型號(hào)：ELM1414-30F/001 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：ELM1414-30F/001 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：M2A

  • FLM1414-4F 內(nèi)部匹配 功率 GaAs FET2023-12-07 18:48

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM1414-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1414-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM1414-3F 內(nèi)部匹配 功率 GaAs FET2023-12-07 18:38

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM1414-3F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FFLM1414-3F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM1415-3F 內(nèi)部匹配 功率 GaAs FET2023-12-07 18:12

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM1415-3F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1415-3F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM1414-8F 內(nèi)部匹配 功率 GaAs FET2023-12-07 18:04

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM1414-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1414-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM1414-6F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-07 17:55

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM1414-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1414-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM1415-6F 內(nèi)部匹配 功率 GaAs FET2023-12-07 17:38

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM1415-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1415-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM4450-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-07 17:28

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM4450-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM4450-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB