立年電子科技產(chǎn)品

• FLM7179-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 15:29

  

  產(chǎn)品型號：FLM7179-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7179-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM7179-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 14:49

  

  產(chǎn)品型號：FLM7179-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7179-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

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• FLM7185-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 14:42

  

  產(chǎn)品型號：FLM7185-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7185-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM7179-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 14:36

  

  產(chǎn)品型號：FLM7179-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7179-18F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM7185-6F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 14:28

  

  產(chǎn)品型號：FLM7185-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7185-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

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• FLM7785-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 14:05

  

  產(chǎn)品型號：FLM7785-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7785-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM7785-6F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 13:58

  

  產(chǎn)品型號：FLM7785-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7785-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

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• FLM7785-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 13:43

  

  產(chǎn)品型號：FLM7785-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7785-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

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• FLM5964-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 13:35

  

  產(chǎn)品型號：FLM5964-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5964-18F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

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• FLM7785-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-06 12:15

  

  產(chǎn)品型號：FLM7785-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7785-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

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