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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • FLM5359-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 22:04

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM5359-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5359-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

  • FLM5359-25F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:55

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM5359-25F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5359-25F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM5964-25F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:47

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM5964-25F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5964-25F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM5964-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:41

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM5964-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5964-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM5359-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:34

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM5359-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5359-18F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM5964-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:27

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM5964-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5964-8F 型號(hào)：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

  • FLM5964-6F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:17

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM5964-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM5964-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

  • FLM1314-3F X、 Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 21:09

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM1314-3F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1314-3F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IA

  • FLM7179-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 20:59

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM7179-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM7179-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：IB

  • FLM1414-12F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 20:51

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM1414-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1414-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝： IB